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離散傅里葉變換（Discrete Fourier Transform，DFT）傅里葉分析方法是信號(hào)分析的最基本方法，傅里葉變換是傅里葉分析的核心，通過它把信號(hào)從時(shí)間域變換到頻率域，進(jìn)而研究信號(hào)的頻譜結(jié)構(gòu)和變化規(guī)律。

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SOC中多片嵌入式SRAM的DFT實(shí)現(xiàn)方法

本文基于MBIST的一般測(cè)試方法來對(duì)多片SRAM的可測(cè)試設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化，提出了一種通過一個(gè)MBIST控制邏輯來實(shí)現(xiàn)多片SRAM的MBIST測(cè)試的優(yōu)化方法。

2011-12-15 標(biāo)簽：嵌入式 SRAM SOC 8k 0

通過溶劑化作用調(diào)控電解液性質(zhì)和氧化還原反應(yīng)

任何電化學(xué)裝置的核心都是導(dǎo)離子電隔電子的電解液，其離子電導(dǎo)率和轉(zhuǎn)移數(shù)決定了裝置的功率上限。

2023-03-30 標(biāo)簽：電解液 DFT 固態(tài)電池 8k 0

X態(tài)是什么？X態(tài)有什么危害？如何避免X態(tài)的產(chǎn)生？X態(tài)怎么處理？

Verilog 和 SV 定義了四種邏輯狀態(tài)：0，1，Z 及 X

2023-11-15 標(biāo)簽：仿真器 vhdl 鎖存器 7.5k 0

快速傅里葉變換FFT進(jìn)行串講

N點(diǎn)DFT，直接計(jì)算，需要N的平方次乘法；分成2個(gè)N/2點(diǎn)DFT分別計(jì)算，乘法的次數(shù)是1/2的N的平方，減少了一半；分成4個(gè)N/4點(diǎn)DFT，乘法的次數(shù)又...

2019-04-12 標(biāo)簽：DFT 序列傅里葉變換 7.1k 0

通過傅里葉變換來評(píng)估信噪比

信噪比（SNR）是信號(hào)與噪聲的比率，它是衡量通信或模擬系統(tǒng)性能的重要指標(biāo)之一，與傅里葉變換更是有千絲萬縷的聯(lián)系。

2022-11-03 標(biāo)簽：信噪比 DFT SNR 7.1k 0

數(shù)字集成電路測(cè)試流程

數(shù)字集成電路的測(cè)試主要包括直流參數(shù)測(cè)試 (DC Test)、交流參數(shù)測(cè)試(AC Test)、功能測(cè)試（Function Test)、可測(cè)性設(shè)計(jì)（DFT）...

2023-05-26 標(biāo)簽：集成電路測(cè)試系統(tǒng)電源電壓 6.9k 0

Vivado中快速傅里葉變換FFT IP的配置及應(yīng)用

快速傅里葉變換 (Fast Fourier Transform，F(xiàn)FT), 即利用計(jì)算機(jī)計(jì)算離散傅里葉變換（DFT)的高效、快速計(jì)算方法的統(tǒng)稱，簡(jiǎn)稱FFT。

2023-07-20 標(biāo)簽：變換器信號(hào)處理器 DFT 6.6k 0

原子級(jí)分散釕氧化物實(shí)現(xiàn)晶格氧參與高效穩(wěn)定酸性氧析出

開發(fā)酸性介質(zhì)下穩(wěn)定、高活性、高性價(jià)比的析氧反應(yīng)電催化劑是實(shí)現(xiàn)質(zhì)子交換膜水電解槽(PEMWEs)的前提，但仍面臨巨大挑戰(zhàn)。

2023-04-11 標(biāo)簽：DFT AEM RDS 6.4k 0

低功耗之門控時(shí)鐘設(shè)計(jì)

clock gating和power gating是降低芯片功耗的常用手段，相比power gating設(shè)計(jì)，clock gating的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)更為簡(jiǎn)...

2023-06-29 標(biāo)簽：寄存器鎖存器 RTL 6.1k 0

深度解析機(jī)器學(xué)習(xí)模型加速傳統(tǒng)DFT計(jì)算

基于SOAP-ML模型，該團(tuán)隊(duì)篩選出吉布斯自由能位于范圍內(nèi)的3236個(gè)活性位點(diǎn)并進(jìn)行分析，得到了局域化學(xué)環(huán)境的最佳配比Pd ： Cu ： P ： Ni ...

2022-04-27 標(biāo)簽：DFT 機(jī)器學(xué)習(xí) 6.1k 0

離散傅里葉變換及其應(yīng)用簡(jiǎn)析

傅里葉變換（Fourier Transform）是一種數(shù)學(xué)工具，用于將一個(gè)函數(shù)（通常是時(shí)間域函數(shù)）轉(zhuǎn)換成另一個(gè)函數(shù)（通常是頻域函數(shù)），以分析該函數(shù)的頻率特性。

2023-09-17 標(biāo)簽：FFT 浮點(diǎn)運(yùn)算 DFT 5.8k 0

用于高效逆水煤氣變換反應(yīng)的單原子Co-N-C催化劑

CO2 是當(dāng)今最主要的溫室氣體，同時(shí)也是一種碳源。近年來，碳捕集與利用（carbon capture and utilization（CCU））技術(shù)受到...

2022-12-29 標(biāo)簽：CCU DFT 傅里葉變換 5.5k 0

對(duì)DFT數(shù)字設(shè)計(jì)流程的介紹

相信很多ICer們?cè)贚ight芯片的過程中無論前后端都聽過DFT設(shè)計(jì)測(cè)試，DFT全稱Design for Test(即可靠性設(shè)計(jì))，眾所周知，測(cè)試的目的...

2023-03-06 標(biāo)簽：示波器 HDL DFT 5.4k 0

離子-偶極作用誘導(dǎo)實(shí)現(xiàn)PVDF電解質(zhì)游離殘留溶劑封裝

由于高離子導(dǎo)電性和機(jī)械強(qiáng)度，聚（氟乙烯）（PVDF）電解質(zhì)越來越受到固態(tài)鋰電池的關(guān)注，但高活性殘留溶劑嚴(yán)重困擾著循環(huán)穩(wěn)定性。

2023-11-21 標(biāo)簽：電解質(zhì)ESP DFT 5.4k 0

談?wù)凩atch：組合與時(shí)序邏輯的橋梁

鎖存器（ latch）是電平觸發(fā)的存儲(chǔ)單元，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的狀態(tài)取決于輸入時(shí)鐘（或者使能）信號(hào)的電平值，僅當(dāng)鎖存器處于使能狀態(tài)時(shí)，輸出才會(huì)隨著數(shù)據(jù)輸入發(fā)生變化。

2023-06-02 標(biāo)簽：FPGA設(shè)計(jì)EDA工具鎖存器 5.2k 0

雙光子NO熒光探針的理論表征：響應(yīng)機(jī)理、光物理性質(zhì)和質(zhì)子化效應(yīng)

一氧化氮（NO）是生物體內(nèi)的重要信號(hào)分子，與許多生理和病理過程緊密相關(guān)。實(shí)時(shí)、準(zhǔn)確地檢測(cè)NO對(duì)生物診斷和臨床治療具有重要意義。

2023-10-13 標(biāo)簽：PCM 衰減器 DFT 5.1k 0

香山處理器“南湖”DFT設(shè)計(jì)范例

香山處理器的第二代微架構(gòu)，南湖微架構(gòu)，引入了L3 Cache，可配置多核形態(tài)，我們完成流片的是雙核版本的南湖。較第一代雁棲湖，設(shè)計(jì)規(guī)模在大幅膨脹，主頻也...

2022-12-14 標(biāo)簽：處理器 DFT 微架構(gòu) 5.1k 0

利用可持續(xù)方法獲得綠色能源的電催化分解水制氫

電催化分解水制氫是利用可持續(xù)方法獲得綠色能源的有效策略。通常將Pt、Ir或Ru基金屬分別用作析氫反應(yīng) (HER) 和析氧反應(yīng) (OER) 的電催化劑。

2022-09-29 標(biāo)簽：DFT 傅里葉變換 5.1k 0

界面工程調(diào)控NiCoP/NiO核殼結(jié)構(gòu)電催化劑用于鋅空氣電池和電解水

本研究結(jié)合異質(zhì)界面工程和空位工程來合成TMPs基復(fù)合電催化材料，用于加快氧/氫電化學(xué)催化反應(yīng)，并揭示其本征的“結(jié)構(gòu)-活性”關(guān)系，對(duì)優(yōu)化其儲(chǔ)能催化性能具有...

2022-10-08 標(biāo)簽：DFT EPR 充電電壓 5k 0

聊聊IC測(cè)試機(jī)（4）DFT PLL向量，ATE怎么用？

自動(dòng)測(cè)試設(shè)備 (ATE)對(duì)PLL（鎖相環(huán)）進(jìn)行測(cè)試時(shí)，我們首先要明白PLL在系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）中的重要性。

2023-11-01 標(biāo)簽：鎖相環(huán)DFT ATE 4.9k 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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