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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面替代進(jìn)口器件征程的品質(zhì)底色

國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面替代進(jìn)口器件征程的品質(zhì)底色

國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面替代進(jìn)口器件征程的品質(zhì)底色:以基本半導(dǎo)體可靠性報告為核心的深度解析 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級...

2026-01-17 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 1.4k 0

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碳化硅功率器件的可靠性應(yīng)用

電機(jī)控制器:碳化硅器件在新能源汽車電機(jī)控制器中可以應(yīng)用于直流轉(zhuǎn)換器、逆變器、交流驅(qū)動單元等,利用其高開關(guān)速度和低導(dǎo)通損耗,提高電機(jī)的工作效率和壽命,并且...

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這款650伏的混合式PIN-肖特基 (MPS)二極管采用獨(dú)特的PiN-Schottky結(jié)構(gòu),提供低內(nèi)置電壓偏置(低門檻電壓)以實(shí)現(xiàn)在各種負(fù)載條件下的最高...

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碳化硅肖特基二極管的設(shè)計與優(yōu)化

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碳化硅 (SiC)因其固有的寬帶隙和高導(dǎo)熱性材料特性而廣泛用于中高壓功率半導(dǎo)體器件制造。

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萬年芯:芯片管制再升級,國產(chǎn)替代已是必然

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近期,美國對華芯片管制政策再次升級,新增140家實(shí)體名單,對中國半導(dǎo)體施加了更多限制。對此,中方也強(qiáng)硬回?fù)?,對鎵、鍺、銻、超硬材料、石墨等關(guān)鍵原料進(jìn)行反...

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碳化硅半導(dǎo)體--電動汽車和光伏逆變器的下一項關(guān)鍵技術(shù)

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2023-12-08 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅納微半導(dǎo)體 1.4k 0

捷捷微電:目前有少量碳化硅器件封測,該系列產(chǎn)品尚未進(jìn)入量產(chǎn)階段

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2022-10-20 標(biāo)簽:碳化硅捷捷微電 1.4k 0

瑞能半導(dǎo)體2024慕尼黑上海電子展精彩回顧

日前,全球領(lǐng)先的國際化功率器件品牌瑞能半導(dǎo)體以“高效節(jié)能,奔赴零碳”為主題參展2024慕尼黑上海電子展(Electronica China 2024),...

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安森美半導(dǎo)體(Onsemi)正緊鑼密鼓地推進(jìn)其200mm(即8英寸)碳化硅(SiC)晶圓認(rèn)證計劃,預(yù)計這一關(guān)鍵步驟將在今年年底前順利完成,為2025年的...

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?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊

安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克股票代號:ON)推出其第一代基于1200V碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的SPM31智能...

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納微半導(dǎo)體三斬功率器件行業(yè)大獎

2023年12月23日,由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的第十四屆“亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇”于深圳盛大開幕!上百家電源上下游企業(yè)齊聚一堂,與多位行業(yè)資深專家共同探討,打造...

2023-12-27 標(biāo)簽:MOSFET控制器功率器件 1.4k 0

SiC正成為電動汽車的“香餑餑”

理想汽車功率半導(dǎo)體研發(fā)及生產(chǎn)基地是理想汽車自研核心部件的戰(zhàn)略布局之一,主要專注于第三代半導(dǎo)體SiC車規(guī)功率模塊的自主研發(fā)及生產(chǎn),旨在打造汽車專用功率模塊...

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基本半導(dǎo)體與中汽芯達(dá)成戰(zhàn)略合作

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2025-08-26 標(biāo)簽:功率器件碳化硅基本半導(dǎo)體 1.4k 0

英飛凌簽約GT Advanced Technologies,擴(kuò)大碳化硅供應(yīng)

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附錄A4H-SiC中的不完全雜質(zhì)電離附錄《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:器件主控:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代...

2022-05-09 標(biāo)簽:碳化硅 1.4k 0

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