不同蝕刻時(shí)間對(duì)多孔硅結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能的影響

硅在歷史上一直是電子產(chǎn)品的主要材料，而光電子領(lǐng)域的工作幾乎完全依賴于GaAs和磷化銦等ⅲ-ⅴ族化合物材料。這種材料系統(tǒng)二分法的主要原因是硅的間接帶隙結(jié)構(gòu)...

2022-04-08 標(biāo)簽：蝕刻多孔硅 1.1k 0

利用FFM機(jī)制進(jìn)行的極微細(xì)機(jī)械加工

隨著超精密加工技術(shù)的發(fā)展，在機(jī)械加工中也需要納米級(jí)的加工控制技術(shù)，從這個(gè)觀點(diǎn)出發(fā)，近年來，利用掃描型探針顯微鏡(SPM)的極微細(xì)加工技術(shù)被廣泛研究1）～...

2022-03-30 標(biāo)簽：機(jī)械蝕刻加工 1k 0

一種臭氧氧化和硅蝕刻技術(shù)

本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法，在通過臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后重復(fù)測量，確定了成分和表面電位的深度分布，因此這種...

2022-05-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻氧化物 1k 0

硅雙通道光纖低溫等離子體蝕刻控制與SiGe表面成分調(diào)制

在過去的幾年中，MOSFET結(jié)構(gòu)從平面結(jié)構(gòu)改變?yōu)轹捫徒Y(jié)構(gòu)(FinFETs ),這改善了短溝道效應(yīng)，并導(dǎo)致更高的驅(qū)動(dòng)電流泄漏。然而，隨著柵極長度減小到小于...

2024-01-15 標(biāo)簽：等離子體光纖SiGe 1k 0

PCB全制程流程介紹

通過光學(xué)反射原理將圖像回饋至設(shè)備處理，與設(shè)定的邏輯判斷原則或資料圖形相比較，找出缺點(diǎn)位置

2024-03-15 標(biāo)簽：pcb蝕刻基板 1k 0

半導(dǎo)體清洗液中溶解氫氣對(duì)晶圓清洗的影響

在最近的半導(dǎo)體清潔方面，以生物堿為基礎(chǔ)的RCA清潔法包括大量的超純和化學(xué)液消耗量以及清潔時(shí)多余薄膜的損失； 由于環(huán)境問題，對(duì)新的新精液和清潔方法的研究正...

2022-04-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻清洗 1k 0

單晶硅片與蝕刻時(shí)間的關(guān)系研究

本文研究了用金剛石線鋸切和標(biāo)準(zhǔn)漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時(shí)間的關(guān)系，目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因，...

2022-04-18 標(biāo)簽：蝕刻單晶硅片 996 0

一文解析齊平電路技術(shù)和嵌入式電路工藝

WUS提供了更多實(shí)例。圖7和圖8展示了齊平嵌入工藝與傳統(tǒng)mSAP減成法工藝在加工外層或內(nèi)層1盎司或0.5盎司銅箔時(shí)的差異。很多時(shí)候，根據(jù)密度的不同，齊平...

2023-09-26 標(biāo)簽：pcb嵌入式激光 995 0

光致抗蝕劑剝離和清洗對(duì)器件性能的影響

退火后對(duì)結(jié)特性的剝離和清潔對(duì)于實(shí)現(xiàn)預(yù)期和一致的器件性能至關(guān)重要，發(fā)現(xiàn)光致抗蝕劑剝離和清洗會(huì)導(dǎo)致:結(jié)蝕刻、摻雜劑漂白和結(jié)氧化，植入條件可以增強(qiáng)這些效應(yīng)，令...

2022-05-06 標(biāo)簽：蝕刻晶片清洗 951 0

柵欄狀蝕刻銅箔上的摻氟碳量子點(diǎn)界面層

由于其卓越的能量密度和長壽命，鋰離子電池(LIBs)廣泛用于電動(dòng)設(shè)備，如軍用無人機(jī)、電動(dòng)車輛和動(dòng)力輔助服，這些設(shè)備需要高重量或體積能量密度。然而，盡管在...

2023-09-04 標(biāo)簽：鋰離子電池電極蝕刻 933 0

噴霧特性與蝕刻特性的相互關(guān)系

本研究根據(jù)蝕刻條件的變化，對(duì)蝕刻特性——蝕刻率和蝕刻系數(shù)進(jìn)行了球面分析，并使用速度、液滴大小、沖擊力(PDA)系統(tǒng)分析了噴嘴、噴射壓力、線短距離、工質(zhì)物...

2022-04-14 標(biāo)簽：特性蝕刻噴霧 925 0

一種基于摩擦誘導(dǎo)選擇性蝕刻的新型納米制備方法

在本研究中，通過對(duì)目標(biāo)區(qū)域的低破壞性掃描和在KOH溶液中的后蝕刻，發(fā)展了一種在石英表面產(chǎn)生三維納米結(jié)構(gòu)的新型納米加工方法。這種納米制造方法的能力通過各種...

2022-05-13 標(biāo)簽：納米蝕刻加工 908 0

金屬納米顆粒通過水基剝離方案使用嵌段共聚物模板

隨著納米結(jié)構(gòu)表面和界面在廣泛的科學(xué)和技術(shù)應(yīng)用中變得越來越重要，確定可擴(kuò)展和廉價(jià)的方法來實(shí)現(xiàn)這些變成了一個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn)。特別是有序、非密集、表面支撐的金屬納...

2023-10-26 標(biāo)簽：薄膜蝕刻PVA 901 0

基于光譜共焦技術(shù)的PCB蝕刻檢測

傳統(tǒng)的2D視覺技術(shù)已經(jīng)無法滿足高精度的印刷電路板(PCB)外觀檢測。3D成像技術(shù)則以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，輕松地在視野范圍內(nèi)構(gòu)建目標(biāo)物的狀態(tài)，無論是斷差還是孔徑...

2024-05-27 標(biāo)簽：pcb蝕刻光譜 892 0

一種制備PS層的超聲增強(qiáng)化學(xué)蝕刻方法

本文采用超聲增強(qiáng)化學(xué)蝕刻技術(shù)制備了多孔硅層，利用高頻溶液和硝酸技術(shù)在p型取向硅中制備了多孔硅層。超聲檢測發(fā)現(xiàn)p型硅多孔硅層的結(jié)構(gòu)，用該方法可以制備質(zhì)量因...

2022-04-15 標(biāo)簽：工藝超聲波蝕刻 827 0

第一原理化學(xué)反應(yīng)流模型的開發(fā)和應(yīng)用

本研究的目的是開發(fā)和應(yīng)用一個(gè)數(shù)值模型來幫助設(shè)計(jì)和操作CDE工具，為此，我們編制了第一個(gè)已知的NF3/02氣體的等離子體動(dòng)力學(xué)模型，通過與實(shí)驗(yàn)蝕刻速率數(shù)據(jù)...

2022-04-13 標(biāo)簽：蝕刻模型 807 0

臭氧輔助硅蝕刻技術(shù)的研究

本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法，在通過臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后，重復(fù)測量，然后確定了成分和表面電位的深度分布，因...

2022-04-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體臭氧蝕刻 776 0

車輪圖案和寬分離的V形槽的硅蝕刻速率測量實(shí)驗(yàn)

我們介紹了在氫氧化鉀溶液中蝕刻的車輪圖案和寬分離的V形槽的硅蝕刻速率測量。數(shù)據(jù)表明，當(dāng)使用貨車輪圖案時(shí)，存在反應(yīng)物耗盡效應(yīng)，這掩蓋了真實(shí)的表面反應(yīng)速率限...

2022-05-11 標(biāo)簽：晶圓蝕刻測量 703 0

半導(dǎo)體制程工藝小課堂6（下）基板的物理蝕刻

每日工藝小課堂集合, ? ? ?

2022-08-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻基板 507 0