從頭到尾的半導(dǎo)體技術(shù)

濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高

2023-04-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 1.4k 0

濕式半導(dǎo)體工藝中的案例研究

半導(dǎo)體行業(yè)的許多工藝步驟都會(huì)排放有害廢氣。對(duì)于使用非?；顫姷臍怏w的化學(xué)氣相沉積或干法蝕刻，所謂的靠近源頭的廢氣使用點(diǎn)處理是常見(jiàn)的做法。相比之下，對(duì)于濕法...

2023-04-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 1.5k 0

半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場(chǎng)：行業(yè)分析

半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場(chǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)到129\.1億美元。到 2029 年。晶圓清洗是在不影響半導(dǎo)體表面質(zhì)量的情況下去除顆粒或污染物的過(guò)程。器件表面晶圓上的污...

2023-04-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 3.6k 0

氮化鋁單晶的濕法化學(xué)蝕刻

清洗過(guò)程在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，在技術(shù)上和經(jīng)濟(jì)上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實(shí)現(xiàn)無(wú)顆粒、無(wú)金屬雜質(zhì)、無(wú)有機(jī)、無(wú)水分、無(wú)天然氧化物、無(wú)表面微粗糙度、無(wú)充...

2023-03-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻晶片 1.2k 0

低溫蝕刻重新出現(xiàn)_

經(jīng)過(guò)多年的研發(fā)，隨著該行業(yè)在內(nèi)存和邏輯方面面臨新的挑戰(zhàn)，一種稱(chēng)為低溫蝕刻的技術(shù)正在重新出現(xiàn)，成為一種可能的生產(chǎn)選擇。

2023-03-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 1.3k 0

使用 ClF 3 H 2遠(yuǎn)程等離子體在氧化硅上選擇性蝕刻氮化硅

在濕蝕刻的情況下，隨著SiNx/SiOy層的厚度減小，剩余的SiOy層由于表面張力而坍塌，蝕刻溶液對(duì)孔的滲透變得更具挑戰(zhàn)性。

2023-03-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻氮化硅 1.7k 0

各向異性潤(rùn)濕過(guò)程中的表面形態(tài)

在過(guò)去的幾年中，隨著器件尺寸的不斷減小，蝕刻表面的粗糙度開(kāi)始發(fā)揮越來(lái)越重要的作用。

2023-03-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 1.2k 0

半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場(chǎng) 2023-2030分析

半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場(chǎng)-概況 半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備用于去除晶圓表面的顆粒、污染物和其他雜質(zhì)。清潔后的表面有助于提高半導(dǎo)體器件的產(chǎn)量和性能。市場(chǎng)上有各種類(lèi)型...

2023-08-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 2.7k 0

2022年半導(dǎo)體硅片行業(yè)研究報(bào)告

半導(dǎo)體硅片是制造芯片的載體，因原材料為硅，又稱(chēng)為硅晶片。規(guī)劃和無(wú)經(jīng)理硅提煉、提純、單晶硅生產(chǎn)、晶圓成型等工藝后，才能進(jìn)入芯片單路蝕刻等后續(xù)環(huán)節(jié)，是制造芯...

2022-12-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓分立器件 9.4k 0

硅中的各向異性濕法蝕刻工藝課堂4（下）

figure class=imageimg src=https://file.elecfans.com/web2/M00/5A/31/pYYBAGLo4...

2022-08-09 標(biāo)簽：蝕刻 967 0

深硅蝕刻技術(shù)使下一代功率器件成為可能

包括汽車(chē)、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心和能源行業(yè)在內(nèi)的多種電子應(yīng)用對(duì)大功率設(shè)備的需求正在增加。如今，功率器件必須滿(mǎn)足高效率、高功率密度、低功耗和出色的熱管理等嚴(yán)格要求...

2022-07-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件蝕刻 2.1k 0

晶圓的濕法蝕刻法和清潔度

本文介紹了我們?nèi)A林科納在半導(dǎo)體制造過(guò)程中進(jìn)行的濕法蝕刻過(guò)程和使用的藥液，在晶圓表面，為了形成LSI布線，現(xiàn)在幾乎所有的半導(dǎo)體器件都使用干蝕刻方式，這是因...

2022-07-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 3.3k 0

溶劑對(duì)ITO電極蝕刻的影響

本文研究了室溫下鹽酸和王水溶劑對(duì)ITO膜腐蝕行為的影響，在王水中比在鹽酸中獲得更高的蝕刻速率，然而，通過(guò)XPS分析，發(fā)現(xiàn)在王水蝕刻劑中比在HCl中有更多...

2022-07-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電極蝕刻 2.6k 0

華林科納通過(guò)HF蝕刻法表征鍵合界面

在許多電氣和傳感器應(yīng)用中，SOI(絕緣體上硅)晶片已經(jīng)取代了傳統(tǒng)的硅晶片，SOI晶片具有不同的掩埋氧化物(BOX)和SOI層厚度，粘合界面的強(qiáng)度通常用裂...

2022-06-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 1.9k 0

適用于清潔蝕刻后殘留物的定制化學(xué)成分（2）

? 通過(guò)小心增加[H2O]來(lái)提高蝕刻速率和清洗性能。IK 73中基礎(chǔ)配方技術(shù)的有效性可以通過(guò)小心處理三種主要成分的比例來(lái)突出。在本例中，配方調(diào)整產(chǎn)生了一...

2022-06-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 1.7k 0