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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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前言 氮化鎵技術(shù)在消費(fèi)類電源領(lǐng)域的大規(guī)模商用，帶來(lái)了電源配件產(chǎn)品功率密度的一次大提升。借助GaN功率器件高頻、高效的特性，體積小巧、更加便攜的高密度快充...
中瓷電子擬斥資38億元將進(jìn)軍第三代半導(dǎo)體
氮化鎵企業(yè)納微半導(dǎo)體宣布收購(gòu)GeneSiC Semiconductor（GeneSiC），加速向高功率市場(chǎng)擴(kuò)張。納微半導(dǎo)體稱，合并后的公司將在下一代功率...
碳化硅MOS管在消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)的應(yīng)用前景
自從碳化硅MOS管在Model3牽引電驅(qū)中使用后，整個(gè)世界對(duì)碳化硅的討論就沒(méi)有停過(guò)，也促進(jìn)了碳化硅MOS管在充電樁與新能源汽車中的應(yīng)用，從而提高充電速度...
寬帶隙器件對(duì)于下一代空間系統(tǒng)的發(fā)展具有重要意義
長(zhǎng)期以來(lái)，硅基器件一直是半導(dǎo)體領(lǐng)域的基準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)。從 2007 年開(kāi)始，由于摩爾定律的失敗，復(fù)合材料被開(kāi)發(fā)出來(lái)，特別關(guān)注寬帶隙半導(dǎo)體，因?yàn)樗鼈兝昧酥匾?..
2022-09-11 標(biāo)簽：傳感器氮化鎵半導(dǎo)體器件 1.2k 0
中微公司氮化鎵外延設(shè)備技術(shù)進(jìn)展
第四屆第三代半導(dǎo)體材料及裝備發(fā)展研討會(huì)在青島成功舉辦。中微公司參加了此次研討會(huì)，并受邀發(fā)表主題演講，與產(chǎn)業(yè)鏈上下游、設(shè)備及關(guān)鍵零部件研究、生產(chǎn)單位專家代...
隨著PD快充技術(shù)的普及以及氮化鎵快充市場(chǎng)的爆發(fā)，消費(fèi)類電源市場(chǎng)對(duì)高頻率、高效率、小體積的產(chǎn)品需求量日益提升。而在開(kāi)發(fā)高頻率快充電源時(shí)，找元器件現(xiàn)貨上唯樣...
氮化鎵功率器件：從消費(fèi)電子向數(shù)據(jù)中心邁進(jìn)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）以碳化硅、氮化鎵為主的第三代半導(dǎo)體材料得以大力發(fā)展，譬如氮化鎵功率器件在充電器和手機(jī)等消費(fèi)類電子上得到越來(lái)越多的采用。在經(jīng)...
QPA3908 和 QPA3810 為集成式兩級(jí) PAM，專為大規(guī)模 MIMO 應(yīng)用而設(shè)計(jì)，器件輸出具有 8 瓦 RMS。QPA3908 的工作頻率范圍...
兩款氮化鎵8瓦功率放大器模塊(PAM)QPA3908和QPA3810
日本電氣股份有限公司 (NEC) 擁有追求技術(shù)創(chuàng)新以及與領(lǐng)先行業(yè)供應(yīng)商合作的悠久傳統(tǒng)。NEC 已與 Qorvo 合作實(shí)施 QPA3908 和 QPA38...
加賀富儀艾電子加快基于氮化鎵USB-C PD電源適配器的研發(fā)
近日，加賀富儀艾電子旗下代理品牌Transphorm宣布推出七款參考設(shè)計(jì)，旨在加快基于氮化鎵的USB-C PD電源適配器的研發(fā)。該參考設(shè)計(jì)組合包括廣泛的...
納微半導(dǎo)體助力一加ACE手機(jī)首款標(biāo)配氮化鎵充電器發(fā)布
GaNFast?功率芯片為一加ACE手機(jī)實(shí)現(xiàn)超快充，電量從1%到100%只需充電17分鐘 ? 加利福尼亞州埃爾塞貢多 2022年8月11號(hào)訊 - 納微半...
2022-08-12 標(biāo)簽：手機(jī)氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.0萬(wàn) 0
在當(dāng)今的電力電子產(chǎn)品中，質(zhì)量和可靠性是既定的，設(shè)計(jì)重點(diǎn)是最大限度地提高效率和功率密度，同時(shí)最大限度地降低成本。工作頻率的急劇增加挑戰(zhàn)了當(dāng)前的設(shè)計(jì)實(shí)踐，以...
經(jīng)典電力電子設(shè)備中使用的所有類型的器件都可以使用 WBG 器件制造。此外，經(jīng)典的硅器件在許多應(yīng)用領(lǐng)域已經(jīng)達(dá)到了極限。鑒于這些前提，很明顯 WBG 技術(shù)是...
設(shè)計(jì)人員在電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車中提高能量轉(zhuǎn)換效率的重點(diǎn)是配備緊湊封裝和組裝的高熱可靠性電力電子模塊的設(shè)備，以減少開(kāi)關(guān)損耗。
2022-08-08 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車MOSFETSiC 738 0
GaN下游：功率、射頻市場(chǎng)格局；國(guó)內(nèi)外產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
【核芯觀察】是電子發(fā)燒友編輯部出品的深度系列專欄，目的是用最直觀的方式令讀者盡快理解電子產(chǎn)業(yè)架構(gòu)，理清上、中、下游的各個(gè)環(huán)節(jié)，同時(shí)迅速了解各大細(xì)分環(huán)節(jié)中...
多年來(lái)，設(shè)計(jì)人員一直在描述氮化鎵 (GaN) 有助于在電網(wǎng)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)前所未有的功率密度、系統(tǒng)可靠性和成本水平的未來(lái)。工程師不僅在尋找設(shè)備或技術(shù)成熟度——...
2022-08-05 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體氮化鎵 1.5k 0
電動(dòng)汽車的日益普及正在改變行業(yè)，對(duì)緊湊輕巧的電源管理解決方案的強(qiáng)烈需求同時(shí)又不影響車輛性能。同時(shí)，設(shè)計(jì)更高效、更具成本效益的工業(yè)解決方案將減少排放，為更...
2022-08-05 標(biāo)簽：電源驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 2.2k 0
碳化硅和氮化鎵技術(shù)正在徹底改變汽車、工業(yè)、航空航天和國(guó)防領(lǐng)域的電源應(yīng)用
半導(dǎo)體器件的最終應(yīng)用領(lǐng)域?qū)﹄娫磻?yīng)用的硅替代品的要求越來(lái)越高： 硅 Mosfets 的開(kāi)關(guān)電阻太高，無(wú)法達(dá)到 SiC（碳化硅）提供的 99% 的轉(zhuǎn)換效率。...
Diamond 實(shí)現(xiàn)大功率電子產(chǎn)品的熱管理
Diafilm TM220 是一種化學(xué)氣相沉積 （CVD） 金剛石熱等級(jí)，可為工業(yè)用戶提供超過(guò) 2200 W/mK 的熱導(dǎo)率。
能源轉(zhuǎn)型的挑戰(zhàn)涉及不同的市場(chǎng)。電動(dòng)汽車 (EV) 的技術(shù)進(jìn)步正在降低成本，但最重要的是提供了許多消費(fèi)者所需的更大范圍效率。更高功率密度的電池、更高效的電...
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