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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

碳化硅逆變器加速電動(dòng)汽車傳動(dòng)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)

“我們開(kāi)發(fā)了一款 800 伏的碳化硅逆變器，它能夠?yàn)槠嚑恳齻鲃?dòng)應(yīng)用提供高達(dá) 600 千瓦的峰值功率。在這一開(kāi)發(fā)過(guò)程中，我們所采用的工作流和工具鏈方法得...

2025-11-07 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 matlab 逆變器 2.6k 0

森國(guó)科650V超結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品的性能指標(biāo)

繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后，2023年7月森國(guó)科正式對(duì)外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品，相較...

2023-07-20 標(biāo)簽：MOSFET MOS 體二極管 2.6k 1

半導(dǎo)體碳化硅(SiC)行業(yè)研究

第三代半導(dǎo)體性能優(yōu)越，應(yīng)用場(chǎng)景更廣。半導(dǎo)體材料作為電子信息技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)，經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應(yīng)用場(chǎng)景提出更高的要求，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三...

2024-01-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 2.6k 0

碳化硅MOSFET在新能源行業(yè)有怎樣的應(yīng)用和發(fā)展

在碳化硅電力電子器件的研究中，SiC-MOSFET是最受關(guān)注的器件。在Si材料接近理論性能極限的今天，SiC功率器件由于具有耐壓高、損耗低、效率高等特點(diǎn)...

2023-09-27 標(biāo)簽：新能源 MOSFET MOS 2.6k 0

碳化硅襯底片比較重要的參數(shù)有哪些？

Lattice Parameters：晶格參數(shù)。確保襯底的晶格常數(shù)與將要生長(zhǎng)的外延層相匹配，以減少缺陷和應(yīng)力。

2024-05-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 2.6k 0

淺談電驅(qū)系統(tǒng)的演進(jìn)路線及最核心技術(shù)

在電驅(qū)最重要的“動(dòng)力”屬性上，目前大多數(shù)的電車都存在動(dòng)力過(guò)?，F(xiàn)象，以36w+的特斯拉 Model3P 為例，加速可以秒掉200w左右的性能油車，3w的宏...

2023-01-10 標(biāo)簽：電機(jī)控制減速器碳化硅 2.6k 0

研究碳化硅襯底和外延的實(shí)驗(yàn)報(bào)告

摘要本發(fā)明提供一種能夠提供低位錯(cuò)缺陷的高質(zhì)量襯底的單晶碳化硅錠，和由此獲得的襯底和外延晶片。它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠，該單晶碳化硅含有濃...

2022-02-15 標(biāo)簽：晶圓襯底鍍膜 2.6k 0

碳化硅電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀分析

SiC電力電子器件中，SiC二極管最先實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。2001年德國(guó)Infineon公司率先推出SiC二極管產(chǎn)品，美國(guó)Cree和意法半導(dǎo)體等廠商也緊隨其后推...

2016-08-22 標(biāo)簽：碳化硅 2.6k 0

激光在碳化硅半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用

本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機(jī)理，并重點(diǎn)對(duì)碳化硅晶圓激光標(biāo)記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片...

2023-04-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體激光封裝 2.5k 0

碳化硅SiC的光學(xué)優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

碳化硅（SiC）在大口徑光學(xué)反射鏡上的應(yīng)用，主要得益于其高比剛度、優(yōu)異熱穩(wěn)定性和寬光譜響應(yīng)等特性，成為空間觀測(cè)、深空探測(cè)等領(lǐng)域的核心材料。以下是關(guān)鍵應(yīng)用...

2025-02-22 標(biāo)簽：光學(xué)SiC 碳化硅 2.5k 0

溝槽型SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用

碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，因其出色的寬禁帶、高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等特性，在新能源、智能電網(wǎng)以及電動(dòng)汽車等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)...

2025-02-02 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 2.5k 0

碳化硅襯底的生產(chǎn)過(guò)程

碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其出色的物理和化學(xué)特性，如高硬度、高熔點(diǎn)、高熱導(dǎo)率和化學(xué)穩(wěn)定性，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。SiC襯底是...

2025-02-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 2.5k 0

碳化硅二極管的應(yīng)用及作用

　　碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(chǎng)(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(...

2023-02-07 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體功率器件 2.5k 0

探訪三亞FE現(xiàn)場(chǎng)，揭秘文圖瑞車隊(duì)精彩逆變

歷經(jīng)Formula E三季的磨礪，羅姆SiC功率元器件與文圖瑞車隊(duì)一同走過(guò)了怎樣的歷程？在香港站文圖瑞車隊(duì)勇奪冠軍，這背后離不開(kāi)技術(shù)人員的默默付出。

2019-04-04 標(biāo)簽：SiC 碳化硅羅姆 2.5k 0

淺談碳化硅流程的核心技術(shù)

一種是通過(guò)生長(zhǎng)碳化硅同質(zhì)外延，下游用于新能源汽車、光伏、工控、軌交等功率領(lǐng)域的導(dǎo)電型襯底，外延層上制造各類功率器件；另一種是通過(guò)生長(zhǎng)氮化鎵異質(zhì)外延...

2023-06-03 標(biāo)簽：SiC 氮化鎵碳化硅 2.5k 0

混合器件的原理及應(yīng)用

今天想抽出點(diǎn)時(shí)間來(lái)聊一下復(fù)合器件（Si IGBT + SiC MOSFET），我也不太清楚這個(gè)中文名字應(yīng)該叫什么，文獻(xiàn)里都叫做Hybrid switch...

2023-10-25 標(biāo)簽：MOSFET IGBT SiC 2.5k 0

碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（SiC Diode）、碳化硅晶體管（SiC Transistor）等。這些器件通過(guò)利用碳化硅材料的優(yōu)良特性，可以在更...

2024-02-29 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 2.5k 0

SiC相較于Si的優(yōu)勢(shì)是什么？碳化硅的實(shí)際應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

如今，大多數(shù)半導(dǎo)體都是以硅（Si）為基材料，但近年來(lái)，一個(gè)相對(duì)新的半導(dǎo)體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅，也稱為SiC。目前，SiC主要應(yīng)用于M...

2023-09-05 標(biāo)簽：二極管太陽(yáng)能半導(dǎo)體 2.5k 0

Wolfspeed采用TOLL封裝的碳化硅MOSFET產(chǎn)品介紹

Wolfspeed 采用 TOLL 封裝的碳化硅 MOSFET 產(chǎn)品組合豐富，提供優(yōu)異的散熱，極大簡(jiǎn)化了熱管理。

2023-11-20 標(biāo)簽：MOSFET 封裝人工智能 2.5k 0

碳化硅為何備受廠商青睞？安森美半導(dǎo)體碳化硅側(cè)重的4大重點(diǎn)

01?年輕就要“燃”起來(lái) 輕薄便攜就是它

2020-09-11 標(biāo)簽：逆變器安森美半導(dǎo)體碳化硅 2.5k 0

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Arduino

Arduino

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
FinFET

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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
20nm

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村田

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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
TI公司

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TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè)，我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
羅姆

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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)

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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問(wèn)題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?chǔ)數(shù)據(jù)，無(wú)線鏈路可用時(shí)再行處理。
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廣州金升陽(yáng)科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來(lái)專注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開(kāi)關(guān) （ZCS）及零電壓開(kāi)關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無(wú)需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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閃存是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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Cirrus LogIC

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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開(kāi)發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
柵極驅(qū)動(dòng)器

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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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華星光電

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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
驍龍

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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
32位單片機(jī)

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ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
Cortex-A

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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
Mobileye

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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
CC2541

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CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開(kāi)發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。
超級(jí)本

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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。

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