鍺、硅、SiNx薄膜的各向同性等離子體蝕刻

CMOS和MEMS制造技術(shù)，允許相對于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實(shí)用性。這種化學(xué)性質(zhì)非常有用，但是當(dāng)存在其他材料并且也已知在H...

2023-06-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體等離子體蝕刻 2.5k 0

濕式化學(xué)蝕刻法制備硅片微孔

微孔利用光和物質(zhì)的相互作用來獲得獨(dú)特的性質(zhì)，特別是，當(dāng)用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時(shí)，金屬微孔結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出強(qiáng)烈的共振。然而，...

2023-05-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 2.4k 0

四甲基氫氧化銨水溶液濕蝕刻中AlGaN/AlN摩爾分?jǐn)?shù)關(guān)系

在本文中，我們詳細(xì)研究了AlGaN的濕法刻蝕特性。特別地，我們研究了m面刻面形成和AlN摩爾分?jǐn)?shù)對蝕刻速率的依賴關(guān)系。我們還研究了氮化鋁摩爾分?jǐn)?shù)差異較大...

2021-12-13 標(biāo)簽：芯片摩爾定律電化學(xué) 2.3k 0

各種疊層結(jié)構(gòu)的PCB圖內(nèi)部架構(gòu)設(shè)計(jì)

今天畫了幾張多層PCB電路板內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖，用立體圖形展示各種疊層結(jié)構(gòu)的PCB圖內(nèi)部架構(gòu)。

2024-01-02 標(biāo)簽：pcb蝕刻過孔 2.3k 0

深入探討 PCB 制造技術(shù)：化學(xué)蝕刻

作者：Jake Hertz 在眾多可用的 PCB 制造方法中，化學(xué)蝕刻仍然是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。蝕刻以其精度和可擴(kuò)展性而聞名，它提供了一種創(chuàng)建詳細(xì)電路圖案的可靠方...

2025-01-25 標(biāo)簽：電路板蝕刻PCB 2.3k 0

硅濕法蝕刻中的表面活性劑

本文描述了我們?nèi)A林科納用于III族氮化物半導(dǎo)體的選擇性側(cè)壁外延的具有平面?zhèn)缺诳堂娴墓栉⒚缀图{米鰭的形成。通過濕法蝕刻取向的硅晶片生產(chǎn)鰭片。使用等離子體增...

2022-07-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻硅晶片 2.2k 0

關(guān)于晶片背面的薄膜蝕刻法說明

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，為了在有限的面積內(nèi)形成很多器件，技術(shù)正在向多層結(jié)構(gòu)發(fā)展，要想形成多層結(jié)構(gòu)，將形成比現(xiàn)有的更多的薄膜層，這時(shí)晶片背面也會堆積膜。如果...

2022-03-28 標(biāo)簽：蝕刻晶片 2.2k 0

關(guān)于兩種蝕刻方式介紹

干式蝕刻是為對光阻上的圖案忠實(shí)地進(jìn)行高精密加工的過程，故選擇材料層與光阻層的蝕刻速率差（選擇比）較大、且能夠確保蝕刻的非等向性（主要隨材料層的厚度方向進(jìn)...

2024-04-18 標(biāo)簽：蝕刻 2.1k 0

溫度對去除氮化物和氧化物層的影響

本文介紹了在緩沖氧化物腐蝕(BOE)溶液中溫度對氮化物和氧化物層腐蝕速率的影響。明確的框架結(jié)構(gòu)和減少的蝕刻時(shí)間將提高制造過程的生產(chǎn)率，該方法從圖案化氮化...

2022-05-05 標(biāo)簽：工藝蝕刻氧化物 2.1k 0

針對去離子水在晶片表面處理的應(yīng)用的研究

隨著半導(dǎo)體科技的發(fā)展，在固態(tài)微電子器件制造中，人們對清潔基底表面越來越重視。濕法清洗一般使用無機(jī)酸、堿和氧化劑，以達(dá)到去除光阻劑、顆粒、輕有機(jī)物、金屬污...

2023-06-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 2.1k 0

PCB電路板和芯板的制作

PCB制作第一步是整理并檢查PCB布局（Layout）。PCB制作工廠收到PCB設(shè)計(jì)公司的CAD文件，由于每個CAD軟件都有自己獨(dú)特的文件格式，所以PC...

2023-10-20 標(biāo)簽：pcb電路板蝕刻 2.1k 0

硅的氧化物和氮化物的氣相氟化氫蝕刻作用

本文研究了硅的氧化物和氮化物的氣相氟化氫蝕刻作用，新的氧化物選擇性模式，概述了通過將無水高頻與控制量的水蒸汽混合而產(chǎn)生高頻蒸汽蝕刻劑的實(shí)現(xiàn)方法，描述了一...

2022-04-11 標(biāo)簽：晶硅蝕刻氧化物 2k 0

AlGaN/GaN的光電化學(xué)蝕刻工藝

2022-07-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻GaN 2k 0

PCB工藝制程解析

PCB加工十幾道工序會，不可避免的會存在加工誤差，PCB制造行業(yè)采用的標(biāo)準(zhǔn)通常是指標(biāo)準(zhǔn)的ISO、UL、等行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。華秋PCB可實(shí)現(xiàn)的線寬公差范圍在±15...

2023-09-06 標(biāo)簽：pcb電路板蝕刻 2k 0

如何在蝕刻工藝中實(shí)施控制？

蝕刻可能是濕制程階段最復(fù)雜的工藝，因?yàn)橛泻芏嘁蛩貢绊懳g刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動化方法來...

2023-05-19 標(biāo)簽：pcb控制系統(tǒng)設(shè)備 2k 0

多晶硅蝕刻殘留物的的形成機(jī)理

為了闡明蝕刻殘留物的形成機(jī)理，研究了氯/氦-氧、溴化氫/氦-氧和溴化氫/氯等不同氣體混合物的影響，我們發(fā)現(xiàn)在氧的存在下，蝕刻殘留物形成良好，這表明蝕刻殘...

2022-05-06 標(biāo)簽：多晶硅蝕刻 2k 0

混合鋁蝕刻劑的化學(xué)特性分析

摘要 我們?nèi)A林科納研究了正磷酸、聚磷酸、和鐵(III)氯化物蝕刻劑對工藝條件變化的敏感性，以確定該蝕刻劑系統(tǒng)在純鋁電路光刻制造中的潛在生產(chǎn)應(yīng)用。溫度變化...

2022-01-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體印刷電路蝕刻 2k 0