蝕刻

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最早可用來(lái)制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量（Weight Reduction）儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經(jīng)過(guò)不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展，亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工，特別在半導(dǎo)體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。

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蝕刻技術(shù)

完整的表面處理工藝過(guò)程介紹

電鍍是利用電解原理在某些金屬或其它材料制件的表面鍍上一薄層其它金屬或合金的過(guò)程。

2023-03-23 標(biāo)簽：電鍍 PVD 蝕刻 1.4k 0

MACE工藝制備黑硅的表面形態(tài)學(xué)和光學(xué)性能研究

本文研究了用兩步金屬輔助化學(xué)蝕刻(MACE)工藝制備的黑硅（b-Si）的表面形態(tài)學(xué)和光學(xué)性能，研究了銀膜低溫退火和碳硅片蝕刻時(shí)間短的兩步MACE法制備硼...

2022-03-29 標(biāo)簽：工藝蝕刻晶片 1.4k 0

使用蝕刻掩模材料在InP襯底中實(shí)現(xiàn)V形槽

p-i-n光電探測(cè)器封裝中最具挑戰(zhàn)性的任務(wù)之一是將光纖耦合到探測(cè)器。由于探測(cè)器和光纖的尺寸都非常小，精確和準(zhǔn)確的對(duì)準(zhǔn)非常關(guān)鍵。如今，在大多數(shù)情況下，這是...

2022-05-11 標(biāo)簽：材料蝕刻掩模 1.4k 0

使用KOH各向異性蝕刻Si的光學(xué)器件的單掩模微制造（下）

接上回的實(shí)驗(yàn)演示 ? 實(shí)驗(yàn)演示? 非球面的制造包括以下步驟: 1.光刻掩模的設(shè)計(jì)和圖案到沉積在硅晶片上的氧化層的轉(zhuǎn)移； 2.KOH蝕刻以形成金字塔形凹坑...

2022-05-11 標(biāo)簽：光學(xué)蝕刻蝕刻工藝 1.4k 0

基于Cl2/BCl3電感偶聯(lián)等離子體的氮化鎵干蝕特性

氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實(shí)現(xiàn)藍(lán)光發(fā)光二極管(led)的主導(dǎo)材料。由于GaN的高化學(xué)穩(wěn)定性，在室溫下用濕法化...

2023-10-12 標(biāo)簽：電感氮化鎵蝕刻 1.4k 0

線路板PCB加工特殊制程

這是一種全新領(lǐng)域的薄形多層板做法，早啟蒙是源自 IBM 的SLC 制程，系于其日本的 Yasu 工廠 1989 年開始試產(chǎn)的，該法是以傳統(tǒng)雙面板為基礎(chǔ)，...

2023-08-21 標(biāo)簽：線路板電鍍銅蝕刻 1.4k 0

薄膜晶體管液晶銅膜蝕刻

由于在室溫下的低電阻率和低材料成本，銅(Cu)被積極地考慮作為高質(zhì)量和大面積TFT-LCD的金屬電極的候選。事實(shí)上，開發(fā)具有低電阻率的金屬電極工藝是下一...

2023-09-18 標(biāo)簽：電極晶體管蝕刻 1.3k 0

通信——通過(guò)表面電荷操縱控制鍺的蝕刻

引言鍺是下一代背面成像器的有希望的替代品，因?yàn)樽罱耐|(zhì)外延生長(zhǎng)已經(jīng)產(chǎn)生了非常低的缺陷密度。鍺的固有特性使其能夠進(jìn)行高速硬X射線檢測(cè)，并在硅基本透明的...

2024-04-25 標(biāo)簽：蝕刻 edl 1.3k 0

Pb(ZrTi)O 3鐵電體的濕化學(xué)蝕刻

當(dāng)今世界信息社會(huì)的發(fā)展在很大程度上依賴于高比特率電信技術(shù)的質(zhì)量。雖然微波和光纖被用于長(zhǎng)距離傳輸，但光網(wǎng)絡(luò)也將對(duì)高比特率信息的局部分布發(fā)揮至關(guān)重要的作用。

2023-03-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻光學(xué)器件 1.3k 0

使用各向同性濕蝕刻和低損耗線波導(dǎo)制造與蝕刻材料對(duì)非晶硅進(jìn)行納米級(jí)厚度控制

我們?nèi)A林科納通過(guò)光學(xué)反射光譜半實(shí)時(shí)地原位監(jiān)測(cè)用有機(jī)堿性溶液的濕法蝕刻，以實(shí)現(xiàn)用于線波導(dǎo)的氫化非晶硅（a-Si:H）膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的...

2023-08-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體監(jiān)測(cè)蝕刻 1.3k 0

CLL技術(shù)應(yīng)用于新材料和系統(tǒng)的制造和研究

化學(xué)提升光刻(CLL)是一種減法軟光刻技術(shù)，它使用聚二甲基硅氧烷(PDMS)標(biāo)記來(lái)繪制功能分子的自組裝單層，應(yīng)用范圍從生物分子圖案到晶體管制造。在此我們...

2022-06-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻蝕刻 1.2k 0

PCB為什么發(fā)生甩銅？這3個(gè)原因給說(shuō)全了

還有一種情況就是PCB蝕刻參數(shù)沒有問(wèn)題，但蝕刻后水洗及烘干不良，造成銅線也處于PCB便面殘留的蝕刻液包圍中，長(zhǎng)時(shí)間未處理，也會(huì)產(chǎn)生銅線側(cè)蝕過(guò)度而甩銅。

2023-12-27 標(biāo)簽：蝕刻銅線 PCB 1.2k 0

通過(guò)光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透研究

本文研究了通過(guò)光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透。后者能夠非常快速地響應(yīng)選擇濕蝕刻劑/聚合物的兼容性，以保護(hù)下面的膜不被降解。如今，大多數(shù)材料圖案化是用等離子蝕刻...

2022-04-22 標(biāo)簽：蝕刻晶片光致抗蝕劑 1.2k 0

利用蝕刻法消除硅晶片表面金屬雜質(zhì)?

為了將硅晶片中設(shè)備激活區(qū)的金屬雜質(zhì)分析為ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸對(duì)硅晶片進(jìn)行不同厚度的重復(fù)蝕刻，在晶片內(nèi)表面附近，研究了定量分析特...

2022-04-24 標(biāo)簽：蝕刻金屬硅晶片 1.2k 0

PCB電測(cè)技術(shù)分析

PCB板在生產(chǎn)過(guò)程中，難免因外在因素而造成短路、斷路及漏電等電性上的瑕疵，再加上PCB不斷朝高密度、細(xì)間距及多層次的演進(jìn)，若未能及時(shí)將不良板篩檢出來(lái)，而...

2023-08-04 標(biāo)簽：蝕刻探針 PCB 1.2k 0

蝕刻作為硅晶片化學(xué)鍍前的表面預(yù)處理的效果

金屬涂層，如銅膜，可以很容易地沉積在半導(dǎo)體材料上，如硅晶片，而無(wú)需使無(wú)電鍍工藝進(jìn)行預(yù)先的表面預(yù)處理。然而，銅膜的粘附性可能非常弱，并且容易剝離。在本研究...

2022-04-29 標(biāo)簽：蝕刻硅晶片 1.1k 0

PCB加工之蝕刻質(zhì)量及先期問(wèn)題分析

蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)及不同成分的蝕刻液都會(huì)對(duì)蝕刻因子或側(cè)蝕度產(chǎn)生影響，或者用樂觀的話來(lái)說(shuō)，可以對(duì)其進(jìn)行控制。采用某些添加劑可以降低側(cè)蝕度。這些添加劑的化學(xué)成分...

2023-11-14 標(biāo)簽：印制電路蝕刻 PCB 1.1k 0

堿性刻蝕表面形貌對(duì)p型單晶硅片少數(shù)壽命的影響

我們研究了堿性刻蝕表面形貌對(duì)p型單晶硅片少數(shù)壽命的影響，在恒溫下分別使用30%和23%的氫氧化鈉和氫氧化鉀溶液，表面狀態(tài)通過(guò)計(jì)算算術(shù)平均粗糙度(Ra)和...

2022-04-24 標(biāo)簽：蝕刻單晶硅片 1.1k 0

濕法蝕刻的發(fā)展

蝕刻的歷史方法是使用濕法蝕刻劑的浸泡技術(shù)。該程序類似于前氧化清潔沖洗干燥過(guò)程和沉浸顯影。晶圓被浸入蝕刻劑罐中一段時(shí)間，轉(zhuǎn)移到?jīng)_洗站去除酸，然后轉(zhuǎn)移到最終...

2024-10-24 標(biāo)簽：晶圓蝕刻 1.1k 0

典型的氧化局限面射型雷射結(jié)構(gòu)

為了改善上述蝕刻柱狀結(jié)構(gòu)以及離子布植法制作面射型雷射的缺點(diǎn)，在1994年從德州大學(xué)奧斯丁分校獲得博士學(xué)位的D.L. Huffaker 首次發(fā)表利用選擇性...

2025-01-21 標(biāo)簽：元件雷射蝕刻 1.1k 0

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