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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

森國(guó)科推出最小封裝碳化硅二極管具備高浪涌電流和雪崩能力

TO-220-2L封裝散熱效果最佳，但是相對(duì)來(lái)說(shuō)占用空間； TO-252-2L封裝具備優(yōu)秀的散熱能力，體積上也有一定的優(yōu)勢(shì)，在應(yīng)用場(chǎng)景上的利用率較高。

2023-07-13 標(biāo)簽：二極管 pcb 電解電容 1.2k 0

新能源汽車使用碳化硅功率器件已是必然的變革

森國(guó)科碳化硅MOS第三代功率半導(dǎo)體新能源汽車系統(tǒng)架構(gòu)中涉及到功率半導(dǎo)體應(yīng)用的組件包括：電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、車載充電系統(tǒng)（OBC）、電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)（車載?DC/...

2023-07-03 標(biāo)簽：新能源汽車 MOSFET 功率器件 1.2k 0

富昌電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中心SiC版逆變器方案

該方案基于NXP Power架構(gòu)主控MCU平臺(tái)，融合了ON隔離預(yù)驅(qū)芯片及碳化硅功率器件，以及NXP電源管理芯片，可實(shí)現(xiàn)汽車功能安全標(biāo)準(zhǔn)ISO26262的...

2022-10-31 標(biāo)簽：逆變器碳化硅 SiC MOSFET 1.2k 0

碳化硅功率器件的應(yīng)用和發(fā)展

碳化硅功率器件是一種新型的半導(dǎo)體器件，由于其具有高溫工作能力、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高電子遷移率等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于許多領(lǐng)域，包括電動(dòng)汽車、可再生能源、工業(yè)電機(jī)和...

2023-08-08 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體功率器件 1.2k 0

全碳化硅直流充電設(shè)備技術(shù)研究案例

圍繞碳化硅功率器件高頻率、高耐壓、耐高溫的性能,提出一套適用于新能源汽車直流充電設(shè)備的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)方案,

2024-02-20 標(biāo)簽：新能源汽車功率器件碳化硅 1.2k 0

【新啟航】便攜式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量設(shè)備的性能與適用場(chǎng)景

摘要本文圍繞便攜式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量設(shè)備，深入分析其測(cè)量精度、速度、便攜性等性能指標(biāo)，并結(jié)合半導(dǎo)體生產(chǎn)車間、科研實(shí)驗(yàn)室、現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)等場(chǎng)景，探討...

2025-08-29 標(biāo)簽：晶圓測(cè)量設(shè)備碳化硅 1.2k 0

新能源電驅(qū)動(dòng)核心的技術(shù)有哪些？

另外相比IGBT，碳化硅更耐高壓的優(yōu)勢(shì)（千伏以上），更適用于后續(xù)更多新能源車型將要搭載的800v電氣架構(gòu)，不止用在主逆變器上，還可以應(yīng)用到高壓充電樁、高...

2023-03-30 標(biāo)簽：電機(jī)控制減速器碳化硅 1.2k 0

SiC MOSFET的重要注意事項(xiàng)

綠色倡議持續(xù)推動(dòng)工業(yè)、航空航天和國(guó)防應(yīng)用，尤其是運(yùn)輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)型。碳化硅（SiC）是引領(lǐng)這一趨勢(shì)的核心技術(shù)，可提供多種新功能不斷推動(dòng)各種車...

2023-07-11 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1.2k 0

大功率碳化硅二極管的應(yīng)用

由于碳化硅材料的帶隙很寬（4H型碳化硅在室溫下約為3.26eV），碳化硅器件能夠在很高的溫度下工作而不至于因?yàn)楸菊鬏d流子激發(fā)導(dǎo)致器件性能失效。碳化硅材料...

2023-02-09 標(biāo)簽：電場(chǎng)碳化硅大功率器件 1.2k 0

探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用場(chǎng)景

碳化硅功率器件利用SiC半導(dǎo)體材料制成。SiC是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有比硅（Si）更高的電子飽和漂移速度和熱導(dǎo)率，以及更高的臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度。

2024-03-14 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 1.2k 0

國(guó)內(nèi)企業(yè)逐步切入，國(guó)產(chǎn)碳化硅器件存在突圍機(jī)會(huì)

在車載充電器領(lǐng)域，碳化硅MOSFET的滲透率已很高。電機(jī)控制器將是近幾年碳化硅MOSFET要更高速發(fā)展的關(guān)鍵因素。

2023-03-31 標(biāo)簽：MOSFET 光伏逆變器碳化硅 1.2k 0

碳化硅上的氮化鎵是唯一可行的長(zhǎng)期5G解決方案

5G還圍繞提供滿足帶寬、延遲和數(shù)據(jù)速度新要求的連接所需的技術(shù)和基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計(jì)帶來(lái)了新的思維。它不僅需要在宏觀層面實(shí)現(xiàn)致密化——這意味著更多的基站——還需要...

2023-05-24 標(biāo)簽：GaN 碳化硅 5G 1.1k 0

碳化硅二極管優(yōu)于硅二極管的8大原因

在額定電壓相同的情況下，SiC二極管占用的空間比Si更小。

2023-07-26 標(biāo)簽：二極管 emi SiC 1.1k 0

薩科微光耦SL3063應(yīng)用解決方案

光耦的主要作用是電氣絕緣和信號(hào)隔離，優(yōu)點(diǎn)是其輸入端與輸出端完全實(shí)現(xiàn)了電氣隔離，抗干擾能力強(qiáng)，使用壽命長(zhǎng)，傳輸效率高。

2023-05-17 標(biāo)簽：光耦功率器件碳化硅 1.1k 0

基于碳化硅的可再生能源系統(tǒng)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

太陽(yáng)能逆變器和ESS應(yīng)用以及其他可再生能源系統(tǒng)正在使能源網(wǎng)現(xiàn)代化，以提高彈性，滿足全球能源需求并減少其整體碳足跡。這些系統(tǒng)必須在惡劣的環(huán)境中盡可能高效，...

2023-09-06 標(biāo)簽：MOSFET 太陽(yáng)能逆變器 1.1k 0

借助SpeedFit設(shè)計(jì)仿真軟件縮短比較分析的時(shí)間

相較于基于硅（Si）或絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）之類的傳統(tǒng)技術(shù)，碳化硅（SiC）元件擁有明顯的優(yōu)點(diǎn)，因此很多應(yīng)用都能從運(yùn)用 SiC 器件中獲益。

2023-05-22 標(biāo)簽：IGBT 晶體管 SiC 1.1k 0

一文了解SiC碳化硅扥性能優(yōu)勢(shì)和使用場(chǎng)景

碳化硅(SiC) 是第三代半導(dǎo)體，相較于前兩代半導(dǎo)體(一代硅，二代砷化鉀)碳化硅在使用極限性能，上優(yōu)于硅襯底，可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的...

2023-01-16 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 1.1k 0

汽車碳化硅技術(shù)原理技術(shù)指標(biāo)有哪些

　　汽車碳化硅技術(shù)是一種利用碳化硅材料制作汽車零部件的技術(shù)，它可以提高汽車零部件的性能，提高汽車的效率、耐久性和可靠性，并且可以降低汽車的成本。

2023-02-16 標(biāo)簽：發(fā)動(dòng)機(jī)碳化硅 1.1k 0

碳化硅功率器件的工作原理

碳化硅功率器件的核心在于其能夠在極端條件下高效地控制電力的流動(dòng)。SiC材料的寬帶隙特性意味著它在高溫下仍能維持較高的能量障礙，從而保持穩(wěn)定的半導(dǎo)體特性。

2024-03-26 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 1.1k 0

PCB材料選擇與性能比較

PCB板被廣泛應(yīng)用于電子行業(yè)，作為電子設(shè)備的重要組成部分之一，負(fù)責(zé)連接各種電子元件。

2023-06-08 標(biāo)簽：PCB板電磁場(chǎng)碳化硅 1.1k 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來(lái)專注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS）及零電壓開關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。

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碳化硅

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