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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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上海市政府就中科鋼研先進(jìn)晶體產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目簽訂合作協(xié)議
為了構(gòu)筑新時代戰(zhàn)略優(yōu)勢,更好地服務(wù)改革發(fā)展大局,國務(wù)院國資委與上海市政府深化合作共同推進(jìn)落實(shí)國家戰(zhàn)略合作簽約儀式于9月5日下午在上海隆重舉行,上海市委書...
2019-09-16 標(biāo)簽:碳化硅 4.2k 0
基于碳化硅技術(shù)的汽車充電方案布局加速!廣汽等4家企業(yè)采用
2024年以來,包括廣汽集團(tuán)等4家企業(yè)均推出了基于碳化硅技術(shù)的汽車充電方案,意味著碳化硅有望在充電基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用
2024-01-29 標(biāo)簽:SiCdcdc轉(zhuǎn)換器碳化硅 4.2k 0
英飛凌發(fā)布2021財年第四季度及全年財報,業(yè)績創(chuàng)下新紀(jì)錄
英飛凌科技股份公司公布了截至2021年9月30日的2021財年第四季度及全年業(yè)績。
碳化硅的發(fā)現(xiàn)將會成為更高效的半導(dǎo)體材料
在功率電子學(xué)中,半導(dǎo)體基于元素硅 - 但碳化硅的能量效率會高得多。巴塞爾大學(xué)的物理學(xué)家,Paul Scherrer研究所和ABB在科學(xué)期刊“應(yīng)用物理快報...
納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日宣布一項(xiàng)重要人事任命:納微董事會已決定聘任Chris Allexandre為公司總裁兼首席執(zhí)行官,自2025...
2025-08-29 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅納微半導(dǎo)體 4.2k 0
浙江省首個第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目設(shè)計年產(chǎn)能將達(dá)8萬片
2018年,中電化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶在杭州灣新區(qū)。目前,該項(xiàng)目的6英寸碳化硅襯底及外延片、碳化硅基氮化鎵外延片已進(jìn)入客戶認(rèn)證階段。預(yù)計最快明年便能實(shí)現(xiàn)量...
按照電學(xué)性能的不同,碳化硅材料制成的器件分為導(dǎo)電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件,兩種類型碳化硅器件的終端應(yīng)用領(lǐng)域不同。導(dǎo)電型碳化硅功率器件是通...
集成電路訂單突破億級,2019年海特高新營業(yè)收入同比增加55.52%
海特高新發(fā)布2019年業(yè)績快報稱,公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入80,187.88萬元,較上年同期增加55.52%;實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東凈利潤7,549.26萬元,...
蘋果已通知供應(yīng)商,iPhone 13需求已經(jīng)減弱;博世宣布12月啟動碳化硅芯片量產(chǎn)……
豐田擬在華推新電動汽車 采用比亞迪電池和工程技術(shù) ? 據(jù)外媒報道,豐田汽車公司將于明年底在中國推出一款全電動小型轎車,該公司已向當(dāng)?shù)睾献骰锇楸葋喌蠈で箨P(guān)...
海外大廠調(diào)低2024營收預(yù)期,碳化硅市場增長到頂了?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)今年年初SiC產(chǎn)業(yè)鏈主要廠商在公布2023年業(yè)績時,都對2024年的市場作出了預(yù)測,其中大部分都對增長預(yù)期較為樂觀。不過今...
2024-05-15 標(biāo)簽:英飛凌意法半導(dǎo)體SiC 4.1k 0
特斯拉碳化硅技術(shù)怎么樣?特斯拉碳化硅技術(shù)成熟嗎?
特斯拉碳化硅技術(shù)怎么樣?特斯拉碳化硅技術(shù)成熟嗎? 大家都知道碳化硅具有高功率、耐高壓、耐高溫等優(yōu)點(diǎn),碳化硅技術(shù)能夠幫助電動汽車實(shí)現(xiàn)快速充電,增加續(xù)航;這...
安徽微芯嘉定中試基地啟動,計劃生產(chǎn)4英寸2150片;6英寸240片
1月30日,安徽微芯長江半導(dǎo)體材料有限公司嘉定中試基地啟動儀式在中科院上海硅酸鹽研究所舉行。 據(jù)悉,該基地2021年計劃目標(biāo)為生產(chǎn)4英寸2150片;6英...
碳化硅(SiC)功率器件在新能源汽車中的深入應(yīng)用解析
采用多芯片并聯(lián)的SiC功率模塊,會產(chǎn)生較嚴(yán)重的電磁干擾和額外損耗,無法發(fā)揮SiC器件的優(yōu)良性能;SiC功率模塊雜散參數(shù)較大,可靠性不高。 (2)SiC功...
中科鋼研集成電路產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目將確保本年9月份竣工投產(chǎn) 建成后將使我國擺脫碳化硅晶體襯底片依賴進(jìn)口的尷
據(jù)青島日報報道,中科鋼研集成電路產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目負(fù)責(zé)人張翠榮表示,將按照萊西市‘掛圖作戰(zhàn)’的門路圖,以作戰(zhàn)姿態(tài)盡力推進(jìn),確保本年9月份竣工投產(chǎn)。
國產(chǎn)SIC MOSFET功率器件推出1200V大電流MOSFET獲得車規(guī)認(rèn)證
2022年11月,上海瞻芯電子開發(fā)的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過了車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101),該產(chǎn)品為TO247...
第一代半導(dǎo)體材料主要是指硅(Si)、鍺(Ge)半導(dǎo)體材料,興起于二十世紀(jì)五十年代,帶動了以集成電路為核心的微電子產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,被廣泛的應(yīng)用于消費(fèi)電子、...
2023-11-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 4k 0
碳化硅mosfet有哪些主要參數(shù) 碳化硅MOSFET相關(guān)的主要參數(shù)包括: 1. 閾值電壓(Vth)- 這是MOSFET開啟的電壓。隨著Vth的增加,MO...
國投創(chuàng)業(yè)官方消息顯示,第三代半導(dǎo)體碳化硅單晶襯底企業(yè)河北同光晶體有限公司(簡稱“同光晶體”)完成A輪融資,投資方包括:國投創(chuàng)業(yè)等。本輪融資助力同光晶體實(shí)...
同時,結(jié)合浸淫多年的多管并聯(lián)技術(shù),特斯拉可以在其電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)中,按照不同的功率等級選擇不同數(shù)量的TPAK并聯(lián),并根據(jù)不同的效率和成本要求選擇碳化硅M...
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