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離散傅里葉變換（Discrete Fourier Transform，DFT）傅里葉分析方法是信號(hào)分析的最基本方法，傅里葉變換是傅里葉分析的核心，通過它把信號(hào)從時(shí)間域變換到頻率域，進(jìn)而研究信號(hào)的頻譜結(jié)構(gòu)和變化規(guī)律。

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高抗氧化電解質(zhì)實(shí)現(xiàn)4.7 V鈉金屬電池

鈉金屬電池因其豐富的鈉資源和較低的氧化還原電位(2.71 V vs SHE)而受到越來越多的關(guān)注。高工作電壓對(duì)于提高電池能量密度非常重要，但由于電解質(zhì)的...

2022-11-21 標(biāo)簽：電解質(zhì)DFT XPS 2.2k 0

銥酸鹽開放骨架衍生的高活性長壽命析氧電催化劑

酸性析氧反應(yīng)是幾種重要的電能-化學(xué)能轉(zhuǎn)換的基礎(chǔ)，這種能量密集型過程在工業(yè)上依賴于銥基電催化劑。

2023-01-31 標(biāo)簽：DFT LOMO AEM 2.2k 0

什么是可測(cè)試性設(shè)計(jì) 可測(cè)試性評(píng)估詳解

可測(cè)性設(shè)計(jì)(DFT)之可測(cè)試性評(píng)估詳解可測(cè)試性設(shè)計(jì)的定性標(biāo)準(zhǔn)：測(cè)試費(fèi)用：一測(cè)試生成時(shí)間 -測(cè)試申請(qǐng)時(shí)間 -故障覆蓋一測(cè)試存儲(chǔ)成本(測(cè)...

2023-09-01 標(biāo)簽：芯片封裝 DFT 可測(cè)試性 2.2k 0

MOFs功能化隔膜實(shí)現(xiàn)提升水系鋅離子電池性能

水系鋅離子電池由于其簡(jiǎn)單的制造工藝、本征安全性和經(jīng)濟(jì)效益，在新一代儲(chǔ)能系統(tǒng)中具有很高的應(yīng)用潛力。

2022-12-28 標(biāo)簽：離子電池 DFT XRD 2.2k 0

二維石墨烯多層納米限域金屬有機(jī)框架獲得超高析氧活性

過渡金屬基(鎳、鐵、鈷等)材料對(duì)OER表現(xiàn)出較高的電催化活性，然而過渡金屬氧化物、氫氧化物、羥基氧化物及其衍生物的活性位點(diǎn)的數(shù)量和位置的容易發(fā)生改變。

2022-11-10 標(biāo)簽：電解質(zhì)DFT 2.1k 0

吡啶環(huán)分子器件電子輸運(yùn)特性研究

利用分子器件實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)電子元件的基本功能已被認(rèn)為是分子電子學(xué)的研究目標(biāo)，因而該研究領(lǐng)域備受關(guān)注，并發(fā)現(xiàn)了許多有趣的物理特性，如分子整流、分子開關(guān)

2023-06-05 標(biāo)簽：DFT PVR 偏置電壓 2.1k 0

NiSe2-Vse電催化氧氣轉(zhuǎn)化為過氧化氫

所制備的NiSe2-Vse在堿性介質(zhì)中對(duì)H2O2的選擇性最高達(dá)96%，在0.25-0.55 V寬電位范圍內(nèi)的選擇性超過90%，在已報(bào)道的過渡金屬基電催化...

2023-01-14 標(biāo)簽：DFT ADT orr 2.1k 0

氧氣加速CH3NH3PbI3中碘空位形成

近年來，金屬鹵化物鈣鈦礦（metal halide perovskites, MHPs）由于其優(yōu)異的吸光能力、高載流子遷移率和較長的擴(kuò)散長度使其成為合...

2023-01-14 標(biāo)簽：led 太陽能電池 DFT 2k 0

通過LDA+U方法研究Co/Mn共摻雜ZnO納米線的電子結(jié)構(gòu)與磁性質(zhì)

目前，開發(fā)具有良好磁性能的DMS是一個(gè)有爭(zhēng)議的問題，鑒于費(fèi)米能級(jí)的調(diào)制位置和占據(jù)情況，ZnO的TM共摻雜被證明是實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定光學(xué)和磁性特性的一種有希望的替代技術(shù)。

2023-07-26 標(biāo)簽：耦合器 DFT DOS系統(tǒng) 2k 0

淺談DFT可測(cè)性設(shè)計(jì)的工作原理

在芯片設(shè)計(jì)的世界里，有一種被稱為"火眼金睛"的技術(shù)，它就是DFT（Design for Testability，可測(cè)性設(shè)計(jì)）。今天，...

2025-03-01 標(biāo)簽：芯片設(shè)計(jì)DFT 1.9k 0

Verilog FFT設(shè)計(jì)方案

FFT（Fast Fourier Transform），快速傅立葉變換，是一種 DFT（離散傅里葉變換）的高效算法。在以時(shí)頻變換分析為基礎(chǔ)的數(shù)字處理方法...

2023-06-01 標(biāo)簽：正弦波 FFT 乘法器 1.9k 0

DFT和MD方法研究固態(tài)電解質(zhì)構(gòu)效關(guān)系

多物理場(chǎng)作用下的多尺度載流子遷移行為至關(guān)重要界面問題是固態(tài)鋰電池失效的關(guān)鍵原因 DFT和MD方法研究固態(tài)電解質(zhì)構(gòu)效關(guān)系

2022-11-08 標(biāo)簽：DFT 固態(tài)電池固態(tài)鋰電池 1.9k 0

用NanDigits GOF來做DFT DRC檢查的介紹和舉例

ERROR_CLOSE_LOOP：一個(gè)觸發(fā)器的SI由自己的Q來驅(qū)動(dòng)

2023-03-06 標(biāo)簽：觸發(fā)器 DFT DRC 1.8k 0

單頻信號(hào)的頻譜分析

2023-10-16 標(biāo)簽：信號(hào)數(shù)字信號(hào)頻譜 1.8k 0

“材料結(jié)構(gòu)-反應(yīng)機(jī)制”協(xié)同調(diào)控銅基硫化物儲(chǔ)鈉研究

鈉離子電池因鈉儲(chǔ)量豐富和成本低廉等特點(diǎn)，成為鋰離子電池的有效補(bǔ)充，尤其在大規(guī)模儲(chǔ)能領(lǐng)域極具應(yīng)用前景。

2023-11-06 標(biāo)簽：鋰離子電池 DFT 電池充放電 1.8k 0

上海交大梁正：探究表面雜原子對(duì)硅烷解離影響

多晶硅（polysilicon）是太陽能電池、儲(chǔ)能設(shè)備和半導(dǎo)體領(lǐng)域中廣泛使用的關(guān)鍵材料。

2024-01-23 標(biāo)簽：太陽能電池多晶硅半導(dǎo)體 1.8k 0

Janus電極實(shí)現(xiàn)高性能Na-S電池

室溫鈉硫電池因其理論能量密度高、成本低、資源豐富、環(huán)境友好等優(yōu)點(diǎn)而受到人們的廣泛關(guān)注。

2022-10-31 標(biāo)簽：鈉硫電池 DFT 3D打印 1.6k 0

用NanDigits GOF做DFT DRC檢查詳細(xì)的介紹和舉例

ERROR_RESET_GLITCH：觸發(fā)器的reset pin有多條激活的路徑，可能產(chǎn)生glitch

2023-02-22 標(biāo)簽：觸發(fā)器 DFT DRC 1.6k 0

中端設(shè)計(jì)在IC開發(fā)中的價(jià)值和思考

IC設(shè)計(jì)中通?；谠O(shè)計(jì)時(shí)間線/業(yè)務(wù)線分為前端設(shè)計(jì)和后端實(shí)現(xiàn)，這個(gè)也是大家通常所能理解和接受的。

2023-06-09 標(biāo)簽：IC設(shè)計(jì)RTL DFT 1.6k 0

NanDigits GOF提供一種快速DFT DRC檢查的功能

在芯片做功能ECO時(shí)，DFT部分的邏輯常常被破壞，這是由于正常工作模式下修改設(shè)計(jì)的原因。

2023-02-22 標(biāo)簽：DFT DRC ECO 1.5k 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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