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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06006E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝...
2025-02-26 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 1k 0
碳化硅MOSFET助力新能源汽車實(shí)現(xiàn)更出色的能源效率和應(yīng)用可靠性
碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能,是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。
【新啟航】如何解決碳化硅襯底 TTV 厚度測量中的各向異性干擾問題
摘要 本文針對碳化硅襯底 TTV 厚度測量中各向異性帶來的干擾問題展開研究,深入分析干擾產(chǎn)生的機(jī)理,提出多種解決策略,旨在提高碳化硅襯底 TTV 厚度測...
使用碳化硅 MOSFET 降低高壓開關(guān)模式電源系統(tǒng)的損耗
作者: Art Pini 從電動汽車 (EV) 和光伏 (PV) 逆變器到儲能和充電站,電力電子應(yīng)用的數(shù)量和多樣性持續(xù)增加。這些應(yīng)用需要更高的工作電壓、...
2025-05-25 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅開關(guān)模式電源 1k 0
SiC SBD-P3D06010T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06010T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝。該產(chǎn)品通過 AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開關(guān)...
2025-02-28 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 1k 0
碳化硅晶體是一種性能優(yōu)異的半導(dǎo)體材料,在信息、交通、能源、航空、航天等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用。春節(jié)期間,中科院物理研究所科研團(tuán)隊(duì)們正在探索用一種新的方法生長碳...
2023-01-31 標(biāo)簽:碳化硅 1k 0
SiC SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220-2 封裝,符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流...
碳化硅MOSFET的關(guān)鍵技術(shù)和模塊設(shè)計
碳化硅MOSFET技術(shù)是一種半導(dǎo)體技術(shù),它可以用于控制電流和電壓,以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數(shù),以確定電子設(shè)備是否正常工作。
毫無疑問,寬帶隙 (WBG) 技術(shù)已得到廣泛應(yīng)用。碳化硅(SiC) 和氮化鎵 (GaN) 晶體管正迅速成為工業(yè)、消費(fèi)類及其他電源應(yīng)用領(lǐng)域的首選器件。
2024-05-06 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器晶體管GaN 999 0
SiC SBD-P3D06010I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06010I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220I - 2 封裝。通過 AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開關(guān)、零反向...
2025-02-28 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 996 0
PCIM2025論文摘要 | 太陽能系統(tǒng)的高效率碳化硅 MOSFET 解決方案
本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布內(nèi)容摘要隨著新能源技術(shù)的不斷發(fā)展,系統(tǒng)對電力電子變流器的要求也越來越高。高效率、高可靠性和高功率密度越來越受到設(shè)計人員的...
2025-09-17 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅太陽能系統(tǒng) 993 0
碳化硅功率器件主要應(yīng)用于新能源車的電驅(qū)電控系統(tǒng),相較于傳統(tǒng)硅基 功率半導(dǎo)體器件,碳化硅功率器件在耐壓等級、開關(guān)損耗和耐高溫性方面具備許多明顯的優(yōu)勢,有助...
SiC SBD-P3D06008G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06008G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開關(guān)、零反...
2025-02-27 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 992 0
SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06008I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220I - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。封...
2025-02-27 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 984 0
SiC SBD-P3D06006F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06006F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220F - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具有...
2025-02-26 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 983 0
碳化硅MOSFET在家庭儲能(雙向逆變,中大充)的應(yīng)用優(yōu)勢
傾佳電子楊茜以國產(chǎn)碳化硅MOSFET B3M040065L和超結(jié)MOSFET對比,并以在2000W家用雙向逆變器應(yīng)用上具體分析BASiC基本股份B3M0...
2 kV SiC功率模塊:推動1500 V系統(tǒng)的革命
由于在可靠性、成本和系統(tǒng)級價值方面的顯著提升,具有1700V阻斷電壓的碳化硅(SiC)在工業(yè)電力轉(zhuǎn)換中變得越來越普遍。通過將最新一代SiC芯片的阻斷電壓...
聚氨酯研磨墊磨損狀態(tài)與晶圓 TTV 均勻性的退化機(jī)理及預(yù)警
摘要 本文圍繞半導(dǎo)體晶圓研磨工藝,深入剖析聚氨酯研磨墊磨損狀態(tài)與晶圓 TTV 均勻性的退化關(guān)系,探究其退化機(jī)理,并提出相應(yīng)的預(yù)警方法,為保障晶圓研磨質(zhì)量...
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