晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而
2011-11-24 09:21:42
8021 英飛凌科技公司將“全球首次”使用口徑300mm的硅晶圓制造功率半導(dǎo)體。具體產(chǎn)品是有超結(jié)（Super Junction）構(gòu)造的功率MOSFET“CoolMOS系列產(chǎn)品”，由奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)。
2013-02-25 08:53:002072 介紹了晶圓級封裝的基本流程。本篇文章將側(cè)重介紹不同晶圓級封裝方法所涉及的各項(xiàng)工藝。晶圓級封裝可分為扇入型晶圓級芯片封裝(Fan-In WLCSP)、扇出型晶圓級芯片封裝(Fan-Out WLCSP
2023-11-08 09:20:1911649 
本文主要講述什么是晶圓級芯粒封裝中的分立式功率器件。 分立式功率器件作為電源管理系統(tǒng)的核心單元，涵蓋二極管、MOSFET、IGBT等關(guān)鍵產(chǎn)品，在個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器等終端設(shè)備功率密度需求攀升的當(dāng)下，其封裝技術(shù)正加速向晶圓級芯片級封裝演進(jìn)——通過縮小體積、提升集成效率，滿足設(shè)備小型化與高性能的雙重需求。
2025-09-05 09:45:403097 
近段時(shí)間，各大晶圓廠紛紛曬出自己的傲人財(cái)報(bào)，下游需求旺盛，晶圓產(chǎn)能緊張，讓臺積電、聯(lián)電、世界先進(jìn)三大代工廠將8寸晶圓線代工價(jià)格紛紛調(diào)高10%-20%。而8寸晶圓的主要需求端為功率器件、電源管理IC、影像傳感器、指紋識別芯片和顯示驅(qū)動IC等，MOSFET正是其中之一。
2020-08-26 06:24:007800 12月30日消息 根據(jù)中欣晶圓官方的消息，中欣晶圓12英寸第一枚外延片正式下線，成為國內(nèi)首家獨(dú)立完成12英寸單晶、拋光到外延研發(fā)、生產(chǎn)的企業(yè)。
2020-12-31 10:57:314702 Nexperia今日宣布，位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線啟動，首批產(chǎn)品使用最新的NextPower芯片技術(shù)的低RDS（on）和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。
2021-06-24 09:18:571208 片150mm晶圓的消耗量，這里還未統(tǒng)計(jì)其他手機(jī)制造商對功率器件、其他平臺對光電子應(yīng)用的需求量。碳化硅（SiC）應(yīng)用持續(xù)升溫150mm晶圓的另一突出應(yīng)用領(lǐng)域是SiC功率MOSFET。如今，SiC功率
2019-05-12 23:04:07
在庫存回補(bǔ)需求帶動下，包括環(huán)球晶、臺勝科、合晶、嘉晶等硅晶圓廠第二季下旬出貨續(xù)旺，現(xiàn)貨價(jià)出現(xiàn)明顯上漲力道，合約價(jià)亦確認(rèn)止跌回升。 新冠肺炎疫情對半導(dǎo)體材料的全球物流體系造成延遲影響，包括晶圓
2020-06-30 09:56:29
` 晶圓級封裝是一項(xiàng)公認(rèn)成熟的工藝，元器件供應(yīng)商正尋求在更多應(yīng)用中使用WLP，而支持WLP的技術(shù)也正快速走向成熟。隨著元件供應(yīng)商正積極轉(zhuǎn)向WLP應(yīng)用，其使用范圍也在不斷擴(kuò)大。 目前有5種成熟
2011-12-01 14:33:02
`晶圓切割目的是什么？晶圓切割機(jī)原理是什么？一.晶圓切割目的晶圓切割的目的，主要是要將晶圓上的每一顆晶粒（Die）加以切割分離。首先要將晶圓（Wafer）的背面貼上一層膠帶（Wafer Mount
2011-12-02 14:23:11
簡單的說晶圓是指擁有集成電路的硅晶片,因?yàn)槠湫螤钍?b class="flag-6" style="color: red">圓的,故稱為晶圓.晶圓在電子數(shù)碼領(lǐng)域的運(yùn)用是非常廣泛的.內(nèi)存條、SSD，CPU、顯卡、手機(jī)內(nèi)存、手機(jī)指紋芯片等等，可以說幾乎對于所有的電子數(shù)碼產(chǎn)品
2019-09-17 09:05:06
圖為一種典型的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)示意圖。晶圓上的器件通過晶圓鍵合一次完成封裝，故而可以有效減小封裝過程中對器件造成的損壞?！ D1 晶圓級封裝工藝過程示意圖 1 晶圓封裝的優(yōu)點(diǎn) 1）封裝加工
2021-02-23 16:35:18
` 硅是由石英沙所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將些純硅制成硅晶棒，成為制造積體電路的石英半導(dǎo)體的材料，經(jīng)過照相制版，研磨，拋光，切片等程序，將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒
2011-09-07 10:42:07
`晶圓的結(jié)構(gòu)是什么樣的？1 晶格：晶圓制程結(jié)束后，晶圓的表面會形成許多格狀物，成為晶格。經(jīng)過切割器切割后成所謂的晶片 2 分割線：晶圓表面的晶格與晶格之間預(yù)留給切割器所需的空白部分即為分割線 3
2011-12-01 15:30:07
晶圓級封裝技術(shù)源自于倒裝芯片。晶圓級封裝的開發(fā)主要是由集成器件制造廠家（IBM）率先啟動。1964年，美國IBM公司在其M360計(jì)算器中最先采用了FCOB焊料凸點(diǎn)倒裝芯片器件。
2020-03-06 09:02:23
Plane）：圖中的剖面標(biāo)明了器件下面的晶格構(gòu)造。此圖中顯示的器件邊緣與晶格構(gòu)造的方向是確定的。（6）晶圓切面／凹槽（Wafer flats／notche）：圖中的晶圓有主切面和副切面，表示這是一個(gè) P 型 晶向的晶圓（參見第3章的切面代碼）。300毫米晶圓都是用凹槽作為晶格導(dǎo)向的標(biāo)識。
2020-02-18 13:21:38
晶圓針測制程介紹 晶圓針測（Chip Probing；CP）之目的在于針對芯片作電性功能上的 測試（Test），使 IC 在進(jìn)入構(gòu)裝前先行過濾出電性功能不良的芯片，以避免對不良品增加制造成
2020-05-11 14:35:33
`159-5090-3918回收6寸晶圓，8寸晶圓，12寸晶圓，回收6寸晶圓，8寸晶圓，12寸晶圓，花籃,Film Fram Cassette,晶元載具Wafer shipper,二手晶元盒
2020-07-10 19:52:04
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
。正因?yàn)檫@些優(yōu)點(diǎn)，也驅(qū)使半導(dǎo)體制造公司不斷的采取新的工藝，追求更低的工藝尺寸，來提升半導(dǎo)體器件的性能、降低功耗。圖2：變形的平面橫向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET結(jié)構(gòu)圖2右上角為平面MOSFET的結(jié)構(gòu)，實(shí)際的結(jié)構(gòu)稍微變形
2017-01-06 14:46:20
[table=98%]N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31066[/td][td][/td][td=363]一般描述一般特征[tr]該TDM31066采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)[td=331]RDS（ON）
2018-11-12 15:55:20
[table=98%]N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征該TDM3550采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)◆40V/ 100A[tr]提供優(yōu)異的RDS（ON）和低門電荷。[td=331]◆RDS（ON）
2018-11-16 13:42:48
= 25 V，高溫柵極偏壓（HTGB）應(yīng)力測試在175°C下在77個(gè)器件上執(zhí)行，從三個(gè)不同的晶圓批次到2300小時(shí)。觀察到可忽略的偏差?！ ×硪粋€(gè)被證明長期穩(wěn)定的參數(shù)設(shè)置是MOSFET的阻斷電壓和關(guān)斷狀態(tài)
2023-02-27 13:48:12
;Reliability (可靠性) " ，始終堅(jiān)持“品質(zhì)第一”SiC元器有三個(gè)最重要的特性：第一個(gè)高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對應(yīng)
2020-07-16 14:55:31
更大直徑的晶圓，一些公司仍在使用較小直徑的晶圓。半導(dǎo)體硅制備半導(dǎo)體器件和電路在半導(dǎo)體材料晶圓的表層形成，半導(dǎo)體材料通常是硅。這些晶圓的雜質(zhì)含量必須非常低，必須摻雜到指定的電阻率水平，必須是制定
2018-07-04 16:46:41
納米到底有多細(xì)微？什么晶圓？如何制造單晶的晶圓？
2021-06-08 07:06:42
` 晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 11:40:04
的輔助。 測試是為了以下三個(gè)目標(biāo)。第一，在晶圓送到封裝工廠之前，鑒別出合格的芯片。第二，器件/電路的電性參數(shù)進(jìn)行特性評估。工程師們需要監(jiān)測參數(shù)的分布狀態(tài)來保持工藝的質(zhì)量水平。第三，芯片的合格品與不良品
2011-12-01 13:54:00
` 晶圓電阻又稱圓柱型精密電阻、無感晶圓電阻、貼片金屬膜精密電阻、高精密無感電阻、圓柱型電阻、無引線金屬膜電阻等叫法;英文名稱是：Metal Film Precision Resistor-CSR
2011-12-02 14:57:57
`晶圓級封裝(WLP)就是在其上已經(jīng)有某些電路微結(jié)構(gòu)（好比古董）的晶片（好比座墊）與另一塊經(jīng)腐蝕帶有空腔的晶片（好比玻璃罩）用化學(xué)鍵結(jié)合在一起。在這些電路微結(jié)構(gòu)體的上面就形成了一個(gè)帶有密閉空腔的保護(hù)
2011-12-01 13:58:36
半導(dǎo)體
晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，在制造過程中可承載非本征半導(dǎo)體。它們是正（P）
型半導(dǎo)體或負(fù)（N）
型半導(dǎo)體的臨時(shí)形式。硅晶片是非常常見的半導(dǎo)體晶片，因?yàn)楣?/div>
2021-07-23 08:11:27
電源管理ICTDM3412雙路N溝道增強(qiáng)型MOSFET 描述：TDM3412采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。 這個(gè)器件適合用作負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。一般描述：?頻道1RDS（ON）
2018-05-25 11:54:29
1、為什么晶圓要做成圓的？如果做成矩形，不是更加不易產(chǎn)生浪費(fèi)原料？2、為什么晶圓要多出一道研磨的工藝？為什么不能直接做成需求的厚度？
2014-01-20 15:58:42
柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅(qū)動電路簡單，驅(qū)動的功率小，而且開關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結(jié)構(gòu)有橫向雙擴(kuò)散型
2016-10-10 10:58:30
單晶的晶圓制造步驟是什么？
2021-06-08 06:58:26
, such as “N-type” and “P-type”.導(dǎo)電類型 - 晶圓片中載流子的類型，N型和P型。Contaminant, Particulate (see light point defect)污染微粒 （參見
2011-12-01 14:20:47
本文重點(diǎn)介紹為電源用高壓超結(jié)MOSFET增加晶圓級可配置性的新方法?，F(xiàn)在有一種為高壓超結(jié)MOSFET增加晶圓級可配置性的新方法，以幫助解決電源電路問題。MOSFET 在壓擺率、閾值電壓、導(dǎo)通電
2023-02-27 10:02:15
``揭秘切割晶圓過程——晶圓就是這樣切割而成芯片就是由這些晶圓切割而成。但是究竟“晶圓”長什么樣子，切割晶圓又是怎么一回事，切割之后的芯片有哪些具體應(yīng)用，這些可能對于大多數(shù)非專業(yè)人士來說并不是十分
2011-12-01 15:02:42
`各位大大:手頭上有顆晶圓的log如下:能判斷它的出處嗎?非常感謝!!`
2013-08-26 13:45:30
求晶圓劃片或晶圓分撿裝盒合作加工廠聯(lián)系方式：QQ:2691003439
2019-03-13 22:23:17
隨著集成電路設(shè)計(jì)師將更復(fù)雜的功能嵌入更狹小的空間，異構(gòu)集成包括器件的3D堆疊已成為混合與連接各種功能技術(shù)的一種更為實(shí)用且經(jīng)濟(jì)的方式。作為異構(gòu)集成平臺之一，高密度扇出型晶圓級封裝技術(shù)正獲得越來越多
2020-07-07 11:04:42
看到了晶圓切割的一個(gè)流程，但是用什么工具切割晶圓？求大蝦指教啊 ？
2011-12-01 15:47:14
`什么是硅晶圓呢，硅晶圓就是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片。晶圓是制造IC的基本原料。硅晶圓和晶圓有區(qū)別嗎？其實(shí)二者是一個(gè)概念。集成電路（IC）是指在一半導(dǎo)體基板上，利用氧化、蝕刻、擴(kuò)散等方法
2011-12-02 14:30:44
1）更高集成的功率場效應(yīng)管——溝槽結(jié)構(gòu)器件2）溝槽型功率管參數(shù)的提升3）溝槽型功率管在工程實(shí)踐中的運(yùn)用
2010-06-28 08:39:27
24 中圖儀器VT6000共聚焦晶圓溝槽輪廓尺寸測量顯微鏡基于光學(xué)共軛共焦原理，結(jié)合精密Z向掃描模塊、3D 建模算法等對器件表面進(jìn)行非接觸式掃描并建立表面3D圖像，實(shí)現(xiàn)器件表面形貌3D測量。在材料生產(chǎn)檢測
2024-06-25 15:06:01
晶圓是微電子產(chǎn)業(yè)的行業(yè)術(shù)語之一。
2017-12-07 15:41:1141078 功率半導(dǎo)體行情回暖，MOSFET供不應(yīng)求加劇，交期不斷拉長，國內(nèi)外MOSFET企業(yè)紛紛調(diào)漲，目前整體漲勢仍然未見緩和。由于汽車電子等新增需求持續(xù)爆發(fā)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈出現(xiàn)缺貨，上游硅晶圓等原料持續(xù)走高。
2018-04-10 17:34:002353 本文開始介紹了晶圓的概念和晶圓的制造過程，其次詳細(xì)的闡述了晶圓的基本原料，最后介紹了晶圓尺寸的概念及分析了晶圓的尺寸是否越大越好。
2018-03-16 14:50:23147634 
MOSFET的缺貨從2016年下半年就已經(jīng)開始，一直持續(xù)至今，主要由于上游晶圓代工廠產(chǎn)能有限，加之需求市場火爆，引發(fā)缺貨潮。
2018-12-04 11:25:423623 8英寸晶圓供給吃緊，帶動MOSFET漲價(jià)缺貨，廠商杰力預(yù)計(jì)MOSFET供不應(yīng)求情況將持續(xù)到明年上半年。
2018-12-05 16:40:544358 本文主要介紹了晶圓的結(jié)構(gòu)，其次介紹了晶圓切割工藝，最后介紹了晶圓的制造過程。
2019-05-09 11:15:5412823 
近日，中芯晶圓的首批8英寸（200mm）半導(dǎo)體硅拋光片順利下線，自打下第一根樁，到第一批硅片產(chǎn)出，杭州中芯晶圓僅用了16個(gè)月的時(shí)間。
2019-07-04 17:42:334316 近日，位于越城區(qū)皋埠街道的中芯集成電路制造（紹興）有限公司內(nèi)，全省首片8英寸晶圓順利下線。據(jù)悉，由該晶圓加工而成的芯片，將廣泛應(yīng)用于人工智能、新能源汽車、工業(yè)控制和移動通信等領(lǐng)域。
2019-11-28 16:30:453458 晶圓代工產(chǎn)能吃緊，MOSFET供給也連帶緊縮，加上晶圓代工及封測報(bào)價(jià)全面上漲，全宇昕（6651）將在第二季起對客戶溝通議價(jià)，漲幅約落在5～15％左右，藉以轉(zhuǎn)嫁成本提升。業(yè)界也同步傳出，其他臺灣
2021-01-06 17:53:501871 摩爾定律在晶圓工藝制程方面已是強(qiáng)弩之末，此時(shí)先進(jìn)的封裝技術(shù)拿起了接力棒。扇出型晶圓級封裝（FOWLP）等先進(jìn)技術(shù)可以提高器件密度、提升性能，并突破芯片I/O數(shù)量的限制。然而，要成功利用這類技術(shù)，在芯片設(shè)計(jì)之初就要開始考慮其封裝。
2020-11-12 16:55:391147 下半年開始，晶圓代工產(chǎn)能開始緊張，各路芯片喊漲聲連成一片，Mosfet等元器件率先漲價(jià)。 第三季度晶圓產(chǎn)能供應(yīng)不足順延至第四季度，8～12寸晶圓代工交期持續(xù)往后拉長，那么第四季度元器件交期價(jià)格走勢
2020-11-16 18:00:532434 晶圓是非常重要的物件之一，缺少晶圓，目前的大多電子設(shè)備都無法使用。在往期文章中，小編對晶圓的結(jié)構(gòu)、單晶晶圓等均有所介紹。本文中，為增進(jìn)大家對晶圓的了解，小編將闡述晶圓是如何變成CPU的。如果你對晶圓相關(guān)內(nèi)容具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-12-26 11:25:159947 晶圓是當(dāng)代重要的器件之一，對于晶圓，電子等相關(guān)專業(yè)的朋友通常較為熟悉。前文中，小編介紹了晶圓是如何變成CPU的。為增進(jìn)大家對晶圓的了解，本文中，小編將對晶圓、硅片以及晶圓和硅片的區(qū)別予以介紹。如果你對晶圓具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2021-01-03 11:56:0043210 根據(jù)中欣晶圓官方的消息，中欣晶圓12英寸第一枚外延片正式下線，成為國內(nèi)首家獨(dú)立完成12英寸單晶、拋光到外延研發(fā)、生產(chǎn)的企業(yè)。 官方表示，12月28日杭州中欣晶圓迎來了具有歷史意義的一天：在12英寸
2020-12-31 09:44:145522 作為華天集團(tuán)晶圓級先進(jìn)封裝基地，華天昆山2008年6月落戶昆山開發(fā)區(qū)，研發(fā)的晶圓級傳感器封裝技術(shù)、扇出型封裝技術(shù)、超薄超小型晶圓級封裝、晶圓級無源器件制造技術(shù)目前已達(dá)到世界領(lǐng)先水平。
2021-01-09 10:16:095508 全球領(lǐng)先的特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導(dǎo)體有限公司（“華虹半導(dǎo)體”或“公司”，股份代號：1347.HK）宣布，基于Deep-Trench Super Junction（“DT-SJ”）（深溝槽
2021-12-21 14:46:104369 扇出型晶圓級封裝最大的優(yōu)勢，就是令具有成千上萬I/O點(diǎn)的半導(dǎo)體器件,通過二到五微米間隔線實(shí)現(xiàn)無縫連接，使互連密度最大化，實(shí)現(xiàn)高帶寬數(shù)據(jù)傳輸，去除基板成本。
2022-03-23 14:02:252885 捷捷微電首批具有高浪涌防護(hù)能力的六英寸晶圓于 2022 年 3 月 26 日產(chǎn)出下線，良率高達(dá) 97.79%。
2022-03-31 16:17:593394 在傳統(tǒng)晶圓封裝中，是將成品晶圓切割成單個(gè)芯片，然后再進(jìn)行黏合封裝。不同于傳統(tǒng)封裝工藝，晶圓級封裝是在芯片還在晶圓上的時(shí)候就對芯片進(jìn)行封裝，保護(hù)層可以黏接在晶圓的頂部或底部，然后連接電路，再將晶圓切成單個(gè)芯片。
2022-04-06 15:24:1912071 晶圓級封裝技術(shù)可定義為：直接在晶圓上進(jìn)行大部分或全部的封裝、測試程序，然后再進(jìn)行安裝焊球并切割，從而產(chǎn)出一顆顆的IC成品單元。
2022-07-10 11:23:512215 溝槽柵結(jié)構(gòu)是一種改進(jìn)的技術(shù)，指在芯片表面形成的凹槽的側(cè)壁上形成MOSFET柵極的一種結(jié)構(gòu)。溝槽柵的特征電阻比平面柵要小，與平面柵相比，溝槽柵MOSFET消除了JFET區(qū)
2023-04-27 11:55:029391 
在半導(dǎo)體晶圓代工行業(yè)內(nèi)，特色工藝是指以拓展摩爾定律為指導(dǎo)，不完全依賴縮小晶體管特征尺寸（以下簡稱“線寬”），通過聚焦新材料、新結(jié)構(gòu)、新器件的研發(fā)創(chuàng)新與運(yùn)用，并強(qiáng)調(diào)特色I(xiàn)P定制能力和技術(shù)品類多元性的半導(dǎo)體晶圓制造工藝。
2023-05-17 15:49:561077 
眾所周知，“挖坑”是英飛凌的祖?zhèn)魇炙?。在硅基產(chǎn)品時(shí)代，英飛凌的溝槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和溝槽型的MOSFET就獨(dú)步天下。在碳化硅的時(shí)代，市面上大部分的SiCMOSFET都是平面
2023-01-12 14:34:012202 
研究人員對使用化學(xué)氣相沉積 (CVD) 生長的 6 英寸石墨烯層進(jìn)行了處理，并使用 Graphenea 的專利轉(zhuǎn)移工藝轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體晶圓上。根據(jù)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，使用鑲嵌接觸和硬掩模光刻在石墨烯層上構(gòu)建晶圓級器件。
2023-06-20 09:28:171473 
橫向型MOSFET，又稱之為橫向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">型的MOSFET，結(jié)構(gòu)如下圖所示。這里橫向的意思是指電流的流動方向與晶圓襯底之間的方向。
2023-06-25 17:14:545157 
兩者因?yàn)槠鋿艠O都是在外延表面生長出來的平面結(jié)構(gòu)所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結(jié)構(gòu)是把柵極構(gòu)建在結(jié)構(gòu)內(nèi)部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對兩種不同的結(jié)構(gòu)，對其導(dǎo)通電阻的構(gòu)成進(jìn)行簡單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:026122 
晶圓鍵合技術(shù)是將兩片不同結(jié)構(gòu)/不同材質(zhì)的晶圓，通過一定的物理方式結(jié)合的技術(shù)。晶圓鍵合技術(shù)已經(jīng)大量應(yīng)用于半導(dǎo)體器件封裝、材料及器件堆疊等多種半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域。
2023-10-24 12:43:242895 
扇出型晶圓級封裝技術(shù)的優(yōu)勢在于能夠利用高密度布線制造工藝，形成功率損耗更低、功能性更強(qiáng)的芯片封裝結(jié)構(gòu)，讓系統(tǒng)級封裝（System in a Package, SiP）和3D芯片封裝更愿意采用扇出型晶圓級封裝工藝。
2023-10-25 15:16:142051 
SiC具有高效節(jié)能、穩(wěn)定性好、工作頻率高、能量密度高等優(yōu)勢，SiC溝槽MOSFET（UMOSFET）具有高溫工作能力、低開關(guān)損耗、低導(dǎo)通損耗、快速開關(guān)速度等特點(diǎn)
2023-12-27 09:34:562548 
分為扇入型晶圓級芯片封裝（Fan-In WLCSP）和扇出型晶圓級芯片封裝（Fan-Out WLCSP），其特點(diǎn)是在整個(gè)封裝過程中，晶
2024-03-05 08:42:133555 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《2.5薄型晶圓組件90°彎曲.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-03 14:21:520 本文從硅片制備流程為切入點(diǎn)，以方便了解和選擇合適的硅晶圓，硅晶圓的制備工藝流程比較復(fù)雜，加工工序多而長，所以必須嚴(yán)格控制每道工序的加工質(zhì)量，才能獲得滿足工藝技術(shù)要求、質(zhì)量合格的硅單晶片（晶圓），否則就會對器件的性能產(chǎn)生顯著影響。
2024-10-21 15:22:271991 MOSFET（U-MOSFET）作為新一代功率器件，近年來備受關(guān)注。本文將詳細(xì)解析溝槽型SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)、特性、制造工藝、應(yīng)用及其技術(shù)挑戰(zhàn)。
2025-02-02 13:49:001996 ???? 本文主要介紹功率器件晶圓測試及封裝成品測試。?????? ? 晶圓測試（CP）???? 如圖所示為典型的碳化硅晶圓和分立器件電學(xué)測試的系統(tǒng)，主要由三部分組成，左邊為電學(xué)檢測探針臺阿波羅
2025-01-14 09:29:132360 
眾所周知，幾乎所有 SiC 器件都是在 150 毫米晶圓上制造的，使用更大的晶圓存在重大挑戰(zhàn)。從 200 毫米晶圓出貨器件是降低 SiC 器件成本的關(guān)鍵一步，其他公司也在開發(fā) 200 毫米技術(shù)
2025-02-19 11:16:55813 晶圓清洗機(jī)中的晶圓夾持是確保晶圓在清洗過程中保持穩(wěn)定、避免污染或損傷的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是晶圓夾持的設(shè)計(jì)原理、技術(shù)要點(diǎn)及實(shí)現(xiàn)方式： 1. 夾持方式分類 根據(jù)晶圓尺寸（如2英寸到12英寸）和工藝需求，夾持
2025-07-23 14:25:43931 派恩杰3300V MOSFET晶圓，專為高耐壓場景設(shè)計(jì)的第三代半導(dǎo)體功率器件核心材料，基于4H-SiC晶圓，擊穿電壓達(dá)3300V以上，相比于傳統(tǒng)硅基器件(如IGBT)，它在高壓、高溫、高頻場景下性能
2025-08-01 10:20:291244 技術(shù)支持。 關(guān)鍵詞：白光干涉儀；肖特基二極管晶圓；深溝槽；3D 輪廓測量 一、引言 肖特基二極管晶圓的深溝槽是實(shí)現(xiàn)器件高壓、低功耗特性的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)，承擔(dān)著電場調(diào)制、電流路徑控制等重要功能，其 3D 輪廓參數(shù)（如溝槽深度、側(cè)壁陡
2025-10-20 11:13:27279 
近日，美國亞利桑那州鳳凰城的臺積電 Fab 21 晶圓廠內(nèi)，一塊承載全球 AI 產(chǎn)業(yè)期待的特殊晶圓正式下線 —— 這是首片在美國本土制造的英偉達(dá) Blackwell 芯片晶圓。英偉達(dá) CEO 黃仁勛
2025-10-22 17:21:52703 摘要：本文研究白光干涉儀在晶圓深腐蝕溝槽 3D 輪廓測量中的應(yīng)用，分析其工作原理及適配深腐蝕溝槽特征的技術(shù)優(yōu)勢，通過實(shí)際案例驗(yàn)證測量精度，為晶圓深腐蝕工藝的質(zhì)量控制與器件性能優(yōu)化提供技術(shù)支持
2025-10-30 14:22:51230 
扇出型晶圓級封裝（FOWLP）的概念最早由德國英飛凌提出，自2016 年以來，業(yè)界一直致力于FOWLP 技術(shù)的發(fā)展。
2026-01-04 14:40:30202 
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