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標(biāo)簽 > 蝕刻
最早可用來(lái)制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量（Weight Reduction）儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經(jīng)過(guò)不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展，亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工，特別在半導(dǎo)體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。
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芯片或集成電路在20世紀(jì)50年代末開始取代體積龐大的單個(gè)晶體管。許多這些微小的部件是在一塊硅上生產(chǎn)的，并連接在一起工作。產(chǎn)生的芯片存儲(chǔ)數(shù)據(jù)、放大無(wú)線電信...
關(guān)于硫酸-過(guò)氧化氫-水系統(tǒng)中砷化鎵的化學(xué)蝕刻研究報(bào)告
摘要 我們?nèi)A林科納對(duì)h2so4-h202-h20體系中（100）砷化鎵的蝕刻情況進(jìn)行了詳細(xì)的研究。研究了特定蝕刻劑成分的濃度對(duì)蝕刻速率和晶體表面形狀的影...
隨著集成電路尺寸縮小至亞微米技術(shù)節(jié)點(diǎn)，原始的本征氧化隔離技術(shù)（LocOS）已不適應(yīng)?！案綦x”是指利用介質(zhì)材料或反向PN結(jié)隔離集成電路的有源區(qū)器件，消除寄...
關(guān)鍵詞 晶圓清洗 電氣 半導(dǎo)體 引言 半導(dǎo)體器件的制造是從半導(dǎo)體器件開始廣泛銷往市場(chǎng)的半個(gè)世紀(jì) 前到現(xiàn)在為止與粒子等雜質(zhì)的戰(zhàn)斗。半個(gè)世紀(jì)初，人們已經(jīng)了 ...
為了提供更優(yōu)良的靜電完整性，三維(3D)設(shè)計(jì)（如全圍柵(GAA)場(chǎng)電子晶體管(FET )）預(yù)計(jì)將在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中被采用。3D MOS架構(gòu)為蝕...
PCB生產(chǎn)過(guò)程：為什么PCB內(nèi)外層蝕刻方法不一樣
如果單板或拼板的尺寸不合適，PCB生產(chǎn)過(guò)程中，就會(huì)產(chǎn)生很多的原料廢邊，PCB板廠會(huì)把之些廢邊的價(jià)格都加到你的板子上，這樣你的PCB板單位價(jià)格就貴一些。
芯片制造的最后一道工序?yàn)闇y(cè)試，其又可分為一般測(cè)試和特殊測(cè)試，前者是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測(cè)試其電氣特性，如消耗功率、運(yùn)行速度、耐壓度等。
在整個(gè)晶圓加工過(guò)程中，仔細(xì)維護(hù)清潔的晶圓表面對(duì)于在半導(dǎo)體器件制造中獲得高產(chǎn)量至關(guān)重要。因此，濕式化學(xué)清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中應(yīng)用...
要注意的是，這時(shí)的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍，其特點(diǎn)是鍍銅層僅...
2019-07-08 標(biāo)簽：pcb印制電路板PCB設(shè)計(jì) 3.2k 0
在本研究中，我們?cè)O(shè)計(jì)了一個(gè)150mm晶片的濕蝕刻槽來(lái)防止硅片的背面蝕刻，并演示了優(yōu)化的工藝配方，使各向異性濕蝕刻的背面沒有任何損傷，我們還提出了300m...
PCB會(huì)發(fā)生什么故障？關(guān)于PCB蝕刻又知道多少？
PCB如何發(fā)生故障？ PCB會(huì)出現(xiàn)多種故障，具體取決于您使用的電路類型，如模擬，數(shù)字，高壓，低壓，電路子系統(tǒng)的工作頻率，溫度等。除了這種類型的pcb材料...
干法刻蝕的概念、碳硅反應(yīng)離子刻蝕以及ICP的應(yīng)用
碳化硅（SiC）作為一種高性能材料，在大功率器件、高溫器件和發(fā)光二極管等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。其中，基于等離子體的干法蝕刻在SiC的圖案化及電子器件制造中...
雖然通過(guò)蝕刻的結(jié)構(gòu)化是通過(guò)(例如抗蝕劑)掩模對(duì)襯底的全表面涂層進(jìn)行部分腐蝕來(lái)完成的，但是在剝離過(guò)程中，材料僅沉積在不受抗蝕劑掩模保護(hù)的位置。本章描述了獲...
在本研究中，我們?nèi)A林科納研究了在液晶顯示(LCD)技術(shù)中常用的蝕刻劑中相同的ITO薄膜的蝕刻速率，保持浴液溫度恒定，并比較了含有相同濃度的酸的溶液，對(duì)I...
阻抗的計(jì)算是相對(duì)比較繁瑣的，但我們可以總結(jié)一些經(jīng)驗(yàn)值幫助提高計(jì)算效率。對(duì)于常用的 FR4，50ohm 的微帶線，線寬一般等于介質(zhì)厚度的 2 倍;50oh...
在濕法各向異性蝕刻中，底切凸角的蝕刻輪廓取決于蝕刻劑的類型。已經(jīng)進(jìn)行了大量的研究來(lái)解釋這種凸角底切并確定底切平面的方向。然而，還不清楚為什么不同蝕刻劑會(huì)...
通過(guò)高選擇性蝕刻，專用蝕刻工具可在 IC 生產(chǎn)過(guò)程中去除或蝕刻掉微小芯片結(jié)構(gòu)中的材料
大多數(shù)iii\-氮化物的蝕刻目前是通過(guò)干燥工藝完成的。雖然干蝕刻具有許多理想的特性，包括高蝕刻率和獲得垂直壁的能力，但干蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn)，包括產(chǎn)生離子致?lián)p...
蝕刻機(jī)理 諸如KOH-、NaOH-或TMAH-溶液的強(qiáng)含水堿性介質(zhì)蝕刻晶體硅通孔 硅+ 2 OH- + 2 H O ?硅(OH) + H ?二氧化硅(O...
如何對(duì)氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)進(jìn)行干法刻蝕
氮化鎵作為一種寬帶隙半導(dǎo)體，已被用于制造發(fā)光二極管和激光二極管等光電器件。最近已經(jīng)開發(fā)了幾種用于氮化鎵基材料的不同干蝕刻技術(shù)。電感耦合等離子體刻蝕因其優(yōu)...
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