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      標簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

      +關注26人關注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

      文章：2939個 瀏覽：52509次 帖子：39個

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      近年來碳化硅材料應用于電子設備技術有了長足的發(fā)展，碳化硅材料比通用硅有更突出的優(yōu)點，這主要歸功于碳化硅材料比通用的材料有更高的電場擊穿電壓、更快的電荷移...

      2023-04-17 標簽：二極管PFC電路碳化硅 1.3k 0

      碳化硅MOSFET的柵極應力測試

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      了解半導體器件的失效模式是制定篩選、鑒定和可靠性測試的關鍵，這些測試可以確保器件在數據表規(guī)定的限制范圍內運行，并滿足汽車和其他電力轉換應用中對每十億個部...

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      全面的SiC功率器件行業(yè)概覽

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      SiC功率器件市場正處于快速增長階段，特別是在汽車電動化趨勢的推動下，其市場規(guī)模預計將持續(xù)擴大。 根據Yole Group的報告，汽車行業(yè)對SiC功...

      2024-04-07 標簽：新能源汽車晶圓功率器件 1.3k 0

      碳化硅技術在家電行業(yè)的應用前景

      碳化硅是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一，其能使系統(tǒng)效率更高，質量更輕，結構更緊湊。如今，碳化硅技術已經進入以空調為代表的家電應用場景來助...

      2023-09-18 標簽：二極管MOSFET肖特基二極管 1.3k 0

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      碳化硅（SiC）功率器件是近年來半導體行業(yè)中的重要發(fā)展方向。相比傳統(tǒng)的硅（Si）功率器件，SiC功率器件具有更高的耐高溫、高壓和高頻性能，廣泛應用于電力...

      2024-09-13 標簽：半導體功率器件碳化硅 1.3k 0

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      2025-08-14 標簽：晶圓厚度測量碳化硅 1.3k 0

      為您的設計選擇最佳選項：碳化硅MOSFET相對于IGBT的優(yōu)勢！

      GBT（絕緣柵雙極晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）用于許多不同類型的電源應用，包括可再生能源、航空航天、汽車和運輸、測試和測量以及...

      2023-02-12 標簽：MOSFETIGBT晶體管 1.3k 0

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      在半導體材料領域，碳化硅與氮化鎵無疑是當前最炙手可熱的明星。其中，碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性，其耐高頻耐高溫的性能，是同等硅器件耐壓的10倍。

      2023-04-06 標簽：半導體IGBT電機控制器 1.3k 0

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      2025-07-15 標簽：半導體材料碳化硅 1.3k 0

      浮思特|如何通過設計SiC功率模塊優(yōu)化電動汽車電機驅動熱管理效率?

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      2025-01-08 標簽：IGBT碳化硅汽車 1.3k 0

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      2024-03-19 標簽：功率轉換功率器件SiC 1.3k 0

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      　　隨著科技的飛速發(fā)展，電力電子技術在各種領域中發(fā)揮著越來越重要的作用，從電動汽車到數據中心，再到可再生能源系統(tǒng)，其應用范圍不斷擴大。在這一領域，碳化硅...

      2023-12-26 標簽：半導體功率器件SiC 1.2k 0

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      2023-09-20 標簽：電動汽車IGBT晶體管 1.2k 0

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      隨著電力電子技術的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導體材料，因其獨特的物理特性，如高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高熱導率等，在功率器件領域展...

      2023-12-28 標簽：半導體功率器件SiC 1.2k 0

      碳化硅肖特基二極管的特點

      碳化硅的能帶間隔為硅的2.8倍（寬禁帶），達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍，高達3.2MV/cm，其導熱率是硅的3.3倍，為49w/c...

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      SiC相比傳統(tǒng)基于IGBT的電源應用在可再生能源系統(tǒng)中的優(yōu)勢

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      全球范圍內正在經歷一場能源革命。根據國際能源署的報告，到 2026 年，可再生能源將占全球能源增長量的大約 95%。太陽能將占到這 95% 中的一半以上。

      2023-07-06 標簽：德州儀器能源碳化硅 1.2k 0

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