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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

天津大學(xué)團(tuán)隊(duì)開創(chuàng)石墨烯半導(dǎo)體新紀(jì)元

石墨烯作為首個(gè)被發(fā)現(xiàn)可在室溫下穩(wěn)定存在的二維材料，具有寬帶光響應(yīng)、高載流子遷移率、高熱導(dǎo)率等特性，是制備體積更小、更節(jié)能且傳輸速度更快的電子元件的理想材料。

2024-01-08 標(biāo)簽：電子元件石墨烯碳化硅 1.2k 0

繼電器光耦的工作原理與應(yīng)用探討

繼電器光耦主要由發(fā)光二極管（LED）和光敏三極管（或光敏電阻）兩部分組成。發(fā)光二極管作為輸入端，當(dāng)輸入電流通過(guò)時(shí)，會(huì)發(fā)出特定波長(zhǎng)的光。

2024-02-27 標(biāo)簽：繼電器發(fā)光二極管光耦 1.2k 0

意法半導(dǎo)體生產(chǎn)200毫米碳化硅大晶圓，將用于功率器件原型設(shè)計(jì)

碳化硅（SiC）晶圓經(jīng)常出現(xiàn)在新聞中，這一事實(shí)預(yù)示著這種寬帶隙（WBG）材料作為顛覆性半導(dǎo)體技術(shù)的證書，適用于更小、更輕、更高效的電力電子設(shè)備。

2022-12-15 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車意法半導(dǎo)體碳化硅 1.2k 0

用于七種新型碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管晶體管

當(dāng)然，D2PAK-7L 的“主要”屬性是它外形扁平且表面貼裝，適用于功率密集 AC/DC、DC/DC 和逆變器產(chǎn)品的現(xiàn)代自動(dòng)化裝配技術(shù)。較舊的最終產(chǎn)品設(shè)...

2023-02-17 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管晶體管碳化硅 1.2k 0

碳化硅功率器件：革新電力電子的未來(lái)龍頭

在當(dāng)今追求高效能、高耐用性的電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件憑借其卓越性能，成為了領(lǐng)域內(nèi)的明星產(chǎn)品，它的出現(xiàn)預(yù)示著一次技術(shù)革命的悄然到來(lái)。

2024-04-26 標(biāo)簽：逆變器功率器件 SiC 1.2k 0

半導(dǎo)體碳化硅SiC制造工藝CMP后晶圓表面粗糙度檢測(cè)

在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，碳化硅（SiC）因其卓越的電導(dǎo)性、熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性而成為制作高功率和高頻電子器件的理想材料。然而，為了實(shí)現(xiàn)這些器件的高性能，必須對(duì)...

2025-08-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1.2k 0

驅(qū)動(dòng)IC兩級(jí)關(guān)斷（2LTO）確立為碳化硅MOSFET短路保護(hù)最佳配置的機(jī)理解析

驅(qū)動(dòng)IC兩級(jí)關(guān)斷（2LTO）確立為碳化硅MOSFET短路保護(hù)最佳配置的物理機(jī)制與工程原理深度研究報(bào)告傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功...

2025-12-20 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)IC 短路保護(hù) 1.2k 0

SiC MOSFET使用溝槽柵真的有必要嗎？

MOSFET全稱金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。

2023-08-24 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管體二極管 1.2k 0

激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中的精度提升策略

摘要本文針對(duì)激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中存在的精度問(wèn)題，深入分析影響測(cè)量精度的因素，從設(shè)備優(yōu)化、環(huán)境控制、數(shù)據(jù)處理等多個(gè)維度提出精度提升...

2025-08-12 標(biāo)簽：晶圓測(cè)量碳化硅 1.2k 0

碳化硅襯底 TTV 厚度不均勻性測(cè)量的特殊采樣策略

摘要本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度不均勻性測(cè)量需求，分析常規(guī)采樣策略的局限性，從不均勻性特征分析、采樣點(diǎn)布局優(yōu)化、采樣頻率確定等方面提出特殊采樣策略...

2025-08-27 標(biāo)簽：晶圓測(cè)量碳化硅 1.2k 0

碳化硅MOSFET B2M035120YP用于太陽(yáng)能逆變器

隨著光伏逆變器功率等級(jí)的不斷提高，光伏行業(yè)對(duì)功率器件的規(guī)格和散熱要求也越來(lái)越高。相比于傳統(tǒng)硅器件，碳化硅功率器件能帶來(lái)更高的轉(zhuǎn)換效率和更低的能量損耗，從...

2023-07-13 標(biāo)簽：MOSFET 太陽(yáng)能逆變器 1.2k 0

淺析電動(dòng)汽車傳動(dòng)優(yōu)化流程

盡管目前純電動(dòng)汽車 (BEVs) 在整個(gè)市場(chǎng)中所占的份額相對(duì)較小[1]，但預(yù)計(jì)在未來(lái) 5 至 10 年內(nèi)，純電動(dòng)汽車 (BEVs) 將開始取代傳統(tǒng)動(dòng)力系...

2023-07-12 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車變頻器變速器 1.2k 0

碳化硅晶圓劃片技術(shù)

碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體器件制造的核心材料，SiC 器件具有高頻、大功率、耐高溫、耐輻射、抗干擾、體積小、重量輕等諸多優(yōu)勢(shì)，是目前硅和砷化鎵等半導(dǎo)體材料所無(wú)...

2023-06-25 標(biāo)簽：激光器發(fā)光二極管 SiC 1.2k 0

碳化硅技術(shù)評(píng)估平臺(tái)

英飛凌設(shè)計(jì)的平臺(tái)，旨在通過(guò) TO247 3 和 4 引腳中的 EiceDRIVER IC 和 CoolSiC? MOSFET 突出 SiC 器件的性能。...

2022-08-05 標(biāo)簽：電源 MOSFET 半導(dǎo)體 1.2k 0

利用C2000實(shí)時(shí)MCU提高GaN數(shù)字電源設(shè)計(jì)實(shí)用性

與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對(duì)于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換...

2023-07-23 標(biāo)簽：mcu 數(shù)字電源 GaN 1.2k 0

安森美碳化硅MOSFET的持續(xù)演進(jìn)

隨著電動(dòng)汽車動(dòng)力總成和能源基礎(chǔ)設(shè)施對(duì)碳化硅(SiC)功率器件需求的增加，加速了市場(chǎng)的增長(zhǎng)。在這一過(guò)程中，終端用戶需求不斷提高以及日益增大的盈利壓力促使各...

2024-12-26 標(biāo)簽：MOSFET 安森美碳化硅 1.2k 0

安森美如何引領(lǐng)電源技術(shù)的綠色變革

在全球氣候變化日益嚴(yán)峻的背景下，節(jié)能減排已成為國(guó)際社會(huì)共同面臨的重大課題。各國(guó)政府紛紛出臺(tái)政策，推動(dòng)能源結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型和低碳經(jīng)濟(jì)發(fā)展，旨在實(shí)現(xiàn)《巴黎協(xié)定》設(shè)定...

2025-01-15 標(biāo)簽：安森美電源技術(shù)SiC 1.2k 0

貼片壓敏電阻的關(guān)鍵特性

貼片壓敏電阻的最大耐壓值可以因不同型號(hào)、規(guī)格及生產(chǎn)工藝而有所差異。一般來(lái)說(shuō)，貼片壓敏電阻的壓敏電壓范圍可以從較低的幾伏到較高的幾百伏甚至上千伏。具體來(lái)說(shuō)...

2024-09-20 標(biāo)簽：電流貼片壓敏電阻電壓 1.2k 0

碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量方法的優(yōu)劣勢(shì)對(duì)比評(píng)測(cè)

摘要本文對(duì)碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量的多種方法進(jìn)行系統(tǒng)性研究，深入對(duì)比分析原子力顯微鏡測(cè)量法、光學(xué)測(cè)量法、X 射線衍射測(cè)量法等在測(cè)量精度、效率、成本...

2025-08-09 標(biāo)簽：晶圓測(cè)量碳化硅 1.2k 0

怎樣通過(guò)并聯(lián)碳化硅MOSFET獲得更多功率呢？

為了劃分所涉及的功率并創(chuàng)建可以承受更多功率的器件，開關(guān)、電阻器和 MOSFET 并聯(lián)連接。

2023-08-29 標(biāo)簽：MOSFET 電阻器電源電路 1.2k 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來(lái)專注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS）及零電壓開關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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華星光電

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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。

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