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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

Wolfspeed攜手盛弘股份,為電能質(zhì)量帶來(lái)碳化硅解決方案

盛弘股份電能質(zhì)量事業(yè)部總經(jīng)理趙龍騰表示:“為了滿足對(duì)于具有更高效率、更高功率密度、更小體積和更輕重量的電能質(zhì)量解決方案日益增長(zhǎng)的需求,我們與 Wolfs...

2023-06-26 標(biāo)簽:電能質(zhì)量碳化硅Wolfspeed 1.6k 0

納微半導(dǎo)體即將亮相亞洲充電展

納微半導(dǎo)體,作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者,以及氮化鎵和碳化硅功率芯片技術(shù)的引領(lǐng)者,近日宣布將亮相于2024年3月20日至22日在深圳福田會(huì)展中心舉辦的亞洲...

2024-03-16 標(biāo)簽:碳化硅功率芯片納微半導(dǎo)體 1.6k 0

濰柴動(dòng)力發(fā)布SiC項(xiàng)目招標(biāo),SiC進(jìn)軍已指日可待

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值得關(guān)注的是,根據(jù) Statista 數(shù)據(jù)庫(kù)的統(tǒng)計(jì),2020年全球工程機(jī)械市場(chǎng)規(guī)模約為 1363 億美元,預(yù)計(jì)2030年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 2346 億美元...

2023-12-26 標(biāo)簽:IGBTSiC碳化硅 1.6k 0

吉利汽車與ST簽署碳化硅(SiC)器件長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議

服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱ST)與全球汽車及新能源汽車龍頭制造商吉利汽車集團(tuán)宣布,雙方簽署碳化硅(SiC)器件長(zhǎng)期供...

2024-06-04 標(biāo)簽:電子電器碳化硅吉利汽車 1.6k 0

央企引領(lǐng)芯片創(chuàng)新,萬(wàn)年芯助力重點(diǎn)領(lǐng)域突破

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在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時(shí)代,芯片等高新科技領(lǐng)域的創(chuàng)新成為了國(guó)家經(jīng)濟(jì)發(fā)展的核心動(dòng)力。近日,國(guó)務(wù)院國(guó)資委、國(guó)家發(fā)改委發(fā)布《關(guān)于規(guī)范中央企業(yè)采購(gòu)管理工作的指導(dǎo)意...

2024-08-14 標(biāo)簽:SiC功率模塊IPM 1.6k 0

大面積燒結(jié)銀AS9387成為碳化硅功率器件封裝的首選

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2024-08-09 標(biāo)簽:封裝功率器件碳化硅 1.6k 0

羅姆收購(gòu)Solar Frontier碳化硅工廠 計(jì)劃到2027碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)達(dá)139億

羅姆收購(gòu)Solar Frontier碳化硅工廠 計(jì)劃到2027碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)達(dá)139億 羅姆一直看好碳化硅功率半導(dǎo)體的發(fā)展,一直在積極布局碳化硅業(yè)...

2023-07-19 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體碳化硅羅姆 1.6k 0

汽車領(lǐng)域?qū)⑹俏磥?lái)碳化硅最大的應(yīng)用市場(chǎng)

SiC功率器件下游應(yīng)用廣泛,市場(chǎng)快速放量。得益于優(yōu)異的能源轉(zhuǎn)換效率,碳化硅功率器件在電動(dòng)汽車/充電樁、光伏新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、家電等領(lǐng)域 均有廣...

2022-09-19 標(biāo)簽:功率器件碳化硅 1.6k 0

芯長(zhǎng)征SiC功率模塊榮獲2025金芯獎(jiǎng)新銳產(chǎn)品獎(jiǎng)

此前,2025年5月14日至15日,第十二屆汽車電子創(chuàng)新大會(huì)(AEIF 2025)在上海盛大舉行,這場(chǎng)盛會(huì)聚焦汽車電子產(chǎn)業(yè)的前沿技術(shù)與發(fā)展趨勢(shì),匯聚了眾...

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意法半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)品2023年?duì)I收同比增長(zhǎng)超60%

意法半導(dǎo)體近日發(fā)布了2023年全年財(cái)報(bào),財(cái)報(bào)顯示,意法半導(dǎo)體在2023年全年實(shí)現(xiàn)了凈營(yíng)收172.9億美元(折合人民幣約1241億元),同比增長(zhǎng)7.2%。...

2024-02-04 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體SiC碳化硅 1.6k 0

安富利攜手安森美推動(dòng)風(fēng)光儲(chǔ)充一體化發(fā)展

隨著碳中和目標(biāo)持續(xù)推進(jìn),新能源發(fā)展已進(jìn)入全新的階段,風(fēng)能、光能作為新能源領(lǐng)域的先鋒力量,正在以快速的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)推動(dòng)這場(chǎng)綠色能源革命。為破解新能源消納瓶頸,...

2024-12-04 標(biāo)簽:太陽(yáng)能安富利能源 1.6k 0

MPRA1C65-S61 650V 碳化硅功率模塊詳解

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今天我們來(lái)講一款FSTSICDIODE模塊MPRA1C65-S61,這款SiCModule可以適用更高的開關(guān)頻率,可忽略的反向恢復(fù)與開關(guān)損耗,大大的提高...

2024-05-27 標(biāo)簽:SiCModule碳化硅 1.6k 0

江西薩瑞微榮獲"2024全國(guó)第三代半導(dǎo)體制造最佳新銳企業(yè)"稱號(hào)

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快速發(fā)展與創(chuàng)新實(shí)力在2024全國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會(huì)上,江西薩瑞微電子科技有限公司榮獲"2024全國(guó)第三代半導(dǎo)體制造最佳新銳企業(yè)"...

2024-10-31 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體制造碳化硅 1.6k 0

碳化硅邁入新時(shí)代,ST 25年研發(fā)突破技術(shù)挑戰(zhàn)

SiC的發(fā)展歷史不僅引人入勝,而且情節(jié)緊張激烈,因?yàn)榻葑阆鹊遣拍苋〉孟葯C(jī)。SiC特性在20世紀(jì)初就已經(jīng)確立,第一個(gè)SiC發(fā)光二極管追溯到1907年。

2021-08-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車ST碳化硅 1.6k 0

森國(guó)科碳化硅MOSFET-KM040120R的優(yōu)勢(shì)

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2022-08-24 標(biāo)簽:集成電路功率器件碳化硅 1.6k 0

晶盛機(jī)電6英寸碳化硅外延設(shè)備熱銷,訂單量迅猛增長(zhǎng)

聚焦碳化硅襯底片和碳化硅外延設(shè)備兩大業(yè)務(wù)。公司已掌握行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅襯底技術(shù)和工藝,量產(chǎn)晶片的核心位錯(cuò)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。

2024-03-22 標(biāo)簽:碳化硅晶盛機(jī)電 1.6k 0

快捷半導(dǎo)體的碳化硅解決方案提高功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的可靠度

致力于實(shí)現(xiàn)更高功率密度,符合嚴(yán)格的效能法規(guī)及系統(tǒng)正常工作時(shí)間需求,工業(yè)應(yīng)用及電力電子設(shè)計(jì)者在其設(shè)計(jì)中面臨不斷降低功率損耗及提高效率方面的挑戰(zhàn)。 然而,在...

2012-11-21 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換碳化硅快捷半導(dǎo)體 1.6k 0

碳化硅 MOSFET 給電力電子系統(tǒng)帶來(lái)哪些創(chuàng)新設(shè)計(jì)

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我們常說(shuō),一代電力電子器件決定一代系統(tǒng)設(shè)計(jì)。那么,基于寬禁帶半導(dǎo)體材料的SiCMOSFET的出現(xiàn),將給電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來(lái)哪些顛覆性的改變?英飛凌零碳工...

2023-11-17 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 1.6k 0

傾佳電子基于SiC碳化硅MOSFET的15-125kW三相T型混合逆變器設(shè)計(jì)深度研究報(bào)告

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2025-11-20 標(biāo)簽:MOSFET逆變器SiC 1.6k 0

基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M160120HC可用于車載充電器的汽車功率模塊

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電動(dòng)汽車的電動(dòng)機(jī)是有源負(fù)載,其轉(zhuǎn)速范圍很寬,且在行駛過(guò)程中需要頻繁地加速和減速,工作條件比一般的調(diào)速系統(tǒng)要復(fù)雜,因此,其驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)是決定電動(dòng)汽車性能的關(guān)鍵...

2023-04-19 標(biāo)簽:MOSFET充電器碳化硅 1.6k 0

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    28nm
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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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    TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè),我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè),員工是我們的立足之本。德州儀器(TI)的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工,還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司:業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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