碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)管理和可再生能源系統(tǒng)等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅（SiC）作為一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料，具有高頻...

2024-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 1.5k 0

碳化硅（SiC）在汽車電子中的應(yīng)用

熱設(shè)計(jì)在電力電子系統(tǒng)中起著決定性的作用，以便設(shè)計(jì)高功率密度，從而設(shè)計(jì)緊湊的系統(tǒng)。

2023-02-22 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 SiC 碳化硅 1.5k 0

探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的操作規(guī)范與技巧

本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀，系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實(shí)用技巧，通過規(guī)范測量流程、分享操作要點(diǎn)，旨在提高測量準(zhǔn)確性與效率，為半導(dǎo)體制造過程中...

2025-08-23 標(biāo)簽：晶圓測量儀碳化硅 1.5k 0

碳化硅功率器件的散熱方法

碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其耐高壓、耐高溫、高開關(guān)速度和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性，在新能源、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。...

2025-02-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1.5k 0

超短脈沖激光輔助碳化硅晶圓切片

? 當(dāng)今科技迅速發(fā)展，超短脈沖激光技術(shù)作為一項(xiàng)重要的特種加工技術(shù)，引起了廣泛關(guān)注。超短脈沖激光以其極短的脈沖寬度和高能量密度，在微納加工領(lǐng)域備受矚目。在...

2024-11-25 標(biāo)簽：晶圓脈沖激光碳化硅 1.5k 0

國產(chǎn)碳化硅MOS推薦-不間斷電源

不間斷電源（UPS）是一種將蓄電池與主機(jī)相連接，將直流電轉(zhuǎn)換成市電的系統(tǒng)設(shè)備，主要是為了在市電故障時(shí)能夠?yàn)橛?jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)或其他電力電子設(shè)備提供可靠和連續(xù)的電能。

2023-11-20 標(biāo)簽：蓄電池不間斷電源 MOS 1.5k 0

碳化硅在多種應(yīng)用場景中的影響

對碳化硅技術(shù)進(jìn)行商業(yè)化應(yīng)用時(shí)，需要持續(xù)關(guān)注材料缺陷、器件可靠性和相關(guān)封裝技術(shù)。本文還將向研究人員和專業(yè)人士介紹一些實(shí)用知識(shí)，幫助了解碳化硅如何為功率半導(dǎo)...

2025-06-13 標(biāo)簽：晶體管 SiC 功率半導(dǎo)體 1.5k 0

極海G32R501全數(shù)字雙向電源參考方案介紹

雙向電源控制技術(shù)廣泛應(yīng)用于戶用儲(chǔ)能、便攜式儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車等應(yīng)用，在能源使用效率備受關(guān)注的今天，雙向電源必須滿足更高的效率和可靠性標(biāo)準(zhǔn)，高轉(zhuǎn)換效率已成為數(shù)...

2025-01-10 標(biāo)簽：mcu 數(shù)字電源碳化硅 1.5k 0

在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢

碳化硅CoolSiC? 器件的體二極管正向電壓（VF）是硅CoolMOS?器件的四倍。如果不對電路進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整，很有機(jī)會(huì)在諧振LLC轉(zhuǎn)換器上在輕負(fù)載時(shí)效...

2020-12-14 標(biāo)簽：MOSFET 開關(guān)電源電源轉(zhuǎn)換器 1.5k 0

使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)無底板封裝的碳化硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)升級

本文探討了全新的 Wolfspeed WolfPACK 系列無碳化硅無基板功率模塊，并展示了這種多功能且可擴(kuò)展的模塊方法如何實(shí)現(xiàn)當(dāng)前硅（Si）設(shè)計(jì)的...

2023-05-20 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 1.5k 0

直流快速電動(dòng)汽車充電器的設(shè)計(jì)技巧與解決方案

便捷高效的充電對于所有電池供電的電動(dòng)汽車（BEV）的成功至關(guān)重要，可用充電的地方越多，充電速度越快，消費(fèi)者就越有可能購買純電動(dòng)汽車而不是化石燃料汽車。本...

2024-08-16 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車充電器碳化硅 1.5k 0

碳化硅的發(fā)展趨勢及其在儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）中的應(yīng)用介紹

與傳統(tǒng)的硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和其他技術(shù)相比，碳化硅（SiC）技術(shù)具有更多優(yōu)勢

2023-09-12 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 IGBT 晶體管 1.5k 0

華為2024年部署將超過10萬個(gè)全液冷超快充充電樁

隨著以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代功率半導(dǎo)體與高倍率動(dòng)力電池的日益成熟，電動(dòng)汽車正加速向高壓化超充方向發(fā)展。全面高壓化將從B、C級車走向A級車及商用車，...

2023-12-18 標(biāo)簽：動(dòng)力電池華為 MOS 1.5k 0

有效測量碳化硅信號(hào)

SiC器件市場涵蓋廣泛的功率和應(yīng)用（電動(dòng)汽車充電，太陽能和風(fēng)能等能量收集，電源逆變器，工業(yè)電源，數(shù)據(jù)中心）。在低端（1–50 kW），分立式 MOSF...

2023-05-20 標(biāo)簽：晶體管 SiC 碳化硅 1.5k 0

三菱電機(jī)高壓SiC模塊封裝技術(shù)解析

SiC芯片可以高溫工作，與之對應(yīng)的連接材料和封裝材料都需要相應(yīng)的變更。三菱電機(jī)高壓SiC模塊支持175℃工作結(jié)溫，其封裝技術(shù)相對傳統(tǒng)IGBT模塊封裝技術(shù)...

2025-02-12 標(biāo)簽：封裝技術(shù)三菱電機(jī)SiC 1.5k 0

小米汽車發(fā)布會(huì)：自研小米800V碳化硅高壓平臺(tái)

小米自研小米800V碳化硅高壓平臺(tái)：871V

2023-12-28 標(biāo)簽：碳化硅小米汽車 800V平臺(tái) 1.5k 0

碳化硅器件在車載充電機(jī)（OBC）中的性能優(yōu)勢

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體具有耐高溫、耐高壓、高頻率、抗輻射等優(yōu)異性能采用碳化硅功率器件可使電動(dòng)汽車或混合動(dòng)力汽車功率轉(zhuǎn)化能耗損失降低20%，在OBC產(chǎn)品上...

2024-04-10 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件碳化硅 1.5k 0

碳化硅器件“上車”加快，800V高壓平臺(tái)蓄勢待發(fā)

根據(jù)研究和規(guī)模化應(yīng)用的時(shí)間先后順序，業(yè)內(nèi)將半導(dǎo)體材料劃分為三代。常見的半導(dǎo)體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化鎵...

2023-09-28 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 功率器件 1.5k 0

碳化硅在車用逆變器的妙用

碳化硅作為寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料，具有比傳統(tǒng)硅材料更加優(yōu)異的性能，尤其是用于功率轉(zhuǎn)換和控制的功率器件。與傳統(tǒng)硅器件相比，碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐...

2023-02-03 標(biāo)簽：硅材料碳化硅寬禁帶 1.5k 0

SiC賦能更為智能的半導(dǎo)體制造/工藝電源

半導(dǎo)體器件的制造流程包含數(shù)個(gè)截然不同的精密步驟。無論是前道工藝還是后道工藝，半導(dǎo)體制造設(shè)備的電源都非常重要。

2023-05-19 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換器 SiC 半導(dǎo)體器件 1.4k 0

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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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碳化硅

碳化硅技術(shù)

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