硅晶片的化學(xué)刻蝕和動(dòng)力學(xué)效應(yīng)

硅的三相、基于酸的濕法蝕刻中的傳輸和動(dòng)力學(xué)效應(yīng)的研究已經(jīng)完成。由反應(yīng)形成的氣泡附著在表面上的隨機(jī)位置，表面的一部分被反應(yīng)物遮蔽。這種氣泡掩蔽效應(yīng)被模擬為...

2022-04-15 標(biāo)簽：蝕刻硅晶片 1.6k 0

多晶硅表面紋理化的典型方法

濕化學(xué)蝕刻是多晶硅表面紋理化的典型方法,濕化學(xué)蝕刻法也是多晶體硅表面鋸切損傷的酸織構(gòu)化或氫氧化鉀鋸切損傷去除后的兩步化學(xué)蝕刻,這些表面紋理化方法是通過在...

2022-03-28 標(biāo)簽：工藝蝕刻晶片 1.6k 0

操作參數(shù)對(duì)蝕刻速率和均勻性的影響

本研究的目的是開發(fā)和應(yīng)用一個(gè)數(shù)值模型來幫助設(shè)計(jì)和操作CDE工具，為此，我們編制了第一個(gè)已知的NF3/02氣體的等離子體動(dòng)力學(xué)模型，通過與實(shí)驗(yàn)蝕刻速率數(shù)據(jù)...

2022-04-08 標(biāo)簽：蝕刻晶片CDE 1.6k 0

淺析MEMS工藝的部分關(guān)鍵技術(shù)

MEMS是Micro Electro Mechanical Systems（微機(jī)電系統(tǒng)）的縮寫，具有微小的立體結(jié)構(gòu)（三維結(jié)構(gòu)），是處理各種輸入、輸出信號(hào)...

2023-10-18 標(biāo)簽：mems晶圓芯片制造 1.6k 0

O極和Zn極ZnO單晶的蝕刻行為

引言 氧化鋅是最廣泛研究的纖鋅礦半導(dǎo)體之一。氧化鋅不僅作為單晶，而且以多晶薄膜的形式。其顯著的性能，如寬直接帶隙3.37 eV，大結(jié)合強(qiáng)度內(nèi)聚能1.89...

2022-01-12 標(biāo)簽：晶圓單晶蝕刻 1.6k 0

硅晶圓蝕刻過程中的化學(xué)反應(yīng)研究

硅晶圓作為硅半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料，是極其重要的，將作為鑄錠成長的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中，晶圓表面會(huì)產(chǎn)生加工變質(zhì)層。為了去除該加工變質(zhì)層...

2022-04-12 標(biāo)簽：硅晶圓蝕刻 1.6k 0

金屬蝕刻殘留物對(duì)對(duì)等離子體成分和均勻性的影響

本文研究了金屬蝕刻殘留物，尤其是鈦和鉭殘留物對(duì)等離子體成分和均勻性的影響。通過所謂的漂浮樣品的x射線光電子能譜分析來分析室壁，并且通過光發(fā)射光譜來監(jiān)測(cè)C...

2022-05-05 標(biāo)簽：等離子蝕刻晶片 1.6k 0

一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法

本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法，在通過臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后，重復(fù)測(cè)量，然后確定了成分和表面電位的深度分布，因...

2022-04-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 1.6k 0

高速pcb設(shè)計(jì)11個(gè)布線技巧

混合信號(hào)電路需要在單點(diǎn)連接模擬地和數(shù)字地。在原理圖，還是建議在模擬和數(shù)字部分之間放置鐵氧體磁珠或0Ω電阻。 數(shù)字地和模擬地的合并應(yīng)靠近集成電路放置...

2023-10-07 標(biāo)簽：pcb天線阻抗 1.6k 0

RCA清潔變量對(duì)顆粒去除效率的影響

摘要 在濕化學(xué)加工中，制造需要表面清潔度和表面光滑度。有必要完美地控制所有工藝參數(shù)，特別是對(duì)于常見的清潔技術(shù)RCA clean (SC-1和SC-2) ...

2021-12-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體超聲波蝕刻 1.6k 0

異質(zhì)結(jié)太陽能電池中氫化本征非晶硅的設(shè)計(jì)

在硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池（SHJ）中，pn結(jié)由兩種不同形貌的硅形成，即一種是n型晶體硅（c-Si），另一種是p摻雜（III族）元素?fù)诫s）非晶硅（a-Si）。...

2023-06-13 標(biāo)簽：太陽能蝕刻電池 1.6k 0

硅結(jié)構(gòu)的深且窄的各向異性蝕刻研究

在使用低溫卡盤的低壓高密度等離子體反應(yīng)器中研究了硅結(jié)構(gòu)的深且窄的各向異性蝕刻。我們?nèi)A林科納以前已經(jīng)證明了這種技術(shù)在這種結(jié)構(gòu)上的可行性。已經(jīng)研究了蝕刻速率...

2022-05-11 標(biāo)簽：晶圓蝕刻反應(yīng)器 1.5k 0

印制電路噴淋蝕刻精細(xì)線路流體力學(xué)模型分析

在精細(xì)印制電路制作過程中，噴淋蝕刻是影響產(chǎn)品質(zhì)量合格率重要的工序之一?，F(xiàn)有很多的文章對(duì)精細(xì)線路的蝕刻做了大量的研究，但是大多數(shù)都只停留在表象的研究中，并...

2023-10-17 標(biāo)簽：印制電路蝕刻流體力學(xué) 1.5k 0

使用晶片處理技術(shù)在硅中產(chǎn)生溝槽結(jié)構(gòu)

本文討論了一種使用容易獲得的晶片處理技術(shù)在硅中產(chǎn)生溝槽結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)單技術(shù)，通過使用(110)Si的取向相關(guān)蝕刻，可能在硅中產(chǎn)生具有垂直側(cè)壁的溝槽，與該技術(shù)一...

2022-05-05 標(biāo)簽：處理技術(shù)蝕刻晶片 1.5k 0

濕法蝕刻的GaAs表面研究

為了能夠使用基于 GaAs 的器件作為化學(xué)傳感器，它們的表面必須進(jìn)行化學(xué)改性。GaAs 表面上液相中分子的可重復(fù)吸附需要受控的蝕刻程序。應(yīng)用了幾種分析方...

2022-03-31 標(biāo)簽：傳感器蝕刻GaAs 1.5k 0

硅晶片的蝕刻預(yù)處理方法包括哪些

硅晶片的蝕刻預(yù)處理方法包括:對(duì)角度聚合的硅晶片進(jìn)行最終聚合處理，對(duì)上述最終聚合的硅晶片進(jìn)行超聲波清洗后用去離子水沖洗，對(duì)上述清洗和沖洗的硅晶片進(jìn)行SC-...

2022-04-13 標(biāo)簽：蝕刻清洗硅晶片 1.5k 0

鋁等離子體蝕刻率的限制

隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個(gè)側(cè)壁鈍化機(jī)制。盡管AlCl和A...

2023-06-27 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體等離子體 1.4k 0