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      標(biāo)簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

      +關(guān)注26人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

      文章：2942個(gè) 瀏覽：52518次 帖子：39個(gè)

      碳化硅技術(shù)

      SiC二極管在大功率電源上的應(yīng)用

      SiC（碳化硅）二極管在大功率電源上的應(yīng)用，正逐漸成為電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)重要技術(shù)革新。其憑借高能效、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及優(yōu)越的電氣特性，在多個(gè)大功...

      2024-09-10 標(biāo)簽：二極管SiC碳化硅 1.7k 0

      SiC半導(dǎo)體產(chǎn)品如何實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量和高可靠性

      SiC半導(dǎo)體產(chǎn)品如何實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量和高可靠性

      從MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是我們生活中無數(shù)電子設(shè)備的核心。從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施，到個(gè)人電子產(chǎn)品和電動汽車(EV)，它們...

      2024-11-30 標(biāo)簽：二極管MOSFET半導(dǎo)體 1.7k 0

      碳化硅（SiC）功率器件探討：未來的能源解決方案

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      隨著全球?qū)Ω咝А⒏沙掷m(xù)能源解決方案的需求不斷增加，碳化硅（SiC）功率器件因其卓越的物理和電氣特性而成為電力電子領(lǐng)域的一個(gè)重要進(jìn)展。

      2024-04-15 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻功率器件SiC 1.7k 0

      碳化硅二極管的區(qū)別和應(yīng)用市場

      碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導(dǎo)體器件，它具有較高的強(qiáng)度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。

      2023-02-15 標(biāo)簽：電源二極管碳化硅 1.7k 0

      淺談SiC晶體材料的主流生長技術(shù)

      淺談SiC晶體材料的主流生長技術(shù)

      在SiC晶體的擴(kuò)徑生長上比較困難，比如我們有了4英寸的晶體，想把晶體直徑擴(kuò)展到6英寸或者8英寸上，需要花費(fèi)的周期特別長。

      2024-03-04 標(biāo)簽：晶體SiC碳化硅 1.7k 0

      國產(chǎn)碳化硅MOS推薦-主驅(qū)逆變器

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      主驅(qū)逆變器是電動汽車動力執(zhí)行單元的關(guān)鍵部件，它從VCU獲取扭矩指令，從高壓電池包獲取電能

      2023-11-16 標(biāo)簽：電動汽車逆變器MOS 1.7k 0

      電驅(qū)逆變器模塊連續(xù)工作測溫系統(tǒng)的開發(fā)步驟和過程

      電驅(qū)逆變器模塊連續(xù)工作測溫系統(tǒng)的開發(fā)步驟和過程

      摘要 本文提出一個(gè)用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內(nèi)并聯(lián)裸片之間的熱失衡問題的解決方案，該分析方法是采用紅外熱像儀直接測量每顆...

      2024-06-04 標(biāo)簽：模塊逆變器IGBT 1.7k 0

      用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器

      用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器

      電池供電的便攜式設(shè)備越來越多，在如今的生活中扮演的角色也愈發(fā)重要。這個(gè)趨勢還取決于高能量存儲技術(shù)的發(fā)展，例如鋰離子（Li-ion）電池和超級電容器。這些...

      2021-04-14 標(biāo)簽：MOSFET升壓轉(zhuǎn)換器碳化硅 1.7k 0

      800V車規(guī)碳化硅功率模塊襯底和外延epi分析和介紹

      厚度以及一致性 摻雜和一致性 表面缺陷快速檢測和標(biāo)識追蹤能力 底部缺陷快速檢測和標(biāo)識追蹤能力 控制擴(kuò)展缺陷 清洗 大尺寸的晶圓翹曲度的控制

      2023-02-07 標(biāo)簽：MOSFET功率模塊碳化硅 1.7k 0

      碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀器的選型指南與應(yīng)用場景分析

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      引言 碳化硅襯底 TTV（總厚度變化）厚度是衡量其質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響半導(dǎo)體器件性能。合理選擇測量儀器對準(zhǔn)確獲取 TTV 數(shù)據(jù)至關(guān)重要，不同應(yīng)用場...

      2025-06-03 標(biāo)簽：測量儀器碳化硅晶圓厚度 1.7k 0

      用于最高電壓等級的硅IGBT和碳化硅MOSFET

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      對于這些電力電子系統(tǒng)中使用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從經(jīng)典的兩電平變流器到更先進(jìn)的無源或有源控制的T型或 3 電平 NPC 拓?fù)?，再到更?fù)雜的變流器

      2023-10-16 標(biāo)簽：MOSFET晶閘管IGBT 1.7k 0

      SiC模塊開啟電機(jī)驅(qū)動器更高功率密度

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      牽引驅(qū)動器是電動汽車（EV）幾乎所有能量的消耗源。因此，驅(qū)動系統(tǒng)必須盡可能提高效率，同時(shí)以最低重量占用最小空間 — 這些均旨在盡可能提高電動汽車的續(xù)航能力。

      2023-05-19 標(biāo)簽：電動汽車驅(qū)動器IGBT 1.7k 0

      如何最大限度地提高SiC MOSFET性能呢？

      如何最大限度地提高SiC MOSFET性能呢？

      在高功率應(yīng)用中，碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢。其中包括更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗以及更好的高溫性能。

      2023-09-11 標(biāo)簽：MOSFETIGBT寄生電容 1.7k 0

      SiC模塊的特征和電路構(gòu)成

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      1. SiC模塊的特征 大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOS...

      2023-02-07 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1.7k 0

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      根據(jù)電源解決方案或與功耗、能源效率或整體能源或碳足跡相關(guān)的分析來對任何系統(tǒng)（或系統(tǒng)集合）進(jìn)行分析時(shí)，將源與負(fù)載分開出來能幫助整個(gè)過程。

      2024-03-28 標(biāo)簽：摩爾定律晶體管碳化硅 1.7k 0

      什么是碳化硅？SiC在電力電子領(lǐng)域的一些非凡特性有哪些

      碳化硅因其獨(dú)特的性能而被譽(yù)為硅的潛在替代品。以下是使這種材料如此非凡的特性，以及它在電力電子設(shè)備中的應(yīng)用。

      2023-02-03 標(biāo)簽：變頻器電力電子SiC 1.7k 0

      功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識

      功率器件熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運(yùn)行的基礎(chǔ)。掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，不僅有助于提高功率器件的利用率和系統(tǒng)可靠性，還...

      2025-02-03 標(biāo)簽：IGBT功率器件碳化硅 1.7k 0

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      國產(chǎn)碳化硅MOS推薦-DCDC轉(zhuǎn)換器

      DCDC轉(zhuǎn)換器是一種臨時(shí)儲存電能的設(shè)備，作用是將直流電從一個(gè)電壓水平轉(zhuǎn)換為另一個(gè)電壓水平。

      2023-11-17 標(biāo)簽：隔離器直流電dcdc轉(zhuǎn)換器 1.6k 0

      陶瓷基板制備工藝研究進(jìn)展

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      目前常用的高導(dǎo)熱陶瓷粉體原料有氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）、碳化硅（SiC）和氧化鈹（BeO）等。隨著國家大力發(fā)展綠色環(huán)...

      2023-06-27 標(biāo)簽：pcb印制電路板功率器件 1.6k 0

      碳化硅功率器件的可靠性分析方法和過程

      碳化硅功率器件的可靠性分析方法和過程

      碳化硅功率器件的可靠性是指該器件在正常工作條件下，能夠持續(xù)穩(wěn)定地提供所需的功率，并且不會出現(xiàn)故障或失效的可能性。

      2023-02-19 標(biāo)簽：功率器件可靠性分析碳化硅 1.6k 0

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        Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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        從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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        Cirrus LogIC
        +關(guān)注
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      • 柵極驅(qū)動器
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        +關(guān)注
        　　柵極驅(qū)動器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動用于數(shù)字信號傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動功率較大的晶體管。
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