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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。（關機就會丟失數(shù)據(jù)）

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dram技術

DRAM的內(nèi)部結構和工作原理

今天我們來聊聊在計算機領域中非常關鍵的技術——DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）的內(nèi)部結構和工作原理。

2024-07-26 標簽：DRAM 存儲器計算機 4.7k 0

DRAM內(nèi)存操作與時序解析

在數(shù)字時代，DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）扮演著至關重要的角色。它們存儲著我們的數(shù)據(jù)，也承載著我們的記憶。然而，要正確地操作DRAM并確保其高效運行，了...

2024-07-26 標簽：DRAM 存儲器時序 2.2k 0

DRAM在計算機中的應用

DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機存取存儲器）在計算機系統(tǒng)中扮演著至關重要的角色。它是一種半導體存儲器，用于存...

2024-07-24 標簽：DRAM 存儲器計算機 6.5k 0

DRAM的基本操作

晶體管T充當存儲電容器C和位線BL之間的開關。

2024-07-18 標簽：電容器 DRAM 晶體管 1.6k 0

國產(chǎn)ARM + FPGA的SDIO通信開發(fā)介紹！

SDIO(Secure Digital lnput and Output)，即安全數(shù)字輸入輸出接口。SDIO總線協(xié)議是由SD協(xié)議演化而來，它主要是對SD...

2024-05-17 標簽：處理器 FPGA DRAM 1.7k 0

存內(nèi)計算芯片的基石-存儲介質(zhì)匯總

作為新的計算架構，存內(nèi)計算（Computing In Memory，CIM）被認為是具有潛力的革命性技術。重點是將存儲與計算融合，有效克服馮·諾依曼架構...

2024-05-16 標簽：芯片 DRAM 存儲器 4.1k 0

知存科技助力AI應用落地：WTMDK2101-ZT1評估板實地評測與性能揭秘

隨著當今數(shù)據(jù)迅速增長，傳統(tǒng)的馮諾依曼架構內(nèi)存墻正在成為計算性能進一步提升的阻礙。新一代的存內(nèi)計算（IMC）和近存計算（NMC）架構有望突破這一瓶頸，顯著...

2024-05-16 標簽：DRAM AI 憶阻器 3.5k 0

DDR與LPDDR的工作原理及異同點？

DDR和LPDDR都是動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的類型，它們在計算機和移動設備中用于臨時存儲數(shù)據(jù)。

2024-05-12 標簽：DRAM DDR 隨機存取存儲器 5.1k 0

冗余電路保險措施的導入—備用記憶體的機制

在半導體記憶體中，例如一個1G的DRAM，代表一個半導體晶片上擁有10億個能夠記憶1 bit的資訊單位。

2024-04-22 標簽：半導體 DRAM 晶圓 1.2k 0

如何處理SoC中的性能瓶頸呢？

SoC 中不斷添加處理核心，但它們不會都得到充分利用，因為真正的瓶頸沒有得到解決。

2024-05-01 標簽：處理器 DRAM SoC芯片 1.7k 0

DDR SDRAM 和SDRAM的主要差異

DDR內(nèi)存通過在時鐘周期的上升沿和下降沿都傳輸數(shù)據(jù)，從而實現(xiàn)雙倍數(shù)據(jù)率。這意味著在每個時鐘周期內(nèi)，DDR內(nèi)存能夠傳輸兩次數(shù)據(jù)，提高了數(shù)據(jù)傳輸效率。

2024-04-27 標簽：DRAM SDRAM 存儲器 3.6k 0

使用新的DRAM進步來提高嵌入式系統(tǒng)的性能

DRAM 技術的進步伴隨著多核處理器、新操作系統(tǒng)的出現(xiàn)，以及對許多不同計算平臺和應用程序（例如服務器、工作站、大容量存儲系統(tǒng)、超級計算機、PC 和外圍設...

2024-05-03 標簽：DRAM 嵌入式系統(tǒng)存儲系統(tǒng) 743 0

3D DRAM進入量產(chǎn)倒計時，3D DRAM開發(fā)路線圖

目前，各大內(nèi)存芯片廠商，以及全球知名半導體科研機構都在進行3D DRAM的研發(fā)工作，并且取得了不錯的進展，距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠了。

2024-04-17 標簽：處理器 DRAM 三星電子 1.9k 0

存算一體架構的優(yōu)勢及分類

存內(nèi)計算同樣是將計算和存儲合二為一的技術。它有兩種主要思路。第一種思路是通過電路革新，讓存儲器本身就具有計算能力。

2024-04-09 標簽：芯片 DRAM 邏輯電路 2.8k 0

先進工藝下的SRAM功耗和性能挑戰(zhàn)

隨著AI設計對內(nèi)部存儲器訪問的要求越來越高，SRAM在工藝節(jié)點遷移中進一步增加功耗已成為一個的問題。

2024-04-09 標簽：CMOS DRAM sram 2.2k 0

如何打造超越英偉達性能的GPU

PHY 是一種物理網(wǎng)絡傳輸設備，它將交換芯片、網(wǎng)絡接口或計算引擎上或內(nèi)部的任何數(shù)量的其他類型的接口鏈接到物理介質(zhì)（銅線、光纖、無線電信號），而物理介質(zhì)又...

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2024-04-08 標簽：閃存 DRAM NAND 717 0

存儲芯片是什么樣存儲信息的

在存儲信息時，對于動態(tài)存儲器，行地址首先將RAS鎖存于芯片中，然后列地址將CAS鎖存于芯片中，當WE有效時，寫入數(shù)據(jù)則被存儲于指定的單元中。

2024-03-29 標簽：集成電路 DRAM 半導體存儲器 9k 0

什么是HBM3E內(nèi)存？Rambus HBM3E/3內(nèi)存控制器內(nèi)核

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2024-03-20 標簽：處理器 DRAM 人工智能 5k 0

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2024-03-18 標簽：DRAM 三星電子內(nèi)存 2.1k 0

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