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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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湖南三安半導體項目進展迅速 第三代半導體項目廠房主體相繼封頂
近日,湖南三安半導體項目(一期)Ⅰ標段濺度廠房實現(xiàn)主體結(jié)構(gòu)封頂。這是該項目繼M3器件封裝廠房、M4碳化硅長晶廠房順利完成主體結(jié)構(gòu)封頂之后,項目建設迎來的...
合肥露笑半導體已購置第一期項目工業(yè)用地,預計3月底前主體廠房結(jié)頂
集微網(wǎng)消息,1月19日,露笑科技公布,近日,公司接到多位投資者咨詢電話和互動易平臺的提問,詢問關于合肥露笑半導體材料有限公司的進展情況。為使投資者及時、...
青銅劍第三代半導體產(chǎn)業(yè)基地奠基儀式在深圳坪山舉行
1月18日,青銅劍第三代半導體產(chǎn)業(yè)基地奠基儀式在深圳坪山舉行。 青銅劍第三代半導體產(chǎn)業(yè)基地是深圳市2020年重大項目,預計2022年底完工。該基地將作為...
《碳化硅的抗宇宙射線能力》 半導體器件在其整個生命周期中都會受到核粒子輻射。這種輻射源自于高能宇宙粒子撞擊大氣層外圍,并通過傳播與核反應在低海拔處形成核...
該工作中,研究者們選取了3C相(立方相)碳化硅中廣泛存在的層錯結(jié)構(gòu)作為研究對象。通過旋轉(zhuǎn)樣品,電子顯微鏡可以從側(cè)面觀測碳化硅的層錯缺陷,從而在空間上區(qū)分...
英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推出了1200V碳化硅(SiC)集成功率模塊(IPM),并在今年大規(guī)模推出了SiC解決方案。...
斯達半導投資建設全碳化硅功率模組產(chǎn)業(yè)化項目
可行性分析:2020年下半年,歐洲新能源汽車市場呈現(xiàn)爆發(fā)式增長,中國新能源汽車月產(chǎn)銷量屢創(chuàng)新高,各國紛紛加強戰(zhàn)略謀劃、強化政策驅(qū)動,加速發(fā)展新能源汽車。
日前,阿里巴巴達摩院預測了2021年科技趨勢,其中位列第一的是以氮化鎵和碳化硅為代表的第三代半導體將迎來應用大爆發(fā)。第三代半導體與前兩代有什么不同?為何...
泰科天潤項目:力爭6英寸碳化硅功率芯片產(chǎn)線春節(jié)前投產(chǎn)
據(jù)長沙晚報報道,位于湖南瀏陽經(jīng)開區(qū)(高新區(qū))的泰科天潤項目,力爭6英寸碳化硅功率芯片產(chǎn)線春節(jié)前投產(chǎn)。 據(jù)報道,如今90%的生產(chǎn)設備已到位,大部分設備處于...
基本半導體完成數(shù)億元B輪融資,打造行業(yè)領先的碳化硅IDM企業(yè)
全系碳化硅分立器件、模塊產(chǎn)品分別依據(jù)AEC-Q101、AQG-324標準進行可靠性測試,產(chǎn)品從設計到驗證遵循汽車行業(yè)標準,打造車規(guī)級質(zhì)量水平。
12月28日,阿里巴巴達摩院發(fā)布2021十大科技趨勢,為后疫情時代基礎技術(shù)及科技產(chǎn)業(yè)將如何發(fā)展提供了全新預測。 “以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體迎...
詳細分析碳化硅(SiC)器件制造工藝中的干法刻蝕技術(shù)
摘要:簡述了在SiC材料半導體器件制造工藝中,對SiC材料采用干法刻蝕工藝的必要性.總結(jié)了近年來SiC干法刻蝕技術(shù)的工藝發(fā)展狀況. 半導體器件已廣泛應用...
基于簡單的支架多片4H-SiC化學氣相沉積同質(zhì)外延生長
雖然在商用化學氣相沉積設備中可以在一次運行中實現(xiàn)多片4H-SiC襯底的同質(zhì)外延生長,但是必須將晶片裝載到可旋轉(zhuǎn)的大型基座上,這導致基座的直徑隨著數(shù)量或者...
碳化硅(SiC)電力電子器件將替代IGBT——這是英飛凌、羅姆等國際知名企業(yè)一致觀點。而比亞迪已經(jīng)開始布局。
前言:臻驅(qū)科技(上海)有限公司(以下簡稱“臻驅(qū)科技”)是一家以研發(fā)、生產(chǎn)和銷售新能源車動力總成及其功率半導體模塊為核心業(yè)務的高科技公司。2019年底,臻...
開關電源轉(zhuǎn)換器如何充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢
在過去的幾十年中,半導體行業(yè)已經(jīng)采取了許多措施來改善基于硅 MOSFET (parasitic parameters),以滿足開關轉(zhuǎn)換器(開關電源)設計...
2020-12-14 標簽:轉(zhuǎn)換器開關電源碳化硅 2.8k 0
隨著國家政策的扶持,車聯(lián)網(wǎng)及智能駕駛汽車逐步推廣。并且全球主要國家禁售燃油車進程加快,新能源汽車替代燃油車已成大勢所趨。2017年9月8日至10日,在天...
英飛凌推出CoolSiC? CIPOS? Maxi,全球首款采用轉(zhuǎn)模封裝的1200V碳化硅IPM
CIPOS Maxi IPM集成了改進的6通道1200 V絕緣體上硅(SOI)柵極驅(qū)動器和六個CoolSiC? MOSFET,以提高系統(tǒng)可靠性,優(yōu)化PC...
第三代半導體主要是指碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等材料。相比于第一、二代半導體,第三代半導體具有更高的禁帶寬度、高擊穿電壓、電導率和熱導率等特點。...
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