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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

正力新能新一代BEV專用電芯產(chǎn)品助力零跑C16純電版首發(fā)

6月28日,零跑汽車首款中大型智能六座SUV、LEAP 3.0技術(shù)架構(gòu)的旗艦之作——零跑C16重磅上市,新車實(shí)現(xiàn)了對(duì)六座SUV的兩個(gè)重新定義——MPV的...

2024-06-29 標(biāo)簽:新能源碳化硅電芯 5.7k 0

碳化硅主要的四大應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅主要有四大應(yīng)用:功能陶瓷、高級(jí)耐火材料、磨料及冶金原料。碳化硅粗料已能大量供應(yīng),不能算高新技術(shù)產(chǎn)品,而技術(shù)含量極高的納米級(jí)碳化硅粉體的應(yīng)用短時(shí)間不...

2023-02-09 標(biāo)簽:納米碳化硅jfet器件 5.7k 0

博世入局碳化硅 博世致力于研發(fā)符合車規(guī)級(jí)的碳化硅產(chǎn)品

博世集團(tuán)是世界先進(jìn)的技術(shù)及服務(wù)供應(yīng)商。從MEMS技術(shù)問(wèn)世開(kāi)始,博世始終處于MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))技術(shù)的前沿位置。如今,博世已成為全球的MEMS傳感器的頭...

2020-08-07 標(biāo)簽:MOSFETmems碳化硅 5.6k 0

行業(yè) | 用于工業(yè)和汽車級(jí)碳化硅MOSFET功率模塊的高溫柵極驅(qū)動(dòng)

CISSOID在論文中提出了一種新的柵極驅(qū)動(dòng)板,其額定溫度為125°C(Ta),它還針對(duì)采用半橋式SiC MOSFET的62mm功率模塊進(jìn)行了優(yōu)化。

2019-08-05 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅 5.6k 0

2023年國(guó)內(nèi)主要碳化硅襯底供應(yīng)商產(chǎn)能現(xiàn)狀

2023年國(guó)內(nèi)主要碳化硅襯底供應(yīng)商產(chǎn)能現(xiàn)狀

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在過(guò)去的2023年里,國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了可能是發(fā)展速度最快的一年。首先是碳化硅襯底取得突破,8英寸進(jìn)展神速,同時(shí)三安和天...

2024-01-08 標(biāo)簽:SiC襯底碳化硅 5.6k 0

英飛凌程文濤:第三代半導(dǎo)體助力低碳互聯(lián)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)近日,在第九屆EEVIA年度中國(guó)電子ICT媒體論壇暨2021產(chǎn)業(yè)和技術(shù)展望研討會(huì)上,英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部市場(chǎng)總監(jiān)程文...

2021-08-02 標(biāo)簽:英飛凌碳化硅第三代半導(dǎo)體 5.6k 0

碳化硅二極管用于PD快充的優(yōu)勢(shì)

碳化硅二極管用于PD快充的優(yōu)勢(shì)

當(dāng)下,隨著USB-PD快充技術(shù)的普及和氮化鎵技術(shù)的成熟,大功率快充電源市場(chǎng)逐漸興起,碳化硅二極管也開(kāi)始在消費(fèi)類電源市場(chǎng)中嶄露頭角,被部分100W大功率氮...

2021-08-20 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車太陽(yáng)能逆變器 5.6k 0

全球最大碳化硅工廠頭銜易主?又有新8英寸碳化硅產(chǎn)線投產(chǎn)!

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)英飛凌在8月8日宣布,其位于馬來(lái)西亞的新工廠一期項(xiàng)目正式啟動(dòng)運(yùn)營(yíng),這是一座高效的8英寸碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠,一期項(xiàng)目投資...

2024-08-12 標(biāo)簽:碳化硅 5.6k 0

產(chǎn)業(yè)革命?液相法制備碳化硅襯底實(shí)現(xiàn)交付!

產(chǎn)業(yè)革命?液相法制備碳化硅襯底實(shí)現(xiàn)交付!

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)去年7月,電子發(fā)燒友曾報(bào)道了天岳先進(jìn)展示了一種采用新的SiC晶體制備技術(shù)——液相法制備的低缺陷8英寸晶體。在今年4月底的2...

2024-11-13 標(biāo)簽:碳化硅 5.6k 0

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氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶體管這兩種化合物半導(dǎo)體器件已作為方案出現(xiàn)。這些器件與長(zhǎng)使用壽命的硅功率橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS) M...

2022-04-01 標(biāo)簽:氮化鎵半導(dǎo)體器件碳化硅 5.6k 0

***用到的稀有金屬是碳化硅?當(dāng)然不是

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我國(guó)家的芯片剛開(kāi)始發(fā)展的時(shí)候,與國(guó)際高端芯片技術(shù)的差距并不是很大,但由于國(guó)內(nèi)經(jīng)濟(jì)迎來(lái)了高速增長(zhǎng)期,而“買來(lái)不如造去”的觀念在大多數(shù)企業(yè)心中根深蒂固,許多...

2023-04-14 標(biāo)簽:碳化硅國(guó)產(chǎn)芯片 5.5k 0

Soitec公布 2022 財(cái)年上半年財(cái)報(bào),收入創(chuàng)歷史新高

Soitec公布 2022 財(cái)年上半年財(cái)報(bào),收入創(chuàng)歷史新高

作為設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè),法國(guó) Soitec半導(dǎo)體公司于近日公布了2022 財(cái)年上半年業(yè)績(jī)(截止至 2021 年 9 月 30 日)。

2021-12-03 標(biāo)簽:智能手機(jī)碳化硅5G 5.5k 0

第三代半導(dǎo)體碳化硅 爆發(fā)式增長(zhǎng)的明日之星

第三代半導(dǎo)體碳化硅 爆發(fā)式增長(zhǎng)的明日之星

看點(diǎn):第三代半導(dǎo)體碳化硅,爆發(fā)式增長(zhǎng)的明日之星。 功率半導(dǎo)體的技術(shù)和材料創(chuàng)新都致力于提高能量轉(zhuǎn)化效率(理想轉(zhuǎn)化率100%),基于 SIC 材料的功率器件...

2020-09-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 5.5k 0

碳化硅半導(dǎo)體:4家上市公司情況介紹

碳化硅半導(dǎo)體:4家上市公司情況介紹

此外,由于碳化硅逆變器體積較小,還可搭載成本更低的冷卻系統(tǒng),從而降低整車成本。因此新能源汽車主驅(qū)逆變器、車載 OBC、DC/DC 轉(zhuǎn)換器已率先開(kāi)啟 Si...

2023-11-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體碳化硅 5.5k 0

2025年功率半導(dǎo)體行業(yè):五大關(guān)鍵趨勢(shì)洞察

趨勢(shì)一:碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)大放異彩 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)宛如兩顆冉冉升起的新星,正以迅猛之勢(shì)改變著行業(yè)格...

2025-01-08 標(biāo)簽:新能源汽車數(shù)據(jù)中心功率半導(dǎo)體 5.5k 0

碳化硅SiC功率器件,全球市場(chǎng)總體規(guī)模,前三十大廠商排名及市場(chǎng)份額

碳化硅SiC功率器件,全球市場(chǎng)總體規(guī)模,前三十大廠商排名及市場(chǎng)份額

本文研究SiC碳化硅功率模塊及分立器件,功率模塊主要包括碳化硅MOSFET模塊(SiC MOSFET Module),分立器件包括碳化硅MOSFET分立...

2023-09-08 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 5.4k 0

重慶公布SiC重大項(xiàng)目 三安2個(gè)工廠即將點(diǎn)亮投產(chǎn)

重慶公布SiC重大項(xiàng)目 三安2個(gè)工廠即將點(diǎn)亮投產(chǎn)

昨天,“行家說(shuō)三代半”報(bào)道了三安在重慶的2個(gè)碳化硅項(xiàng)目進(jìn)展(.點(diǎn)這里.),今天,三安又公布了最新的項(xiàng)目消息

2024-02-21 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體SiC 5.4k 0

加速!12英寸碳化硅襯底中試線來(lái)了!

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 12英寸碳化硅再迎來(lái)跨越式進(jìn)展!9月26日,晶盛機(jī)電宣布,首條12英寸碳化硅襯底加工中試線在晶盛機(jī)電子公司浙江晶瑞SuperSiC...

2025-09-29 標(biāo)簽:碳化硅 5.4k 0

陳小龍:碳化硅晶圓國(guó)產(chǎn)化先鋒

“創(chuàng)新從來(lái)都是九死一生”,道出了創(chuàng)新的不易。在碳化硅晶體產(chǎn)業(yè)做強(qiáng)的道路上,未來(lái)還充滿了許許多多的坎坷險(xiǎn)阻,還有很多需要解決的科學(xué)和技術(shù)難題。隨著碳化硅器...

2019-04-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 5.4k 0

大晶磊半導(dǎo)體最新研發(fā)的針對(duì)中高壓碳化硅MOSFET的驅(qū)動(dòng)解決方案

目前,大晶磊半導(dǎo)體可以為市場(chǎng)提供通過(guò)90kV BIL測(cè)試的碳化硅驅(qū)動(dòng)模塊。而且此驅(qū)動(dòng)模塊可以將碳化硅MOSFET的開(kāi)關(guān)頻率提升到500kHz,而耦合電容...

2019-04-11 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體碳化硅 5.4k 0

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    Arduino
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    Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件(各種型號(hào)的Arduino板)和軟件(Arduino IDE)。
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    28nm
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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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    一般情況,IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境,因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比,IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問(wèn)題,像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通常可以先在本地存儲(chǔ)數(shù)據(jù),無(wú)線鏈路可用時(shí)再行處理。
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    Cirrus LogIC
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    CC2541
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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