華為Mate 40系列采用的“自研閃存”來(lái)自長(zhǎng)江存儲(chǔ)

本月初的時(shí)候，有報(bào)道稱華為Mate40系列疑似采用了華為自研的閃存的消息，由此也引發(fā)了一些爭(zhēng)論。

2020-11-21 標(biāo)簽：閃存華為長(zhǎng)江存儲(chǔ) 5.4k 0

固態(tài)硬盤的價(jià)格還會(huì)繼續(xù)下探，或許會(huì)低至0.55元1G

不過(guò)，也不全是好消息，因?yàn)槿碌拈W存是QLC，比TLC閃存擦寫壽命更短，更別說(shuō)和MLC相比了，目前TLC閃存的可擦寫壽命為3000PE，而QLC的可擦寫...

2018-09-05 標(biāo)簽：閃存固態(tài)硬盤 5.4k 0

群聯(lián)CES展出全球唯一最完整QLC儲(chǔ)存方案

快閃存儲(chǔ)控制芯片廠群聯(lián)于美國(guó)拉斯維加斯消費(fèi)性電子展（CES）展出全系列最新的QLC快閃存儲(chǔ)（NAND Flash）儲(chǔ)存方案，展出完整QLC產(chǎn)品線，號(hào)稱全...

2020-01-10 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ)器群聯(lián) 5.4k 0

西部數(shù)據(jù)和Kioxia研發(fā)第五代BiCS 3D NAND成功，今年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

根據(jù)消息報(bào)道，西部數(shù)據(jù)公司和Kioxia(鎧俠)公司宣布，他們最新一代的3D NAND閃存已經(jīng)開發(fā)成功，第五代BiCS 3D NAND已經(jīng)開始以512 ...

2020-02-04 標(biāo)簽：閃存nand西部數(shù)據(jù) 5.4k 0

新華三存儲(chǔ)的“閃”亮之旅

新華三存儲(chǔ)產(chǎn)品部總經(jīng)理徐潤(rùn)安稱之為存儲(chǔ)的先知系統(tǒng)?！癐nfoSight收集到了很多數(shù)據(jù)，能讓我們更清楚地看到我們的存儲(chǔ)系統(tǒng)運(yùn)行得到底怎么樣，同時(shí)還能夠預(yù)...

2017-12-21 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ)器新華三 5.3k 0

新聞：三星512GB eUFS3.1閃存已量產(chǎn) 小米深圳成立新公司

1、三星宣布512GB eUFS3.1閃存已大規(guī)模生產(chǎn)，寫入速度提升3倍 據(jù)ZDnet報(bào)道，三星電子宣布，已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)面向智能手機(jī)的512GB嵌入...

2020-03-18 標(biāo)簽：閃存三星電子小米 5.3k 0

五分鐘了解英特爾傲騰技術(shù)

英特爾傲騰技術(shù)的名字想必大家多少都已經(jīng)有所耳聞，但是許多朋友只知道英特爾傲騰技術(shù)下的傲騰內(nèi)存能夠安裝到M.2接口上，卻不知道它具體的作用是什么、能夠?yàn)槲?..

2018-06-11 標(biāo)簽：英特爾閃存固態(tài)硬盤 5.3k 0

IC Insights：半導(dǎo)體資本年支出將首次超過(guò)千億美元，存儲(chǔ)占比53%

據(jù)國(guó)外分析機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)測(cè)，今年半導(dǎo)體資本支出總額將增至1020億美元，這是該行業(yè)一年來(lái)第一次在資本支出上花費(fèi)超過(guò)1000億美元。1020...

2018-08-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體閃存DRAM 5.3k 0

生益科技與和美精藝戰(zhàn)略合作簽約儀式成功舉行

此次戰(zhàn)略合作簽約成功，標(biāo)志著生益科技與和美精藝在高端封裝材料等領(lǐng)域?qū)⑦M(jìn)行更深入的攜手合作。

2019-06-08 標(biāo)簽：閃存IC封裝 5.3k 0

東芝閃存SSD改名為鎧俠后 OCZ品牌不見了

前幾天，原來(lái)的東芝存儲(chǔ)更名后的鎧俠存儲(chǔ)發(fā)布了13款新品，借著這次機(jī)會(huì)，鎧俠也在不經(jīng)意間徹底淘汰了OCZ品牌。

2020-04-20 標(biāo)簽：東芝閃存 5.3k 0

SemperNOR閃存正式推出,為用戶提供最好的安全性和可靠性

最近幾年智能駕駛和智能汽車已經(jīng)成為業(yè)界非常關(guān)注的話題甚至炙手可熱的話題，尤其這一兩年發(fā)展非常快，預(yù)計(jì)會(huì)在不久的將來(lái)電子系統(tǒng)會(huì)在汽車中扮演越來(lái)越重要的角色...

2018-06-09 標(biāo)簽：閃存NOR 5.2k 0

IBM已解決QLC閃存壽命問題，實(shí)現(xiàn)1.6萬(wàn)次擦寫

得益于容量大、價(jià)格低的優(yōu)勢(shì)，如今越來(lái)越多的SSD硬盤轉(zhuǎn)向QLC閃存，大家擔(dān)心的主要是QLC閃存的壽命，具體來(lái)說(shuō)就是P/E擦寫次數(shù)，通常在1000次左右，...

2020-12-08 標(biāo)簽：閃存IBMQLC 5.2k 0

諾獎(jiǎng) ＂選擇性失憶”的遺珠?NAND Flash 核心技術(shù)發(fā)明者—施敏

施敏發(fā)明的非揮發(fā)性存儲(chǔ)技術(shù)，是現(xiàn)今被全球各國(guó)視為關(guān)鍵戰(zhàn)略物資 NAND Flash 閃存芯片的基礎(chǔ)核心，可以說(shuō)，若沒有施敏，手機(jī)不可能成為我們隨身帶著走...

2019-03-22 標(biāo)簽：閃存Nand 5.2k 0

兆易創(chuàng)新宣布推出第一顆國(guó)產(chǎn)高速八口SPINOR閃存 最高頻率達(dá)200MHz

在5月10日舉行的第九屆松山湖IC論壇上，兆易創(chuàng)新宣布推出第一顆國(guó)產(chǎn)高速八口SPI NOR閃存產(chǎn)品“GD25LX256E”，最高頻率達(dá)200MHz，數(shù)據(jù)...

2019-05-13 標(biāo)簽：閃存兆易創(chuàng)新 5.2k 0

半導(dǎo)體行業(yè)走勢(shì)分析，我國(guó)半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)展動(dòng)力持續(xù)增強(qiáng)

從指數(shù)走勢(shì)看，上周中國(guó)大陸半導(dǎo)體發(fā)展指數(shù)有較大幅度回升。隨著5G換機(jī)潮來(lái)臨以及國(guó)內(nèi)廠商技術(shù)革新加快，大陸半導(dǎo)體行業(yè)景氣度有望持續(xù)改善。

2019-12-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體閃存5G手機(jī) 5.1k 0