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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅資訊

三相四橋臂SiC碳化硅功率模塊工商業(yè)儲能變流器PCS的優(yōu)勢

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2025-05-06 標簽：SiC 功率模塊儲能 891 0

安森美SiC器件賦能下一代AI數(shù)據(jù)中心變革

安森美（onsemi）憑借其業(yè)界領先的Si和SiC技術，從變電站的高壓交流/直流轉(zhuǎn)換，到處理器級的精準電壓調(diào)節(jié)，為下一代AI數(shù)據(jù)中心提供了從3kW到25...

2025-10-31 標簽：MOSFET 安森美 AI 891 0

2024年上半年SiC產(chǎn)業(yè)融資熱潮持續(xù)，40家企業(yè)共攬金近77億元

碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)正以前所未有的速度蓬勃發(fā)展。據(jù)最新統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，2024年上半年，國內(nèi)SiC領域共有40家企業(yè)成功完成融資，累計融資總額接近77億元...

2024-07-10 標簽：RTP SiC 碳化硅 890 0

英飛凌高管談汽車技術：毫米波雷達車內(nèi)大有所為，碳化硅上車進程提速

3月14日，英飛凌科技在京公布了2022財年多項關鍵運營成績，并對未來行業(yè)發(fā)展趨勢和公司戰(zhàn)略進行了解析。據(jù)英飛凌全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、大中華區(qū)...

2023-03-28 標簽：英飛凌碳化硅毫米波雷達 886 0

傾佳電子戶用儲能系統(tǒng)架構、拓撲及SiC碳化硅功率器件應用深度解析

隨著全球能源結構向低碳化轉(zhuǎn)型，以光伏為代表的分布式可再生能源滲透率持續(xù)提升，戶用儲能系統(tǒng)作為提升電能質(zhì)量、實現(xiàn)能源自給和優(yōu)化用電成本的關鍵技術，正迎來快...

2025-10-15 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 884 0

如何將碳化硅成本將下降30%

國內(nèi)企業(yè)率先在半絕緣襯底方面取得了非?？斓倪M展。而在導電型襯底方面，2021-2022年國內(nèi)各個襯底廠商的外部的應用需求迅速增長，同時在各項指標上已經(jīng)得...

2023-12-07 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 883 0

安森美推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件

智能電源和智能感知技術的領導者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件...

2023-05-25 標簽：安森美 DC-DC轉(zhuǎn)換器碳化硅 882 0

傾佳電子AIDCc的HVDC革命：市場需求、架構演進與碳化硅的崛起

傾佳電子AIDC數(shù)據(jù)中心的HVDC革命：市場需求、架構演進與碳化硅的崛起傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的...

2025-10-06 標簽：數(shù)據(jù)中心 HVDC 碳化硅 880 0

功率因數(shù)校正（PFC）技術的演進與變革：從起源到碳化硅（SiC）賦能

功率因數(shù)校正（PFC）技術的演進與變革：從起源到碳化硅（SiC）賦能的AI、超充與SST應用深度研究報告 BASiC Semiconductor基本半導...

2026-01-30 標簽：PFC 功率因數(shù)校正碳化硅 880 0

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附錄Ｂ雙曲函數(shù)的性質(zhì)附錄《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產(chǎn)品線：器件主控：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型...

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碳化硅為電力電子技術帶來了重大改進

寬帶隙（WBG）半導體技術的廣泛采用在電力電子行業(yè)中持續(xù)增長。與傳統(tǒng)硅技術相比，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）半導體材料顯示出優(yōu)異的性能...

2022-08-17 標簽：半導體電力電子技術碳化硅 879 0

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逆變器中600V-1200V 碳化硅MOSFET未來十年的復合年增長率為27%。

2023-07-17 標簽：轉(zhuǎn)換器 MOSFET 逆變器 879 0

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B3M系列碳化硅MOSFET在高效高防護戶儲逆變器中的應用

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Nexperia與KYOCERA AVX Salzburg合作為功率應用生產(chǎn)650 V碳化硅整流二極管模塊

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碳化硅功率模塊建模

傳統(tǒng)的硅功率晶體管在理論上已經(jīng)被推到了極限。寬帶隙功率器件的緊湊模型對于分析和評估它們對電路和系統(tǒng)性能的影響是必要的。帶隙比硅的 1.1 eV 更寬...

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