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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

基于多物理場(chǎng)耦合的晶圓切割振動(dòng)控制與厚度均勻性提升

一、引言在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓切割是關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其質(zhì)量直接影響芯片性能與成品率。晶圓切割過(guò)程中，熱場(chǎng)、力場(chǎng)、流場(chǎng)等多物理場(chǎng)相互耦合，引發(fā)切割振動(dòng)，嚴(yán)重...

2025-07-07 標(biāo)簽：晶圓碳化硅新啟 824 0

碳化硅 TTV 厚度在 CMP 工藝中的反饋控制機(jī)制研究

一、引言化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝是實(shí)現(xiàn)碳化硅（SiC）襯底全局平坦化的關(guān)鍵技術(shù)，對(duì)提升襯底質(zhì)量、保障后續(xù)器件性能至關(guān)重要?？偤穸绕睿═TV）作為衡...

2025-09-11 標(biāo)簽：CMP 碳化硅拋光 820 0

【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度在光刻工藝中的反饋控制優(yōu)化研究

一、引言玻璃晶圓在半導(dǎo)體制造、微流控芯片等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，光刻工藝作為決定器件圖案精度與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對(duì)玻璃晶圓的質(zhì)量要求極為嚴(yán)苛 ?？偤穸绕睿═...

2025-10-09 標(biāo)簽：晶圓光刻碳化硅 817 0

DC/DC諧振變換技術(shù)的深度解析：核心原理、演進(jìn)趨勢(shì)

傾佳電子旨在從深度技術(shù)視角出發(fā)，系統(tǒng)性地剖析DCDC諧振變換的核心運(yùn)行機(jī)理與拓?fù)溲葸M(jìn)邏輯，并結(jié)合最新的碳化硅功率器件技術(shù)參數(shù)，深入探討SiC MOSFE...

2025-12-11 標(biāo)簽：MOSFET 諧振變換碳化硅 817 0

碳化硅襯底厚度測(cè)量探頭溫漂與材料各向異性的耦合影響研究

在碳化硅襯底厚度測(cè)量中，探頭溫漂與材料各向異性均會(huì)影響測(cè)量精度，且二者相互作用形成耦合效應(yīng)。深入研究這種耦合影響，有助于揭示測(cè)量誤差根源，為優(yōu)化測(cè)量探頭...

2025-06-11 標(biāo)簽：測(cè)量碳化硅晶圓厚度 814 0

自動(dòng)對(duì)刀技術(shù)對(duì)碳化硅襯底切割起始位置精度的提升及厚度均勻性優(yōu)化

摘要：碳化硅襯底切割對(duì)起始位置精度與厚度均勻性要求極高，自動(dòng)對(duì)刀技術(shù)作為關(guān)鍵技術(shù)手段，能夠有效提升切割起始位置精度，進(jìn)而優(yōu)化厚度均勻性。本文深入探討自動(dòng)...

2025-06-26 標(biāo)簽：碳化硅晶圓厚度 TTV厚度 814 0

一文讀懂全球碳化硅先驅(qū)GeneSiC

憑借領(lǐng)先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強(qiáng)力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產(chǎn)品組合，納微半導(dǎo)體以雙擎驅(qū)動(dòng)的姿態(tài)在電力電子能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域高歌前進(jìn)。

2023-02-27 標(biāo)簽：MOSFET SiC 氮化鎵 810 0

解析Wolfspeed頂部散熱碳化硅功率器件

面對(duì)電力電子應(yīng)用與日俱增的需求，高電壓系統(tǒng)研發(fā)工程師正更多地轉(zhuǎn)向采用碳化硅 (SiC) 方案，借助其固有的溫度特性和開關(guān)性能優(yōu)勢(shì)。工程師們常常面臨多方面...

2025-09-17 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 807 0

Wolfspeed碳化硅MOSFET滿足高功率應(yīng)用的需要

碳化硅（SiC）技術(shù)帶來(lái)了無(wú)限的新機(jī)會(huì)。只要存在對(duì)高可靠性功率系統(tǒng)的需求，碳化硅 MOSFET 就能在許多行業(yè)中的許多不同應(yīng)用（包括必須在惡劣環(huán)境中工作...

2023-07-17 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器 IGBT 789 0

碳化硅功率器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

碳化硅具有比硅更高的熱導(dǎo)率、更寬的能帶寬度和更高的電子飽和漂移速度。這些特性使得SiC功率器件在高溫、高頻以及高電壓應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

2024-04-09 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 785 0

碳化硅襯底切割進(jìn)給量與磨粒磨損狀態(tài)的協(xié)同調(diào)控模型

摘要：碳化硅襯底切割過(guò)程中，進(jìn)給量與磨粒磨損狀態(tài)緊密關(guān)聯(lián)，二者協(xié)同調(diào)控對(duì)提升切割質(zhì)量與效率至關(guān)重要。本文深入剖析兩者相互作用機(jī)制，探討協(xié)同調(diào)控模型構(gòu)建方...

2025-06-25 標(biāo)簽：碳化硅晶圓厚度 TTV 785 0

中科院8英寸SiC導(dǎo)電單晶研制成功

8英寸SiC晶體生長(zhǎng)的難點(diǎn)在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解決大尺寸帶來(lái)的溫場(chǎng)不均勻和氣相原料分布和輸運(yùn)效率問(wèn)題。

2023-07-05 標(biāo)簽：SiC 碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 783 0

安森美1200V碳化硅MOSFET：NTH4L013N120M3S的特性與應(yīng)用分析

在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能，正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。今天，我們就來(lái)深入探討安森美（onsemi）推出的一款1...

2025-12-04 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅 775 0

聚焦器件可靠性、柵極驅(qū)動(dòng)器創(chuàng)新和總體系統(tǒng)解決方案

碳化硅 (SiC) 技術(shù)能在大幅提高當(dāng)前電力系統(tǒng)效率的同時(shí)降低其尺寸、重量和成本，因此市場(chǎng)需求不斷攀升。但是SiC 解決方案并不是硅基解決方案的直接替代...

2023-05-17 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 SiC 碳化硅 772 0

【新啟航】探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x的操作規(guī)范與技巧

摘要本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x，系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實(shí)用技巧，通過(guò)規(guī)范測(cè)量流程、分享操作要點(diǎn)，旨在提高測(cè)量準(zhǔn)確性與效率，為半導(dǎo)體制造...

2025-08-20 標(biāo)簽：晶圓測(cè)量?jī)x 碳化硅 771 0

【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中表面粗糙度對(duì)結(jié)果的影響研究

摘要本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量過(guò)程，深入探究表面粗糙度對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響機(jī)制，通過(guò)理論分析與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，揭示表面粗糙度與測(cè)量誤差的關(guān)聯(lián)，為優(yōu)化碳...

2025-08-18 標(biāo)簽：測(cè)量碳化硅碳化 770 0

碳化硅功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)勢(shì)和現(xiàn)狀

中低壓產(chǎn)品性能可靠性滿足應(yīng)用要求，產(chǎn)品耐壓提升到2000V及以上. 產(chǎn)品發(fā)展到第三代，采用新型柵氧、溝槽結(jié)構(gòu)、集成肖特基二極管等技術(shù).

2023-06-12 標(biāo)簽：二極管 SiC 碳化硅 765 0

納微半導(dǎo)體GeneSiC碳化硅MOSFETs為高頻充電樁實(shí)現(xiàn)最佳充電效果

碳化硅(SiC)是一種新的“寬禁帶”功率半導(dǎo)體材料，正在快速取代傳統(tǒng)硅功率芯片，應(yīng)用于可再生能源、儲(chǔ)能、微網(wǎng)、電動(dòng)汽車和工業(yè)應(yīng)用等高功率、高壓應(yīng)用領(lǐng)域。

2023-06-07 標(biāo)簽：功率器件充電樁碳化硅 753 0

安森美SiC MOSFET NTBG025N065SC1：高效能與可靠性的完美結(jié)合

作為電子工程師，我們?cè)谠O(shè)計(jì)中常常追求高性能、高可靠性的電子元件。今天，我將為大家詳細(xì)介紹安森美（onsemi）的一款碳化硅（SiC）MOSFET——NT...

2025-12-05 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 752 0

【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度測(cè)量數(shù)據(jù)異常的快速定位與解決方案

一、引言玻璃晶圓總厚度偏差（TTV）測(cè)量數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性，對(duì)半導(dǎo)體器件、微流控芯片等產(chǎn)品的質(zhì)量把控至關(guān)重要。在實(shí)際測(cè)量過(guò)程中，數(shù)據(jù)異常情況時(shí)有發(fā)生，不...

2025-09-29 標(biāo)簽：晶圓厚度測(cè)量碳化硅 752 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
TI公司

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TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問(wèn)題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?chǔ)數(shù)據(jù)，無(wú)線鏈路可用時(shí)再行處理。
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廣州金升陽(yáng)科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來(lái)專注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS）及零電壓開關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無(wú)需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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閃存是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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華星光電

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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。

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