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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術

碳化硅在堿性溶液中的陽極刻蝕

引言人們對用于器件應用的碳化硅(SiC)重新產生了濃厚的興趣。它具有良好的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)，可以作為第三族氮化物外延生長的襯底。在許多應用領域，例...

2022-01-10 標簽：半導體 SiC 碳化硅 3k 0

碳化硅（SiC）相較于硅（Si）有哪些優(yōu)勢！

硅碳化物(SiC)技術已經達到了臨界點，即無可否認的優(yōu)勢推動一項技術快速被采用的狀態(tài)。

2023-09-07 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 3k 0

基于芯干線氮化鎵與碳化硅的100W電源適配器方案

半導體器件作為現(xiàn)代電子技術的核心元件，廣泛應用于集成電路、消費電子及工業(yè)設備等場景，其性能直接影響智能終端與裝備的運行效能。以氮化鎵（GaN）和碳化硅（...

2025-06-05 標簽：半導體電源適配器 SiC 3k 0

淺談碳化硅功率半導體生產流程

碳化硅功率半導體生產流程主要包括前道的晶圓加工，包括長晶、切割、研磨拋光、沉積外延；第二部分芯片加工，這部分跟硅基IGBT類似。

2024-01-25 標簽：晶圓功率半導體碳化硅 3k 0

柵極驅動器以及SiC MOSFET柵極驅動

碳化硅（SiC）MOSFET 的使用促使了多個應用的高效率電力輸送，比如電動車快速充電、電源、可再生能源以及電網基礎設施。

2023-05-22 標簽：MOSFET IGBT SiC 3k 0

SiC MOSFET的短路特性和短路保護方法

在光伏逆變器、車載充電器及牽引逆變器等應用領域中，由第三代半導體材料碳化硅（SiC）制成的SiC MOSFET正逐步替代由傳統(tǒng)硅基（Si）制成的Si IGBT。

2025-03-12 標簽：MOSFET 半導體 SiC 3k 0

碳化硅功率器件及應用

碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發(fā)展起來的第三代半導體材料。作...

2023-05-10 標簽：半導體功率器件 SiC 3k 0

碳化硅在電源中的作用和優(yōu)勢

　　硅是半導體的傳統(tǒng)材料，但其近親碳化硅（SiC）最近已成為激烈的競爭對手。碳化硅的特性特別適合高溫、高壓應用。它提供了更高的效率，并擴展了功率密度和工...

2023-11-10 標簽：電源半導體 SiC 2.9k 0

如何測試SiC MOSFET柵氧可靠性

隨著電力電子技術的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）因其優(yōu)異的性能，如高開關速度、低導通電阻和高工作溫度，逐漸成為高...

2025-03-24 標簽：MOSFET 晶體管 SiC 2.9k 0

碳化硅的獨特性能和應用

SiC，也稱為碳化硅，是硅和碳化物在晶體結構中的組合，大約有250種不同的晶體形式可以找到SiC。碳化硅可以采取許多不同的形式：單個SiC晶?？梢詿Y在...

2023-05-24 標簽：半導體 SiC 碳化硅 2.9k 0

氮化鎵技術的壁壘是什么氮化鎵晶體管工作原理

氮化鎵晶體管型號參數(shù)主要包括電壓限值、電流密度、功率密度、效率、溫度系數(shù)、漏電流、漏電壓、抗電磁干擾能力等。

2023-02-14 標簽：晶圓晶體管氮化鎵 2.9k 0

碳化硅的5大優(yōu)勢

碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。

2023-12-12 標簽：MOSFET 電源轉換器肖特基二極管 2.9k 0

碳化硅功率器件可靠性測試方法詳解

可靠性，是指產品在規(guī)定時間內和條件下完成規(guī)定功能的能力，是產品質量的重要指標，如果在規(guī)定時間內和條件下產品失去了規(guī)定的功能，則稱之為產品失效或出現(xiàn)了故障...

2023-07-21 標簽：MOSFET 功率器件可靠性測試 2.9k 0

碳化硅（SiC）功率器件核心優(yōu)勢及技術挑戰(zhàn)

SiC器件的核心優(yōu)勢在于其寬禁帶、高熱導率、以及高擊穿電壓。具體來說，SiC的禁帶寬度是硅的近3倍，這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能；其熱導率是硅的...

2024-03-08 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 2.9k 0

使用碳化硅SiC進行雙向充電機OBC設計

電動汽車車載充電機（On Board Charger，OBC）可以根據(jù)功率水平和功能采取多種形式，充電功率從微型電動汽車應用中的2KW，到高端電動汽車中...

2023-12-13 標簽：電動汽車 SiC 碳化硅 2.9k 0

碳化硅功率模塊的建模和驗證

傳統(tǒng)的硅功率晶體管在理論上已經被推到了極限。1,2基于寬帶隙器件的系統(tǒng)（即碳化硅）已經超越了效率、密度和工作溫度方面的限制。3阻斷電壓與導通電阻之比是由...

2022-08-04 標簽：MOSFET 功率模塊碳化硅 2.9k 0

一文解析SiC功率器件互連技術

和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓大、開關頻率高等諸多優(yōu)點,因而適用于更高工作頻率的功率器件。但這些優(yōu)點同時也給SiC功率器件的互連封裝帶...

2024-03-07 標簽：MOSFET 功率器件互連技術 2.9k 0

如何提高碳化硅器件的效率

高效率當然是一個優(yōu)點，但有時“高”的說法并不準確，例如：家用電子設備散發(fā)出“較高”的熱量，可以減輕您的中央供暖工作在寒冷氣候中的工作量，或許能從能源使用...

2022-03-31 標簽：碳化硅 GaN器件 SiCMOSFET 2.9k 0

具有低導通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢壘二極管設計

北京工業(yè)大學和中國北京大學報道了碳化硅襯底（GaN/SiC）上由氮化鎵制成的全垂直結構肖特基勢壘二極管（SBD）的性能

2024-02-19 標簽：SBD SiC GaN 2.9k 0

晶圓劃片機的技術指標有哪些？晶圓劃片機選擇因素有哪些？

晶圓劃片機是一種用于將半導體晶圓切割成小尺寸芯片的設備。它在半導體制造過程中起著關鍵的作用。

2023-08-21 標簽：硅晶圓劃片機碳化硅 2.9k 0

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