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芯片制造

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《芯片制造》是2010年8月1日電子工業(yè)出版社出版的圖書，作者是（美國）贊特。本書介紹了半導(dǎo)體工藝的制作制程、誕生、發(fā)展、半導(dǎo)體材料和化學(xué)品的性質(zhì)等方面闡述。

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芯片制造技術(shù)

集成電路制造工藝中的High-K材料介紹

本文介紹了在集成電路制造工藝中的High-K材料的特點(diǎn)、重要性、優(yōu)勢(shì)，以及工藝流程和面臨的挑戰(zhàn)。

2025-03-12 標(biāo)簽：芯片集成電路制造工藝 3.1k 0

集成電路設(shè)計(jì)與制造過程

一個(gè)復(fù)雜的處理器可能包含數(shù)億甚至數(shù)十（百）億個(gè)晶體管，這些晶體管通過細(xì)金屬線彼此互聯(lián)。芯片的制造過程極其復(fù)雜，需要經(jīng)歷數(shù)百個(gè)精確控制的步驟。

2025-03-03 標(biāo)簽：處理器集成電路半導(dǎo)體 3.1k 0

芯片制造中薄膜厚度量測(cè)的重要性

本文論述了芯片制造中薄膜厚度量測(cè)的重要性，介紹了量測(cè)納米級(jí)薄膜的原理，并介紹了如何在制造過程中融入薄膜量測(cè)技術(shù)。

2025-02-26 標(biāo)簽：薄膜芯片制造量測(cè)技術(shù) 3.1k 0

半導(dǎo)體芯片制造的各個(gè)階段

固態(tài)器件的制造分為以下五個(gè)不同的階段(如下圖所示

2023-10-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓芯片制造 3.1k 0

芯片制造中高精度膜厚測(cè)量與校準(zhǔn)：基于紅外干涉技術(shù)的新方法

在先進(jìn)光學(xué)、微電子和材料科學(xué)等領(lǐng)域，透明薄膜作為關(guān)鍵工業(yè)組件，其亞微米級(jí)厚度的快速穩(wěn)定測(cè)量至關(guān)重要。芯片制造中，薄膜襯底的厚度直接影響芯片的性能、可靠性...

2025-07-21 標(biāo)簽：芯片制造測(cè)量 3k 0

氯氣在芯片制造中有哪些應(yīng)用？

氯氣，我們?cè)诔踔谢瘜W(xué)中已經(jīng)接觸過，知道它是一種劇毒氣體，但是在芯片制造中，氯氣卻是一種十分重要的氣體。

2023-11-13 標(biāo)簽：芯片制造 3k 0

半導(dǎo)體摻雜濃度及圖形測(cè)量方法

熱波系統(tǒng)通過激光誘導(dǎo)熱效應(yīng)與晶格缺陷的關(guān)聯(lián)性實(shí)現(xiàn)摻雜濃度評(píng)估。其核心機(jī)制為：氬泵浦激光經(jīng)雙面鏡聚焦于晶圓表面，通過光熱效應(yīng)產(chǎn)生周期性熱波，導(dǎo)致局部晶格缺...

2025-07-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體芯片制造 3k 0

ASIC設(shè)計(jì)開發(fā)流程介紹 CMOS集成電路的功耗來源

集成電路是由硅晶圓（wafer）切割出來的芯片（die）組成的。每個(gè)晶圓可以切割出數(shù)百個(gè)芯片。

2023-07-01 標(biāo)簽：集成電路 asic 存儲(chǔ)器 3k 0

氮化鈦在芯片制造中的重要作用

氮化鈦（TiN）是一種具有金屬光澤的陶瓷材料，其晶體結(jié)構(gòu)為立方晶系，化學(xué)穩(wěn)定性高、硬度大（莫氏硬度9-10）、熔點(diǎn)高達(dá)2950℃。在半導(dǎo)體領(lǐng)域，TiN展...

2025-03-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體芯片制造陶瓷材料 2.9k 0

半導(dǎo)體工藝晶圓片的制備過程

先看一些晶圓的基本信息，和工藝路線。晶圓主要尺寸有4吋，6吋硅片，目前對(duì)8吋，12吋硅片的應(yīng)用在不斷擴(kuò)大。這些直徑分別為100mm、150mm、2...

2024-04-15 標(biāo)簽：芯片制造硅片晶圓制造 2.8k 0

光源掩模協(xié)同優(yōu)化的原理與應(yīng)用

由于SMO優(yōu)化的結(jié)果是要應(yīng)用到整塊芯片上去的，而對(duì)所有的圖形進(jìn)行SMO是極為耗時(shí)的，因此，我們需要使用關(guān)鍵圖形篩選技術(shù)提前將重復(fù)或者冗余的圖形剔除，以保...

2023-08-01 標(biāo)簽：摩爾定律芯片制造光刻機(jī) 2.8k 0

芯片制造中的濕法刻蝕和干法刻蝕

在芯片制造過程中的各工藝站點(diǎn)，有很多不同的工藝名稱用于除去晶圓上多余材料，如“清洗”、“刻蝕”、“研磨”等。如果說“清洗”工藝是把晶圓上多余的臟污、pa...

2024-12-16 標(biāo)簽：芯片芯片制造刻蝕 2.8k 0

芯片的常見功耗問題盤點(diǎn)

Cadence產(chǎn)品管理總監(jiān)Melika Roshandell表示：“盡管基本漏電較之前的技術(shù)有所降低，但總體功耗卻更高。所以，熱量問題將更加嚴(yán)重，因?yàn)槟?..

2024-03-25 標(biāo)簽：傳感器芯片 cpu 2.8k 0

CP測(cè)試與FT測(cè)試的區(qū)別

在集成電路（IC）制造與測(cè)試過程中，CP（ChipProbing，晶圓探針測(cè)試）和FT（FinalTest，最終測(cè)試）是兩個(gè)重要的環(huán)節(jié)，它們承擔(dān)了不同的...

2024-11-02 標(biāo)簽：集成電路測(cè)試晶圓 2.7k 0

芯片制造中的化學(xué)鍍技術(shù)研究進(jìn)展

芯片制造中大量使用物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、電鍍、熱壓鍵合等技術(shù)來實(shí)現(xiàn)芯片導(dǎo)電互連。

2025-06-03 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體芯片制造 2.7k 0

為什么ASML不自己制造芯片？摩爾定律真的失效了嗎

ASML 稱之為超數(shù)值孔徑的研發(fā)正在進(jìn)行中，因此更具體的光學(xué)器件，尚不清楚它是否會(huì)起作用。距生產(chǎn)還有 10 年的時(shí)間，但這正是研發(fā)已經(jīng)在進(jìn)行的地方，如果...

2023-02-06 標(biāo)簽：摩爾定律芯片制造 ASML 2.7k 0

懂得芯片生產(chǎn)制造,看懂制造商從小處用心的美好

總體而言，從現(xiàn)在到2023年，汽車應(yīng)用半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)將出現(xiàn)7％的復(fù)合年增長率，市場(chǎng)價(jià)值將從350億美元增加到540億美元。在ADAS／自動(dòng)駕駛／車載信息...

2018-06-05 標(biāo)簽：芯片制造 2.7k 0

芯片制造的關(guān)鍵一環(huán)：介質(zhì)層制備工藝全解析

在芯片這一高度集成化和精密化的電子元件中，介質(zhì)層扮演著至關(guān)重要的角色。它不僅在芯片中提供了必要的電氣隔離，還在多層互連結(jié)構(gòu)中實(shí)現(xiàn)了信號(hào)的高效傳輸。隨著芯...

2025-02-18 標(biāo)簽：電子元件芯片制造半導(dǎo)體封裝 2.6k 0

解析光刻芯片掩模的核心作用與設(shè)計(jì)

掩模在芯片制造中起到“底片”的作用，是一類不可或缺的晶圓制造材料，在芯片封裝（構(gòu)筑芯片的外殼和與外部的連接)、平板顯示(TFT-LCD液晶屏和OLED屏...

2024-01-18 標(biāo)簽：印刷電路板芯片制造光刻 2.6k 0

浸沒式光刻，拯救摩爾定律

2000年代初，芯片行業(yè)一直致力于從193納米氟化氬（ArF）光源光刻技術(shù)過渡到157納米氟（F 2 ）光源光刻技術(shù)。

2023-08-23 標(biāo)簽：編碼器晶圓交換機(jī) 2.6k 0

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北京時(shí)間2015年9月10日，美國蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測(cè)試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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