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長(zhǎng)江存儲(chǔ)

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長(zhǎng)江存儲(chǔ)資訊

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層閃存已量產(chǎn)，核心任務(wù)是推動(dòng)產(chǎn)能提升

楊道虹表示，目前及今后的一段時(shí)間內(nèi)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)核心任務(wù)是推動(dòng)產(chǎn)能爬坡提升，將盡早達(dá)成64層三維閃存產(chǎn)品月產(chǎn)能10萬(wàn)片并按期建成30萬(wàn)片/月產(chǎn)能，提升國(guó)家存...

2020-01-15 標(biāo)簽：閃存長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3.3k 0

基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND閃存已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

現(xiàn)在，長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華接受采訪時(shí)表示，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NA...

2019-09-02 標(biāo)簽：nand 存儲(chǔ)長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3.3k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)今年年底量產(chǎn)64層3D NAND,進(jìn)一步縮短于國(guó)外廠商技術(shù)差距

國(guó)內(nèi)的NAND閃存與國(guó)外的技術(shù)差距就從之前的三四年縮小到了兩年左右。

2019-05-17 標(biāo)簽：NAND 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3.3k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示全球化已被破壞各國(guó)傾向于本地制造芯片

陳南翔指出，芯片產(chǎn)業(yè)鏈的動(dòng)蕩將對(duì)現(xiàn)有的全球供應(yīng)鏈和產(chǎn)業(yè)分工帶來(lái)沖擊，甚至對(duì)產(chǎn)業(yè)發(fā)展模式造成重大影響。

2023-07-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)芯片產(chǎn)業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3.1k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)致態(tài)品牌旗下三款SSD分獲2022年度三項(xiàng)大獎(jiǎng)

憑借創(chuàng)新的技術(shù)突破、巧妙的設(shè)計(jì)，以及突出的性價(jià)比，長(zhǎng)江存儲(chǔ)致態(tài)品牌旗下三款SSD分獲《微型計(jì)算機(jī)》2022年度技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)、2022年度設(shè)計(jì)創(chuàng)新獎(jiǎng)、202...

2023-01-05 標(biāo)簽：SSD 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3.1k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃在明年第四季度量產(chǎn)64層堆疊的3D NAND閃存芯片

據(jù)報(bào)道，紫光投資的長(zhǎng)江存儲(chǔ)傳來(lái)新動(dòng)態(tài)。

2018-09-26 標(biāo)簽：閃存 NAND 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3.1k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出UFS 3.1高速閃存芯片，加速5G時(shí)代存儲(chǔ)升級(jí)

2022年4月19日，中國(guó)武漢，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長(zhǎng)江存儲(chǔ)為5G時(shí)代精心打造...

2022-04-19 標(biāo)簽：芯片長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3.1k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出UC023閃存芯片專為5G時(shí)代打造

　　昨日消息，國(guó)內(nèi)專注于3D NAND閃存及存儲(chǔ)器解決方案的半導(dǎo)體集成電路企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布推出UFS 3.1通用閃存-UC023。

2022-04-20 標(biāo)簽：芯片閃存長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示128層3D NAND技術(shù)會(huì)按計(jì)劃推出

據(jù)證券時(shí)報(bào)消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度...

2020-04-08 標(biāo)簽：NAND 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3k 0

臺(tái)電科技聯(lián)合長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布固態(tài)硬盤騰龍系列DS10 I/O速度比肩DDR4

隨著長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)（CXMT）在DRAM芯片領(lǐng)域作出0到1的突破之后，作為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)半導(dǎo)體的先行者之一，長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）也正式發(fā)布并量產(chǎn)新一代純國(guó)產(chǎn)64層T...

2020-11-18 標(biāo)簽：臺(tái)電科技固態(tài)硬盤長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布聲明：公司建設(shè)情況以公司官方信息為準(zhǔn)

近日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”或“我司”）發(fā)現(xiàn)個(gè)別境外媒體通過(guò)多種渠道刊登、散布關(guān)于我司產(chǎn)能建設(shè)、產(chǎn)品銷售等不實(shí)言論，長(zhǎng)江存儲(chǔ)特此...

2021-01-13 標(biāo)簽：長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤產(chǎn)品致態(tài)TiPlus5000

2022年4月8日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出新款消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤產(chǎn)品致態(tài)TiPlus5000。

2022-04-10 標(biāo)簽：接口閃存芯片長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3k 0

SK海力士完成業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存集成PUC技術(shù)研發(fā)

與浮柵將電荷存儲(chǔ)在導(dǎo)體中不同，CTF將電荷存儲(chǔ)在絕緣體中，消除了電池之間的干擾，提高了讀寫性能，同時(shí)與浮柵技術(shù)相比，減少了單位電池面積。

2021-01-06 標(biāo)簽：NAND 三星電子 SK海力士 3k 0

集成電路由二維向三維發(fā)展是必行趨勢(shì)

在“2020北京微電子國(guó)際研討會(huì)暨IC World學(xué)術(shù)會(huì)議”上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司CEO楊士寧發(fā)表了《新形勢(shì)下中國(guó)芯片制造突圍的新路徑》的主題演講...

2020-11-20 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3k 0

正值開工日國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)復(fù)工情況究竟如何？泰德蘭電子2月10日正式復(fù)工

本周一(2月10日)泰德蘭電子復(fù)工，也是國(guó)內(nèi)許多企業(yè)的復(fù)工日，但受到疫情的影響，也有部分企業(yè)再次推遲了復(fù)工時(shí)間。而在半導(dǎo)體市場(chǎng)，為了保證能夠持續(xù)穩(wěn)定的供...

2020-02-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2.9k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存產(chǎn)能翻倍？謠言！

昨天日經(jīng)新聞亞洲版報(bào)道稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)2021年的產(chǎn)能將翻倍，達(dá)到10萬(wàn)片晶圓/月，年中還有192層閃存的試產(chǎn)，不過(guò)長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天否認(rèn)相關(guān)內(nèi)容。

2021-01-14 標(biāo)簽：閃存長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2.9k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層堆棧3D閃存亮相，年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

根據(jù)官網(wǎng)資料，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國(guó)武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存...

2019-08-29 標(biāo)簽：芯片 3d 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2.9k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)密度

今天下午，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式發(fā)布旗下致鈦品牌的消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤產(chǎn)品。

2020-09-10 標(biāo)簽：接口固態(tài)硬盤長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2.9k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND芯片專利研發(fā)完成，預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）報(bào)捷，已自主開發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專利，預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置、20...

2018-08-13 標(biāo)簽：NAND 3D 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2.9k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)增強(qiáng)公司的專利池嚴(yán)防員工竊密行為

日前，臺(tái)積電工程師泄密事件引起人們廣泛關(guān)注，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)公司對(duì)此也更加謹(jǐn)慎。同時(shí)，全球的DRAM內(nèi)存、NAND閃存主要被三星、SK Hynix、美光、東芝...

2017-05-10 標(biāo)簽：3d nand 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2.8k 0

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驍龍821的CPU大核主頻2.4GHz、小核主頻2GHz，GPU主頻650MHz。也就是說(shuō)，驍龍821的CPU性能提升10%，而GPU的提升為5%。

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