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      標簽　>　APEC

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      apec技術

      UCC28019A LED照明應用負載動態(tài)性能優(yōu)化解決方案

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      2013-10-21 標簽：LED照明仿真APEC 5.6k 0

      一種無APFC的低成本全電壓設計方案

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      本文提出一種解決全電壓的大功率電源方案，采用自動倍壓方式，對輸入電壓進行實時檢測，并根據(jù)電壓等級確定是否進行倍壓處理，以滿足全電壓自適應要求。

      2013-09-27 標簽：電源設計EMCAPEC 2.9k 0

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      apec帖子

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      apec資訊

      美高森美瞄準工業(yè)和汽車市場推出新型SiC MOSFET和SiC SBD產(chǎn)品，繼續(xù)在碳化硅解決方案領域保持領先地位

      美高森美參加在3月4日至8日在美國舉辦的APEC展覽會，于1147號展位展示適用于惡劣環(huán)境的電源應用新器件。

      2018-02-28 標簽：apec美高森美sicmosfet 7.3k 0

      Littelfuse在2018年APEC大會上推出超低導通電阻1200V碳化硅MOSFET

      全球電路保護領域的領先企業(yè)Littelfuse， Inc.與從事碳化硅技術開發(fā)的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出...

      2018-03-19 標簽：apeclittelfuse碳化硅 6.7k 0

      APEC 2022 上的電力電子：下一步是什么？

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      2022-07-30 標簽：半導體SiCAPEC 4.1k 0

      安森美半導推出轉換器-逆變器功率因數(shù)校正模塊

      安森美半導體 (ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，推出新的、集成的、轉換器-逆變器-功率因數(shù)校正 (PFC) 模塊，用于在...

      2021-06-18 標簽：安森美PFCAPEC 3.1k 0

      納微半導體APEC 2025亮點搶先看

      近日，唯一全面專注的下一代功率半導體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術領導者——納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 宣...

      2025-02-25 標簽：SiCAPECGaN 2k 0

      APEC推出可高達400KHz的同步降壓穩(wěn)壓器APU3146

      APEC推出可高達400KHz的同步降壓穩(wěn)壓器APU3146 富鼎先進(APEC )推出APU3146，是一款高性能具備雙通道、高效率且頻率可高達40...

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      2024 APEC圓滿落幕，英諾賽在展會大放異彩

      近日，備受矚目的國際電力電子應用展覽會APEC在美國洛杉磯盛大舉行。作為電力電子領域的年度盛事，APEC吸引了全球眾多知名企業(yè)的參與，他們紛紛帶來了最新...

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      11月11日，由工業(yè)和信息化部與山東省人民政府共同主辦的第十二屆APEC中小企業(yè)技術交流暨展覽會（以下簡稱“APEC技展會”）圓滿閉幕。 大會吸引了來自...

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      德州儀器攜多款創(chuàng)新科技參展APEC，助力設計工程師完成前沿設計

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      2021-11-10 標簽：德州儀器APEC 1.5k 0

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      apec數(shù)據(jù)手冊

      型號 描述 數(shù)據(jù)手冊 參考價格
      AP9561GH
      AP18N20GH 類型:-;漏源電壓(Vdss):-;連續(xù)漏極電流(Id):-;功率(Pd):-;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;閾值電壓(Vgs(th)@Id):-;柵極電荷(Qg@Vgs):-;輸入電容(Ciss@Vds):-;反向傳輸電容(Crss@Vds):-;
      AP8600S 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):80V;連續(xù)漏極電流(Id):80A;功率(Pd):104W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,40A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):5V@250uA;
      AP9990GH-HF 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):60V;連續(xù)漏極電流(Id):100A;功率(Pd):125W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,40A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):5V@250uA;
      AP9963GP 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):40V;連續(xù)漏極電流(Id):80A;功率(Pd):104W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,40A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):3V@250uA;

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        董明珠， 出生于江蘇南京，企業(yè)家 ，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術學院、中南財經(jīng)政法大學EMBA2008級 、中國社會科學院經(jīng)濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。 　　1990年進入格力做業(yè)務經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務 。2004年3月，當選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
      • UCD3138
        UCD3138
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