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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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基本半導(dǎo)體攜碳化硅MOSFET新品亮相SNEC國(guó)際光伏展
? 5月, SNEC第十六屆(2023)國(guó)際太陽(yáng)能光伏與智慧能源大會(huì) 在上海新國(guó)際博覽中心重磅舉行。基本半導(dǎo)體攜旗下 第二代碳化硅MOSFET系列新品 ...
2023-05-30 標(biāo)簽:光伏碳化硅基本半導(dǎo)體 1.4k 0
UintedSiC銀燒結(jié)技術(shù)在碳化硅市場(chǎng)中獨(dú)樹一幟
隨著邏輯晶體管面積不斷減小至亞微米級(jí)尺寸,它能以更低的總體成本進(jìn)行更快的運(yùn)行并損耗較低的功率。事實(shí)上,晶體管的進(jìn)一步集成會(huì)面臨熱密度方面的挑戰(zhàn)。管理基片...
三安意法半導(dǎo)體項(xiàng)目提前兩個(gè)月成功投產(chǎn)
據(jù)了解,這一切得益于市級(jí)重點(diǎn)專班的強(qiáng)力推動(dòng)以及全方位的支持。當(dāng)前,新近落成的西部重慶科學(xué)城也傳出喜訊,三安意法半導(dǎo)體項(xiàng)目相關(guān)負(fù)責(zé)人透露,預(yù)計(jì)今年四月底即...
2024-04-18 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體碳化硅三安光電 1.4k 0
萬(wàn)年芯:“國(guó)家隊(duì)”出手!各國(guó)角逐碳化硅/氮化鎵三代半產(chǎn)業(yè)
以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料被認(rèn)為是當(dāng)今電子電力產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要推動(dòng)力,已在新能源汽車、光儲(chǔ)充、智能電網(wǎng)、5G通信、微波射頻、消費(fèi)電子等領(lǐng)域展...
2024-08-10 標(biāo)簽:SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體 1.4k 0
SiC市場(chǎng)激烈,萬(wàn)年芯在碳化硅領(lǐng)域的深耕與展望
2024年進(jìn)入尾聲,中國(guó)碳化硅(SiC)卻迎來(lái)一波“新陳代謝”:前有新玩家涌入-格力碳化硅芯片工廠建成投產(chǎn);后有老玩家退場(chǎng)-世紀(jì)金光破產(chǎn)清算。碳化硅行業(yè)...
瑞能半導(dǎo)體斬獲亞洲金選獎(jiǎng)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品大獎(jiǎng)
日前,經(jīng)過(guò)提名和票選,瑞能半導(dǎo)體的“頂部散熱產(chǎn)品系列”成功獲評(píng)EE Awards Asia亞洲金選獎(jiǎng)“功率半導(dǎo)體產(chǎn)品大獎(jiǎng)”。
2024-12-10 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體碳化硅 1.4k 0
KILOVAC固態(tài)功率控制器應(yīng)用最先進(jìn)技術(shù)首發(fā)登陸
隨著人類生產(chǎn)生活科技化與信息化程度越來(lái)越高,電子信息技術(shù)在近幾十年呈現(xiàn)迅猛發(fā)展的態(tài)勢(shì),其背后的基石正是先進(jìn)半導(dǎo)體材料技術(shù)的發(fā)展。目前,以碳化硅為典型代表...
2023-06-15 標(biāo)簽:控制器半導(dǎo)體材料碳化硅 1.4k 0
碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)97%能效
碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)97%能效
2023-12-04 標(biāo)簽:電路MOSFET升壓轉(zhuǎn)換器 1.4k 0
芯動(dòng)半導(dǎo)體與意法半導(dǎo)體在深圳簽署碳化硅戰(zhàn)略合作協(xié)議
長(zhǎng)城汽車零部件董事長(zhǎng)鄭立朋、芯動(dòng)半導(dǎo)體總經(jīng)理姜佳佳,意法半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官 Jean-Marc Chery,執(zhí)行副總裁、中國(guó)區(qū)總裁曹志平,中國(guó)區(qū)市場(chǎng)...
2024-03-13 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體直流變換器 1.4k 0
近日,汽車電子領(lǐng)域的佼佼者意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱ST)與全球知名汽車及新能源汽車制造商吉利汽車集團(tuán)宣布了一項(xiàng)重要合作。雙方已簽署碳化硅(SiC)器件的長(zhǎng)期供應(yīng)...
2024-06-04 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體碳化硅吉利汽車 1.4k 0
第三代半導(dǎo)體后起之秀:氮化鎵未來(lái)幾大新的增長(zhǎng)點(diǎn)
比碳化硅器件,氮化鎵功率器件在同時(shí)對(duì)效率、頻率、體積等綜合方面有要求的場(chǎng)景中,將更有優(yōu)勢(shì),比如氮化鎵基器件已成功規(guī)模應(yīng)用于快充領(lǐng)域。
士蘭微:IGBT當(dāng)前產(chǎn)出1.5萬(wàn)片/月,新能源產(chǎn)品月銷售額近1億元
2023年前的第三季度,士蘭微實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入達(dá)到68.99億元,同比增長(zhǎng)10.49%。歸屬上市公司股東的凈利潤(rùn)虧損約1.89億元人民幣,比上年同期減少12...
傾佳電子賦能新一代工業(yè)焊接:34mm碳化硅MOSFET模塊及其在高頻功率變換中影響的技術(shù)解析
賦能新一代工業(yè)焊接:34mm碳化硅MOSFET模塊及其在高頻功率變換中影響的技術(shù)解析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源...
功率半導(dǎo)體性能表征的關(guān)鍵技術(shù)研究與應(yīng)用分析
引言全球能源結(jié)構(gòu)的變革深刻影響著電力電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,以IGBT為代表的功率半導(dǎo)體器件是電力電子設(shè)備能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)年P(guān)鍵,在新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、軌道交通...
2024-12-10 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 1.4k 0
精進(jìn)電動(dòng)深耕商用車市場(chǎng),獲大眾商用車批量訂單
作為中國(guó)新能源電機(jī)系統(tǒng)的領(lǐng)軍企業(yè),在成功獲得一汽、上汽、東風(fēng)、北汽、吉利等乘用車品牌青睞后,精進(jìn)電動(dòng)又繼續(xù)深耕商用車市場(chǎng)。
青銅劍技術(shù)推出全新碳化硅驅(qū)動(dòng)核
近年來(lái),隨著碳化硅技術(shù)的不斷成熟,行業(yè)對(duì)碳化硅功率器件的應(yīng)用需求正日益趨向多樣化、集成化及輕量化。碳化硅功率器件具有極低的門極電荷與導(dǎo)通阻抗、極高的開關(guān)...
科銳推進(jìn)建造全球最大SiC器件制造工廠和擴(kuò)大SiC產(chǎn)能
科銳目前正在美國(guó)紐約州Marcy建造全球最大的碳化硅 (SiC) 制造工廠。這一全新的、采用領(lǐng)先前沿技術(shù)的功率和射頻制造工廠將滿足車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)和200mm工藝。
2020-08-31 標(biāo)簽:氮化鎵科銳半導(dǎo)體制造 1.4k 0
Microchip宣布推出全新的集成作動(dòng)電源解決方案
在可持續(xù)發(fā)展和減排這個(gè)重要目標(biāo)的推動(dòng)下,航空業(yè)需要先進(jìn)高效和低排放的飛機(jī)。為了實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo),航空動(dòng)力系統(tǒng)開發(fā)商正在向電作動(dòng)系統(tǒng)轉(zhuǎn)型,推動(dòng)多電飛機(jī)(MEA...
2024-04-18 標(biāo)簽:microchip電機(jī)驅(qū)動(dòng)電磁干擾 1.4k 0
深度解析SiC碳化硅MOSFET功率模塊并聯(lián)技術(shù):交錯(cuò)與硬并聯(lián)
深度解析SiC碳化硅MOSFET功率模塊并聯(lián)技術(shù):基于基本半導(dǎo)體產(chǎn)品矩陣的交錯(cuò)與硬并聯(lián)策略全景研究 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級(jí)...
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