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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

車規(guī)碳化硅功率肖特基二極管簡述

在新能源汽車市場快速發(fā)展的背景下，車載功率半導(dǎo)體需求量激增，其中，碳化硅功率器件憑借更低的能量損耗、更小的封裝尺寸、更高的開關(guān)頻率、更強(qiáng)的耐高溫及散熱能...

2023-08-10 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體 DC-DC 955 0

【新啟航】碳化硅 TTV 厚度與表面粗糙度的協(xié)同控制方法

摘要本文圍繞碳化硅晶圓總厚度變化（TTV）厚度與表面粗糙度的協(xié)同控制問題，深入分析二者的相互關(guān)系及對器件性能的影響，從工藝優(yōu)化、檢測反饋等維度提出協(xié)...

2025-09-04 標(biāo)簽：晶圓器件碳化硅 950 0

碳化硅肖特基二極管B2D60120H1性能優(yōu)勢

碳化硅的RDS（ON）較低，因而開關(guān)損耗也較低，通常比硅低100倍?；谔蓟璧男ぬ鼗O管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在電...

2023-05-18 標(biāo)簽：電源模塊肖特基二極管充電樁 949 0

SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P6D06004T2 為 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2封裝。具有超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正...

2025-02-25 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊 948 0

SiC外延片是SiC產(chǎn)業(yè)鏈條的核心環(huán)節(jié)嗎？

碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。

2023-08-03 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體 SiC 948 0

SiC SBD-P3D06008E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06008E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 252 - 2 封裝。通過 AEC - Q101認(rèn)證，具備超快速開關(guān)、零反...

2025-02-28 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊 934 0

【新啟航】碳化硅外延片 TTV 厚度與生長工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)性研究

一、引言碳化硅外延片作為功率半導(dǎo)體器件的核心材料，其總厚度偏差（TTV）是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響器件的性能與可靠性。外延片的 TTV 厚...

2025-09-18 標(biāo)簽：碳化硅外延片功率半導(dǎo)體器件 933 0

SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06004G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn)，具備超快速開關(guān)、零反...

2025-02-25 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊 931 0

SiC SBD-P3D06006T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06006T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具...

2025-02-26 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊 930 0

碳化硅二極管在各個領(lǐng)域的應(yīng)用

碳化硅（SiC）是一種高性能的半導(dǎo)體材料，基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性，可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限，成為新能...

2023-02-03 標(biāo)簽：肖特基二極管半導(dǎo)體材料 SiC 924 0

碳化硅為什么如此火爆呢

隨著新能源汽車市場的爆發(fā)，電動汽車已經(jīng)成為碳化硅最大的下游應(yīng)用市場，行業(yè)普遍預(yù)估，2027年車用碳化硅功率器件市場規(guī)模能達(dá)到60億美元。

2023-09-11 標(biāo)簽：逆變器功率器件 SiC 923 0

超薄晶圓切割：振動控制與厚度均勻性保障

超薄晶圓因其厚度極薄，在切割時對振動更為敏感，易影響厚度均勻性。我將從分析振動對超薄晶圓切割的影響出發(fā)，探討針對性的振動控制技術(shù)和厚度均勻性保障策略。 ...

2025-07-09 標(biāo)簽：晶圓切割碳化硅 909 0

SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06008T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封...

2025-02-27 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊 908 0

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一文讀懂碳化硅設(shè)計中的熱管理

? 隨著我們尋求更強(qiáng)大、更小型的電源解決方案，碳化硅 (SiC) 等寬禁帶 (WBG) 材料變得越來越流行，特別是在一些具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用領(lǐng)域，如汽車驅(qū)動...

2023-10-16 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器 SiC 905 0

基于機(jī)器視覺的碳化硅襯底切割自動對刀系統(tǒng)設(shè)計與厚度均勻性控制

一、引言碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，以其卓越的物理化學(xué)性能，在新能源汽車、軌道交通、5G 通信等關(guān)鍵領(lǐng)域展現(xiàn)出不可替代的作用。然而，...

2025-06-30 標(biāo)簽：晶圓機(jī)器視碳化硅 904 0

SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06006G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝...

2025-02-26 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊 898 0

碳化硅將推動車載充電技術(shù)隨電壓等級的提高而發(fā)展

無論是 1 級還是 2 級充電器，都是為電動汽車提供交流電，因此車載充電器是將交流輸入轉(zhuǎn)換為直流輸出來為電池充電的關(guān)鍵。目前，市面部署的大多數(shù)充電器都是...

2023-09-20 標(biāo)簽：混合動力汽車電力系統(tǒng)碳化硅 888 0

碳化硅功率半導(dǎo)體在新能源汽車的應(yīng)用機(jī)遇

電動化成為汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展的潮流和趨勢，對高速充電的需求持續(xù)提升，而硅的溫度、頻率、功率等性能難以提高，因此具備高能效、低能耗等特征的碳化硅(SiC) 半導(dǎo)...

2023-11-29 標(biāo)簽：新能源汽車驅(qū)動系統(tǒng)半導(dǎo)體材料 882 0

碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)有哪些呢？

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。

2023-08-03 標(biāo)簽：振蕩器電磁干擾 BGA封裝 881 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
FinFET

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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
20nm

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村田

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TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運(yùn)營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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Mobileye在單目視覺高級駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測（HMW）、行人探測、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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CC2541 是一款針對低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時存儲器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進(jìn)行提取。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。

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