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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

淺談功率半導(dǎo)體市場的狀況,增長勢頭過于強(qiáng)勁

Hanebeck曾提到英飛凌準(zhǔn)備斥資數(shù)十億歐元進(jìn)行收購。整合是我們在過去幾年中觀察到的市場增長趨勢。特別是在寬帶隙半導(dǎo)體材料供應(yīng)方面,特別是碳化硅 (SiC)。

2023-02-17 標(biāo)簽:氮化鎵功率半導(dǎo)體碳化硅 806 0

森國科:面對2021不確定性 設(shè)計公司應(yīng)卯足勁做好高端替代和生態(tài)鏈建設(shè)【2020-2021專題。企業(yè)視角】

森國科董事長兼總經(jīng)理?xiàng)畛袝x認(rèn)為,對于2021年,估計不是最艱難而是更艱難的一年,疫情不會短時間過去,需求熱點(diǎn)來的快去的快,都會增加2021年的不確定性。

2021-03-10 標(biāo)簽:晶圓代工功率器件智能汽車 805 0

10.2.2 橫向漂移區(qū)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

10.2.2 橫向漂移區(qū)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

10.2.2橫向漂移區(qū)10.2單極型器件漂移區(qū)的優(yōu)化設(shè)計第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)...

2022-04-11 標(biāo)簽:碳化硅 805 0

SiC碳化硅功率模塊賦能商用空調(diào)與熱泵系統(tǒng)高效升級的技術(shù)革新

在“雙碳”目標(biāo)推動下,商用空調(diào)與熱泵系統(tǒng)的能效提升需求日益迫切。傳統(tǒng)IGBT模塊受限于高損耗與低開關(guān)頻率,難以滿足高效、高頻、高溫場景的嚴(yán)苛要求。碳化硅...

2025-05-17 標(biāo)簽:SiC功率模塊碳化硅 803 0

馬斯克的攪局 碳化硅陷入“失寵”的輿論漩渦

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從去年至今,我國氧化鎵半導(dǎo)體制備技術(shù)已經(jīng)屢獲突破。從去年的2英寸襯底到6英寸襯底,再到最新的8英寸外延片,我國氧化鎵半導(dǎo)體制備技術(shù)越來越成熟。

2023-10-25 標(biāo)簽:晶圓氮化鎵碳化硅 802 0

碳化硅技術(shù)如何變革汽車車載充電

用于單相輸入交流系統(tǒng)的簡單功率因數(shù)校正(PFC)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)(圖1)是個傳統(tǒng)的單通道升壓轉(zhuǎn)換器。該方案包含一個用于輸入交流整流的二極管全橋和一個PFC控制器...

2022-10-28 標(biāo)簽:二極管控制器碳化硅 801 0

車用碳化硅功率模塊的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展趨勢

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當(dāng)前,全球碳化硅產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美、歐、日三足鼎立態(tài)勢,碳化硅材料七成以上來自美國公司,歐洲擁有完整的碳化硅襯底、外延、器件以及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈,日本則在碳化硅芯...

2023-08-15 標(biāo)簽:IGBT分立器件功率模塊 799 0

全球首發(fā)!納微發(fā)布碳化硅史上首對吉祥物

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從前,有一顆烏煙瘴氣的灰色星球,它艱難地緩慢旋轉(zhuǎn)著,沒有一絲綠色和生機(jī)。 直到有一天,兩位小超人的降臨! 沒錯,來者正是納微芯球的碳化硅小超人—— 碳寶...

2023-06-14 標(biāo)簽:碳化硅 797 0

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電動汽車 (EV)、可再生能源系統(tǒng)和人工智能 (AI) 數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域電氣化進(jìn)程的持續(xù)提速,正不斷給電源系統(tǒng)帶來更大壓力,對電源系統(tǒng)的效率、小型化及低溫...

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碳化硅太陽能電池的濕式化學(xué)處理

濕法化學(xué)工藝廣泛用于晶體硅太陽能電池生產(chǎn),主要用于表面紋理和清潔目的。盡管過去的研究主要集中在過程開發(fā)上,但是在過程控制技術(shù)方面幾乎沒有進(jìn)展。本文討論了...

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碳化硅器件在新能源汽車中的核心作用

碳化硅(SiC)器件在新能源汽車中起到了非常核心的作用,尤其是在提升電能轉(zhuǎn)換效率、減小體積和重量、延長續(xù)航里程等方面,具有不可替代的優(yōu)勢。具體來說,碳化...

2025-12-29 標(biāo)簽:新能源汽車SiC碳化硅 793 0

碳化硅開啟功率半導(dǎo)體的新時代

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隨著電動汽車和充電站對高電壓和在高溫惡劣環(huán)境下工作的要求日益加大,碳化硅(SiC)因其制造和包裝成本高昂,推廣初期步履蹣跚。然而情況正在改變,根據(jù)Pow...

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貝思科爾邀您碳化硅功率器件制造與應(yīng)用測試大會

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碳化硅功率器件制造與應(yīng)用測試大會將于2024年6月26-28日在無錫錫山舉行,貝思科爾將攜功率器件測試解決方案亮相本次大會,誠摯歡迎您的到來?;顒右浴按?..

2024-06-18 標(biāo)簽:測試半導(dǎo)體功率器件 791 0

Qorvo推出創(chuàng)新緊湊型E1B封裝1200V SiC模塊

Qorvo SiC 電源產(chǎn)品線市場總監(jiān) Ramanan Natarajan 表示:“該全新系列中的模塊可以取代多達(dá)四個分立式 SiC FET,從而簡化熱...

2024-02-29 標(biāo)簽:SiC碳化硅Qorvo 791 0

基本半導(dǎo)體650V碳化硅MOSFET產(chǎn)品線深度研究報告

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在全球能源結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型與電氣化浪潮的推動下,功率半導(dǎo)體作為電能轉(zhuǎn)換的核心樞紐,其技術(shù)迭代速度正以前所未有的態(tài)勢加速。硅(Si)材料在接近其物理極限的背景下,...

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首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線

2023年8月1日,九峰山實(shí)驗(yàn)室6寸碳化硅(SiC)中試線全面通線,首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線。實(shí)驗(yàn)室已具備碳化硅外延、工藝流程、測試等全流程技...

2023-08-11 標(biāo)簽:MOSFET晶圓SiC 790 0

基于國產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案

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2026全球固態(tài)變壓器SST產(chǎn)業(yè)白皮書:SiC模塊產(chǎn)業(yè)鏈成熟度對固變SST商業(yè)化拐點(diǎn)

自十九世紀(jì)末托馬斯·愛迪生與尼古拉·特斯拉的“交直流之爭”以來,基于銅線繞組與鐵芯的傳統(tǒng)電磁變壓器一直是全球電力傳輸與分配網(wǎng)絡(luò)的絕對基石。

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基于隔離驅(qū)動IC兩級關(guān)斷技術(shù)的碳化硅MOSFET伺服驅(qū)動器短路保護(hù)研究報告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器...

2025-12-23 標(biāo)簽:MOSFET伺服驅(qū)動器碳化硅 787 0

森國科發(fā)布SOD123封裝1200V/1A碳化硅二極管

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深圳市森國科科技股份有限公司將原本用于硅基器件的小型封裝SOD123成功應(yīng)用于1200V/1A碳化硅二極管,這一突破彰顯了其在碳化硅器件設(shè)計領(lǐng)域的領(lǐng)先實(shí)力。

2026-01-20 標(biāo)簽:二極管碳化硅森國科 786 0

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    CC2541
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時鐘 時鐘振蕩器 時鐘發(fā)生器 時鐘緩沖器 定時器 寄存器 實(shí)時時鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
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線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動器 步進(jìn)驅(qū)動器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
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