芯片制造

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《芯片制造》是2010年8月1日電子工業(yè)出版社出版的圖書，作者是（美國(guó)）贊特。本書介紹了半導(dǎo)體工藝的制作制程、誕生、發(fā)展、半導(dǎo)體材料和化學(xué)品的性質(zhì)等方面闡述。

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芯片制造技術(shù)

對(duì)于工程設(shè)計(jì)人員來(lái)講，IGBT芯片的性能，可以從規(guī)格書中很直觀地得到。但是，系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)，這些性能能夠發(fā)揮出來(lái)多少，就要看“封裝“了，畢竟夏天穿著棉襖工作...

2023-05-25 標(biāo)簽：英飛凌晶圓逆變器 2.5k 0

銅對(duì)芯片制造中的重要作用

在指甲蓋大小的芯片上，數(shù)百億晶體管需要通過(guò)比頭發(fā)絲細(xì)千倍的金屬線連接。當(dāng)制程進(jìn)入130納米節(jié)點(diǎn)時(shí)，傳統(tǒng)鋁互連已無(wú)法滿足需求——而銅（Cu）的引入，如同...

2025-07-09 標(biāo)簽：晶體管納米芯片制造 2.5k 0

濕法清洗設(shè)備在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用

芯片制造中的各道工序極為精密，那么我們是如何保持工藝中無(wú)污染的呢？

2023-12-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體芯片制造清洗設(shè)備 2.4k 0

芯片制造多重曝光中的套刻精度要求

本文介紹了先進(jìn)集成電路制造多重曝光中的套刻精度要求。

2025-05-21 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體芯片制造 2.4k 0

芯片制造中的鍵合技術(shù)詳解

鍵合技術(shù)是通過(guò)溫度、壓力等外部條件調(diào)控材料表面分子間作用力或化學(xué)鍵，實(shí)現(xiàn)不同材料（如硅-硅、硅-玻璃）原子級(jí)結(jié)合的核心工藝，起源于MEMS領(lǐng)域并隨SOI...

2025-08-01 標(biāo)簽：集成電路芯片制造鍵合 2.3k 0

2nm制程報(bào)價(jià)直逼2.5萬(wàn)美元

芯片制造領(lǐng)域正迎來(lái)3納米工藝的興起，并且2納米競(jìng)爭(zhēng)已經(jīng)全面展開。

2023-06-28 標(biāo)簽：臺(tái)積電芯片制造 2nm 2.3k 0

扇入型晶圓級(jí)封裝是什么？

晶圓級(jí)封裝技術(shù)可定義為：直接在晶圓上進(jìn)行大部分或全部的封裝、測(cè)試程序，然后再進(jìn)行安裝焊球并切割，從而產(chǎn)出一顆顆的IC成品單元。

2022-07-10 標(biāo)簽：晶圓封裝芯片制造 2.3k 0

芯片制造中的半導(dǎo)體材料介紹

半導(dǎo)體元素是芯片制造的主要材料，芯片運(yùn)算主要是用二進(jìn)制進(jìn)行運(yùn)算。所以在電流來(lái)代表二進(jìn)制的0和1，即0是不通電，1是通電。正好半導(dǎo)體通過(guò)一些微觀的構(gòu)造與參...

2025-04-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體芯片制造半導(dǎo)體材料 2.3k 0

美光確認(rèn)在印度建設(shè)首座芯片廠預(yù)計(jì)投資數(shù)額達(dá)8.25億美元

美國(guó)存儲(chǔ)芯片公司美光科技發(fā)布了投資至多8.25億美元在印度古吉拉特邦新建芯片組裝和測(cè)試設(shè)施的計(jì)劃，將成為該公司在印度的首座工廠。

2023-06-26 標(biāo)簽：芯片制造美光科技存儲(chǔ)芯片 2.2k 0

芯片制造工藝：平坦化技術(shù)

平整度(DP)描述了從微米到毫米范圍內(nèi)硅片表面的起伏變化，具體是指對(duì)于某一臺(tái)階處，在完成CMP工藝之后這個(gè)位置硅片表面的平整程度。

2022-10-26 標(biāo)簽：芯片制造 2.2k 0

芯片制造和封測(cè)工藝簡(jiǎn)述

晶圓是制作硅半導(dǎo)體IC所用之硅晶片，狀似圓形，故稱晶圓。材料是「硅」， IC（Integrated Circuit）廠用的硅晶片即為硅晶體，因?yàn)檎墓?..

2023-08-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IC 晶圓 2.2k 0

深度解析手機(jī)所能夠支持的無(wú)線通信系統(tǒng)

單極子天線是最最最古老的天線形式之一，在馬可尼的跨大西洋通信中就是應(yīng)用了單極子天線。馬可尼應(yīng)用的發(fā)射天線是從48m高的橫掛線斜拉下50根銅導(dǎo)線形成的扇形...

2023-12-15 標(biāo)簽：智能手機(jī)無(wú)線通信移動(dòng)設(shè)備 2.2k 1

芯片制造中的暈環(huán)注入技術(shù)

當(dāng)晶體管柵長(zhǎng)縮至20納米以下，源漏極間可能形成隱秘的電流通道，導(dǎo)致晶體管無(wú)法關(guān)閉。而暈環(huán)注入（Halo Implant）技術(shù)，正是工程師們?cè)O(shè)計(jì)的原子級(jí)...

2025-07-03 標(biāo)簽：晶體管芯片制造 PN結(jié) 2.1k 0

大規(guī)模紅外焦平面陣列探測(cè)器的效像元率指標(biāo)

隨著大規(guī)模紅外焦平面陣列探測(cè)器應(yīng)用的日益廣泛，用戶對(duì)其有效像元率指標(biāo)提出了越來(lái)越高的要求。

2023-08-14 標(biāo)簽：探測(cè)器芯片制造 SEM 2.1k 0

計(jì)算光刻技術(shù)有多重要？計(jì)算光刻如何改變2nm芯片制造？

光刻是在晶圓上創(chuàng)建圖案的過(guò)程，是芯片制造過(guò)程的起始階段，包括兩個(gè)階段——光掩膜制造和圖案投影。

2023-04-25 標(biāo)簽：gpu 芯片制造光刻 2.1k 0

芯片內(nèi)部有多小呢？芯片內(nèi)部為什么能這么??？

芯片藏身于城市中隨處可見的電子設(shè)備，智能手機(jī)、電腦、家電等都離不開它的控制。

2024-03-12 標(biāo)簽：晶圓晶體管芯片制造 2.1k 0

DRAM選擇為何突然變得更加復(fù)雜？

芯片制造商正在使用更多的DRAM。在某些情況下，DRAM——尤其是高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）——正在取代一些SRAM。DRAM在耐用性方面有著良好的記錄，也...

2023-11-22 標(biāo)簽：DRAM SRAM 數(shù)據(jù)中心 2.1k 0

淺談芯片制造中的這個(gè)儀器

主要應(yīng)用是鋁刻蝕液原料監(jiān)控：刻鋁酸含量測(cè)定（4%HNO3、75%H3PO4、10%HAc）滴定劑（0.2 M KOH-2-Isopronal）溶劑...

2022-07-08 標(biāo)簽：芯片制造微電子 2k 0

芯片制造工藝：晶體生長(zhǎng)、成形

1.晶體生長(zhǎng)基本流程下圖為從原材料到拋光晶圓的基本工藝流程：2.單晶硅的生長(zhǎng)從液態(tài)的熔融硅中生長(zhǎng)單晶硅的及基本技術(shù)稱為直拉法（Czochralski）。...

2024-12-17 標(biāo)簽：芯片晶體芯片制造 2k 0

一文解析MEMS工藝的部分關(guān)鍵技術(shù)

MEMS是Micro Electro Mechanical Systems（微機(jī)電系統(tǒng)）的縮寫，具有微小的立體結(jié)構(gòu)（三維結(jié)構(gòu)），是處理各種輸入、輸出信號(hào)...

2023-10-12 標(biāo)簽：mems 晶圓芯片制造 2k 0

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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問(wèn)題。

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芯片制造

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