該公司表示，HBM3E（HBM3的擴(kuò)展版本）的成功開(kāi)發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)準(zhǔn)備水平，SK海力士計(jì)劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E，鞏固其在AI內(nèi)存市場(chǎng)無(wú)與倫比的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2023-08-22 16:24:41
1676 HBM3E內(nèi)存（也可以說(shuō)是顯存）主要面向AI應(yīng)用，是HBM3規(guī)范的擴(kuò)展，它有著當(dāng)前最好的性能，而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對(duì)AI優(yōu)化。
2023-08-22 16:28:071670 與此同時(shí)，SK海力士技術(shù)團(tuán)隊(duì)在該產(chǎn)品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術(shù)，其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性（Backward compatibility）**，因此客戶在基于HBM3組成的系統(tǒng)中，無(wú)需修改其設(shè)計(jì)或結(jié)構(gòu)也可以直接采用新產(chǎn)品。
2023-08-23 15:13:131515 ，skjmnft同時(shí)已經(jīng)向英偉達(dá)等用戶ERP交付樣品。 該公司的HBM3E內(nèi)存采用 eight-tier 布局，每個(gè)堆棧為24 GB，采用1β 技術(shù)生產(chǎn)，具備出色的性能。Multiable萬(wàn)達(dá)寶ERP具備數(shù)字化管理各個(gè)業(yè)務(wù)板塊,提升
2023-10-10 10:25:461636 由于hbm芯片的驗(yàn)證過(guò)程復(fù)雜，預(yù)計(jì)需要2個(gè)季度左右的時(shí)間，因此業(yè)界預(yù)測(cè)，最快將于2023年末得到部分企業(yè)對(duì)hbm3e的驗(yàn)證結(jié)果。但是，驗(yàn)證工作可能會(huì)在2024年第一季度完成。機(jī)構(gòu)表示，各原工廠的hbm3e驗(yàn)證結(jié)果將最終決定英偉達(dá)hbm購(gòu)買分配權(quán)重值，還需要進(jìn)一步觀察。
2023-11-27 15:03:571700 
目前，AI服務(wù)器對(duì)HBM（高帶寬內(nèi)存）的需求量越來(lái)越大，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">HBM大大縮短了走線距離，從而大幅提升了AI處理器運(yùn)算速度。HBM經(jīng)歷了幾代產(chǎn)品，包括HBM、HBM2、HBM2e和HMB3，最新的HBM3e剛出樣品。
2023-11-28 09:49:103063 
由于hbm芯片的驗(yàn)證過(guò)程復(fù)雜，預(yù)計(jì)需要2個(gè)季度左右的時(shí)間，因此業(yè)界預(yù)測(cè)，最快將于2023年末得到部分企業(yè)對(duì)hbm3e的驗(yàn)證結(jié)果。但是，驗(yàn)證工作可能會(huì)在2024年第一季度完成。機(jī)構(gòu)表示，各原工廠的hbm3e驗(yàn)證結(jié)果將最終決定英偉達(dá)hbm購(gòu)買分配權(quán)重值，還需要進(jìn)一步觀察。
2023-11-29 14:13:301601 
數(shù)據(jù)量、復(fù)雜度在增加，HBM內(nèi)存被徹底帶火。這種高帶寬高速的內(nèi)存十分適合于AI訓(xùn)練場(chǎng)景。最近，內(nèi)存芯片廠商已經(jīng)不約而同地切入HBM3E競(jìng)爭(zhēng)當(dāng)中。內(nèi)存控制器IP廠商Rambus也率先發(fā)布HBM3內(nèi)存
2023-12-13 15:33:482458 
美光已明確表示，預(yù)期明年將進(jìn)占市場(chǎng)份額約5%，排名第三。為了縮小與各領(lǐng)軍者間的距離，他們決定在受到矚目的HBM3E上加大研發(fā)力度，且計(jì)劃于2023年最后階段為英偉達(dá)提供測(cè)試。
2023-12-26 14:39:31843 在嚴(yán)格的9個(gè)開(kāi)發(fā)階段后，當(dāng)前流程全部完成，步入最終的產(chǎn)能提升階段。此次項(xiàng)目完結(jié)正是達(dá)產(chǎn)升能的標(biāo)志，這預(yù)示著自今往后產(chǎn)出的所有HBM3E即刻具備向英偉達(dá)交付的條件。SK海力士計(jì)劃3月獲取英偉達(dá)對(duì)終品質(zhì)量的認(rèn)可，同步啟動(dòng)大規(guī)模生產(chǎn)及交貨。
2024-02-21 10:17:051429 在全球存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，SK海力士已正式結(jié)束了第五代高帶寬存儲(chǔ)器器（HBM3E）的開(kāi)發(fā)工作，并成功通過(guò)了Nvidia長(zhǎng)達(dá)半年的性能評(píng)估。這一里程碑的達(dá)成標(biāo)志著SK海力士即將在今年3月開(kāi)始量產(chǎn)這款革命性的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，并計(jì)劃在下個(gè)月內(nèi)向其重要合作伙伴Nvidia供應(yīng)首批產(chǎn)品。
2024-02-21 11:14:081739 近日，全球存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士宣布，他們已成功完成了高性能HBM3E（High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced）的開(kāi)發(fā)，并且已經(jīng)通過(guò)了英偉達(dá)
2024-02-25 11:22:211656 美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官薩達(dá)納（Sumit Sadana）稱，公司已實(shí)現(xiàn)HBM3E的市場(chǎng)首發(fā)和卓越性能，同時(shí)能耗具有顯著優(yōu)勢(shì)，使公司在AI加速領(lǐng)域穩(wěn)占先機(jī)。他還強(qiáng)調(diào)，美光擁有業(yè)界頂尖的HBM3E及HBM4路線圖，DRAM與NAND技術(shù)相結(jié)合
2024-02-27 09:38:42841 “隨著AI行業(yè)對(duì)大容量
HBM的需求日益增大，我們的新產(chǎn)品
HBM3E 12H應(yīng)運(yùn)而生，”三星電子
內(nèi)存規(guī)劃部門Yongcheol Bae解釋道，“這個(gè)存儲(chǔ)方案是我們?cè)谌巳斯ぶ悄軙r(shí)代所推崇的
HBM核心技術(shù)、以及創(chuàng)新堆疊技術(shù)的成果展示?！?/div>
2024-02-27 10:36:251877 2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:001583 近日，三星電子宣布，已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存（HBM3E）產(chǎn)品——HBM3E 12H，再次鞏固了其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。據(jù)了解，HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產(chǎn)品，其性能也實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。
2024-02-27 14:28:211820 據(jù)手機(jī)資訊網(wǎng)站IT之家了解，MI300加速器配備了HBM3內(nèi)存模塊，并面向HBM3E進(jìn)行了重新設(shè)計(jì)。另外，該公司在供應(yīng)鏈交付合作方面頗為深入，不僅與主要的存儲(chǔ)器供應(yīng)商建立了穩(wěn)固的聯(lián)系，同時(shí)也與如臺(tái)積電等重要的基板供應(yīng)商以及OSAT社區(qū)保持著緊密的合作關(guān)系。
2024-02-27 15:45:051327 頻寬達(dá)每秒1.2 TB以上。相較于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，美光HBM3E的功耗降低約30%。 據(jù)百能云芯電.子元器.件商.城了解，
2024-02-28 14:17:101311 AI服務(wù)器出貨量增長(zhǎng)催化HBM需求爆發(fā)，且伴隨服務(wù)器平均HBM容量增加，經(jīng)測(cè)算，預(yù)期25年市場(chǎng)規(guī)模約150億美元，增速超過(guò)50%。
2024-03-01 11:02:536003 
其 HBM3E 高帶寬內(nèi)存 解決方案。英偉達(dá) H200 Tensor Core GPU?將采用美光 8 層堆疊的 24GB?容量 HBM3E?內(nèi)存，并于 2024?年第二季度開(kāi)始出貨。美光通過(guò)這一
2024-03-04 14:51:511493 
2024 年 3?月 4?日全球內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）近日宣布已開(kāi)始量產(chǎn)其 HBM3E 高帶寬
2024-03-04 18:51:411886 
美光科技股份有限公司（Micron Technology, Inc.）是全球內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，近日宣布已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)其HBM3E高帶寬內(nèi)存解決方案。這一重要的里程碑式進(jìn)展再次證明了美光在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)先地位。
2024-03-05 09:16:281608 近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及影像產(chǎn)品制造商美光公司宣布，已開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)用于人工智能的新型高帶寬芯片——HBM3E。這一里程碑式的進(jìn)展不僅標(biāo)志著美光在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一次突破，也預(yù)示著人工智能領(lǐng)域?qū)⒂瓉?lái)更為強(qiáng)勁的計(jì)算能力支持。
2024-03-08 10:02:07891 三星電子近期研發(fā)的這款36GB HBM3E 12H DRAM確實(shí)在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。其宣稱的帶寬新紀(jì)錄，不僅展現(xiàn)了三星在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新能力，也為整個(gè)存儲(chǔ)行業(yè)樹(shù)立了新的性能標(biāo)桿。
2024-03-08 10:04:421516 三星電子近日宣布，公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM，即HBM3E 12H，該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實(shí)現(xiàn)了顯著的提升，這也意味著三星已開(kāi)發(fā)出業(yè)界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）。
2024-03-08 10:10:511277 同日，SK海力士宣布啟動(dòng) HBM3E 內(nèi)存的量產(chǎn)工作，并在本月下旬開(kāi)始供貨。自去年宣布研發(fā)僅過(guò)了七個(gè)月。據(jù)稱，該公司成為全球首家量產(chǎn)出貨HBM3E 的廠商，每秒鐘能處理高達(dá) 1.18TB 的數(shù)據(jù)。此項(xiàng)數(shù)據(jù)處理能力足以支持在一小時(shí)內(nèi)處理多達(dá)約 33，800 部全高清電影。
2024-03-19 09:57:442225 SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家，預(yù)計(jì)這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗(yàn)，將進(jìn)一步強(qiáng)化公司在AI存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
2024-03-19 15:18:211675 據(jù)悉，HBM3E廣泛應(yīng)用于Blackwell加速器、NVIDIA H200、GH200芯片；AMD Instinct MI300A / X亦有可能采用其技術(shù)。至于GDDR7，有望在RTX 50系列顯卡中得到應(yīng)用。
2024-03-20 10:25:591737 HBM3E的推出，標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲(chǔ)器領(lǐng)域取得了重大突破，將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:531844 提及此前有人預(yù)測(cè)英偉達(dá)可能向三星購(gòu)買HBM3或HBM3E等內(nèi)存，黃仁勛在會(huì)上直接認(rèn)可三星實(shí)力，稱其為“極具價(jià)值的公司”。他透露目前已對(duì)三星HBM內(nèi)存進(jìn)行測(cè)試，未來(lái)可能增加采購(gòu)量。
2024-03-20 16:17:241406 據(jù)悉，HBM3E 12H內(nèi)存具備高達(dá)1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲(chǔ)容量，較8層堆疊的HBM3 8H，分別提升了50%以上的帶寬及容量。
2024-03-25 15:36:11989 據(jù)最新消息透露，英偉達(dá)即將從今年9月開(kāi)始大規(guī)模采購(gòu)12層HBM3E內(nèi)存，而這次供貨的重任將完全由三星電子承擔(dān)。這一消息無(wú)疑為業(yè)內(nèi)帶來(lái)了不小的震動(dòng)。
2024-03-26 10:59:061180 據(jù)業(yè)內(nèi)透露，三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領(lǐng)先其他公司，有能力在2024年9月實(shí)現(xiàn)對(duì)英偉達(dá)的替代，這意味著它將成為英偉達(dá)12層HBM3E的壟斷供應(yīng)商。然而，三星方面不愿透露具體客戶信息。
2024-03-27 09:30:091917 12層HBM3e將每個(gè)堆棧可用的總帶寬提高到驚人的1,280GB/s，這比單個(gè)堆棧上RTX 4090可用的全部帶寬還要高。
2024-03-29 10:47:091352 
HBM3自2022年1月誕生，便憑借其獨(dú)特的2.5D/3D內(nèi)存架構(gòu)，迅速成為高性能計(jì)算領(lǐng)域的翹楚。HBM3不僅繼承了前代產(chǎn)品的優(yōu)秀特性，更在技術(shù)上取得了顯著的突破。它采用了高達(dá)1024位的數(shù)據(jù)路徑，并以驚人的6.4 Gb/s的速率運(yùn)行，實(shí)現(xiàn)了高達(dá)819 Gb/s的帶寬，為高性能計(jì)算提供了強(qiáng)大的支持。
2024-03-30 14:34:103382 
TC鍵合機(jī)作為一種應(yīng)用熱壓技術(shù)將芯片與電路板連接的設(shè)備，近年來(lái)廣泛應(yīng)用于HBM3E和HBM3的垂直堆疊工藝中，提升了生產(chǎn)效率和精度。
2024-04-12 09:44:462069 三星方面表示，預(yù)計(jì)今年上半年將正式生產(chǎn)出HBM3E 12H內(nèi)存，而AMD則計(jì)劃于下半年開(kāi)始生產(chǎn)相應(yīng)的AI加速卡。值得注意的是，三星HBM3E 12H內(nèi)存的全天候最大帶寬可達(dá)到驚人的1280GB/s，產(chǎn)品容量更是高達(dá)36GB。
2024-04-24 14:44:381196 韓國(guó) SK海力士于 4 月 25 日透露在季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上，他們承諾第三季度能夠成功研發(fā)出 12 層堆疊的 HBM3E 系列芯片，然而由于供應(yīng)壓力，可能在下半年出現(xiàn)短缺現(xiàn)象。
2024-04-25 14:45:071054 至于為何供應(yīng)商提前議價(jià)，吳雅婷解釋道，首先，HBM買家對(duì)于人工智能需求前景十分樂(lè)觀；其次，HBM3e的TSV良率目前只有40%-60%，買家期望獲得品質(zhì)穩(wěn)定的貨源；
2024-05-07 09:33:191068 具體而言，現(xiàn)有的DRAM設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)將負(fù)責(zé)HBM3E內(nèi)存的進(jìn)一步研發(fā)，而三月份新成立的HBM產(chǎn)能質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)則專注于開(kāi)發(fā)下一代HBM內(nèi)存——HBM4。
2024-05-10 14:44:391199 據(jù)此，現(xiàn)有的DRAM設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)將主要負(fù)責(zé)HBM3E內(nèi)存的開(kāi)發(fā)和優(yōu)化，而今年三月份新設(shè)立的HBM產(chǎn)能與質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)則專攻下一代技術(shù)——HBM4。
2024-05-11 18:01:151993 業(yè)內(nèi)評(píng)論指出，三星HBM之所以出現(xiàn)問(wèn)題，主要原因在于負(fù)責(zé)英偉達(dá)GPU制造的臺(tái)積電在驗(yàn)證過(guò)程中采用了SK海力士的標(biāo)準(zhǔn)。由于SK海力士8層HBM3E的生產(chǎn)方式與三星有所差異，導(dǎo)致三星產(chǎn)品未能順利通過(guò)驗(yàn)證。
2024-05-16 17:56:201863 據(jù)行業(yè)觀察者透露，三星HBM3E面臨的問(wèn)題源于臺(tái)積電在驗(yàn)證過(guò)程中采用了SK海力士的標(biāo)準(zhǔn)，而這與三星自身的生產(chǎn)方式有所出入，從而影響了產(chǎn)品的認(rèn)證進(jìn)程。
2024-05-17 09:30:53892 三星電子近期正積極投入驗(yàn)證工作，以確保其HBM3E產(chǎn)品能夠順利供應(yīng)給英偉達(dá)。然而，業(yè)界傳出消息，因臺(tái)積電在采用標(biāo)準(zhǔn)上存在的某些問(wèn)題，導(dǎo)致8層HBM3E產(chǎn)品目前仍需要進(jìn)一步的檢驗(yàn)。
2024-05-17 11:10:13918 早在今年3月份，韓國(guó)媒體DealSite報(bào)道中指出，全球HBM存儲(chǔ)器的平均良率約為65%。據(jù)此來(lái)看，SK海力士在近期對(duì)HBM3E存儲(chǔ)器的生產(chǎn)工藝進(jìn)行了顯著提升。
2024-05-23 10:22:301079 近日，三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片在英偉達(dá)測(cè)試中遭遇挫折。據(jù)知情人士透露，芯片因發(fā)熱和功耗問(wèn)題未能達(dá)標(biāo)，影響到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。
2024-05-24 14:10:011108 據(jù)報(bào)道，SK海力士宣布第五代高帶寬存儲(chǔ)（HBM）—HBM3E的良率已接近80%。
2024-05-27 14:38:171888 然而，全球HBM產(chǎn)能幾乎被SK海力士、三星和美光壟斷，其中SK海力士占據(jù)AI GPU市場(chǎng)80%份額，是Nvidia HBM3內(nèi)存獨(dú)家供應(yīng)商，且已于今年3月啟動(dòng)HBM3E量產(chǎn)。
2024-05-28 09:40:311726 美光近期發(fā)布的內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品組合創(chuàng)新備受矚目，這些成就加速了 AI 的發(fā)展。美光 8 層堆疊和 12 層堆疊 HBM3E 解決方案提供業(yè)界前沿性能，功耗比競(jìng)品1低 30%。
2024-05-28 14:08:131659 據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，為了應(yīng)對(duì)市場(chǎng)對(duì)高性能HBM3E（高帶寬內(nèi)存第三代增強(qiáng)版）內(nèi)存的激增需求，全球知名半導(dǎo)體制造商SK海力士已決定大幅增加其1b nm制程DRAM內(nèi)存產(chǎn)能。這一戰(zhàn)略決策旨在確保公司能夠穩(wěn)定供應(yīng)高質(zhì)量內(nèi)存產(chǎn)品，同時(shí)進(jìn)一步鞏固其在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。
2024-06-18 16:25:571084 在全球AI芯片領(lǐng)域的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，英偉達(dá)以其卓越的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)影響力，始終保持著領(lǐng)先地位。最近，這家AI芯片大廠再次展現(xiàn)出了其獨(dú)特的戰(zhàn)略眼光和強(qiáng)大的資金實(shí)力，以確保其新品GH200和H200能夠順利出貨，不惜以高達(dá)13億美元的預(yù)算，向美光和SK海力士預(yù)訂了部分高帶寬存儲(chǔ)HBM3e的產(chǎn)能。
2024-06-22 16:46:581465 在科技界的密切關(guān)注下，三星電子與英偉達(dá)之間的合作再次傳來(lái)振奮人心的消息。據(jù)韓國(guó)主流媒體NewDaily最新報(bào)道，三星電子已成功通過(guò)英偉達(dá)的HBM3e（高帶寬內(nèi)存）質(zhì)量測(cè)試，標(biāo)志著這家科技巨頭在高端
2024-07-04 15:24:561151 在科技界與金融市場(chǎng)的交匯點(diǎn)，一則關(guān)于三星電子HBM3E（High Bandwidth Memory 3E）芯片通過(guò)英偉達(dá)嚴(yán)格質(zhì)量測(cè)試的消息于7月4日悄然傳開(kāi)，瞬間點(diǎn)燃了業(yè)界內(nèi)外對(duì)于高性能存儲(chǔ)技術(shù)未來(lái)
2024-07-04 16:22:511195 近日，韓國(guó)媒體的一則報(bào)道引發(fā)了業(yè)界廣泛關(guān)注，稱三星電子的新一代高帶寬內(nèi)存HBM3E已經(jīng)順利通過(guò)了GPU巨頭英偉達(dá)（NVIDIA）的質(zhì)量認(rèn)證，即Qualtest PRA（產(chǎn)品準(zhǔn)備批準(zhǔn)），并預(yù)示著該產(chǎn)品
2024-07-05 10:37:031118 近期，有媒體報(bào)道稱三星電子已成功通過(guò)英偉達(dá)（NVIDIA）的HBM3E（高帶寬內(nèi)存）質(zhì)量測(cè)試，并預(yù)計(jì)很快將啟動(dòng)量產(chǎn)流程，以滿足市場(chǎng)對(duì)高性能存儲(chǔ)解決方案的迫切需求。然而，這一消息迅速遭到了三星電子的官方否認(rèn)。
2024-07-05 15:08:181268 韓國(guó)新聞源NewDaily近日發(fā)布了一則報(bào)道，聲稱三星電子的HBM3e芯片已成功通過(guò)英偉達(dá)的產(chǎn)品測(cè)試，預(yù)示著即將開(kāi)啟大規(guī)模生產(chǎn)并向英偉達(dá)供貨的序幕。然而，三星電子方面迅速對(duì)此消息進(jìn)行了否認(rèn)，表示并未收到官方確認(rèn)。
2024-07-05 16:09:581392 在半導(dǎo)體存儲(chǔ)領(lǐng)域，三星電子的每一次技術(shù)突破與產(chǎn)能調(diào)整都牽動(dòng)著市場(chǎng)的神經(jīng)。近期，業(yè)內(nèi)傳出消息，三星電子的HBM3E（High Bandwidth Memory 3E）存儲(chǔ)器即將完成批量出貨驗(yàn)證，這一
2024-07-17 15:19:411221 近日，三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域再傳捷報(bào)，其高頻寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)品HBM3e已成功通過(guò)全球圖形處理與AI計(jì)算巨頭英偉達(dá)（NVIDIA）的嚴(yán)格認(rèn)證，標(biāo)志著該產(chǎn)品即將進(jìn)入規(guī)?；a(chǎn)階段，預(yù)計(jì)在本季度內(nèi)正式向
2024-07-18 09:36:591401 1. 三星：HBM3e 先進(jìn)芯片今年量產(chǎn)，營(yíng)收貢獻(xiàn)將增長(zhǎng)至60% ? 三星電子公司計(jì)劃今年開(kāi)始量產(chǎn)其第五代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）芯片HBM3e，并迅速提高其對(duì)營(yíng)收的貢獻(xiàn)。三星電子表示，該公司預(yù)計(jì)其
2024-08-01 11:08:111376 三星電子公司近日宣布了一項(xiàng)重要計(jì)劃，即今年將全面啟動(dòng)其第五代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）芯片HBM3e的量產(chǎn)工作，并預(yù)期這一先進(jìn)產(chǎn)品將顯著提升公司的營(yíng)收貢獻(xiàn)。據(jù)三星電子透露，隨著HBM3e芯片的逐步放量
2024-08-02 16:32:371053 8月7日，市場(chǎng)上關(guān)于三星電子第五代高頻寬記憶體芯片HBM3E已通過(guò)英偉達(dá)（Nvidia）測(cè)試的消息引起了廣泛關(guān)注。然而，三星電子對(duì)此事態(tài)的反應(yīng)卻顯得較為謹(jǐn)慎。三星電子官方表示：“我們無(wú)法證實(shí)與我
2024-08-07 15:23:26968 近日，有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試的報(bào)道引起了廣泛關(guān)注。然而，三星電子迅速對(duì)此傳聞進(jìn)行了回應(yīng)，明確表示該報(bào)道并不屬實(shí)。
2024-08-08 10:06:021161 進(jìn)入八月，市場(chǎng)傳言四起，韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭三星電子（簡(jiǎn)稱“三星”）的8層HBM3E內(nèi)存（新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品）已順利通過(guò)英偉達(dá)嚴(yán)格測(cè)試。然而，三星迅速澄清，表示這一報(bào)道與事實(shí)相去甚遠(yuǎn)，強(qiáng)調(diào)目前質(zhì)量測(cè)試
2024-08-23 15:02:561635 9月4日最新資訊，據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新報(bào)告透露，三星電子已成功完成其HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品的驗(yàn)證流程，并正式啟動(dòng)了HBM3E 8Hi（即24GB容量版本）的出貨，該產(chǎn)品主要面向英偉達(dá)H200系列應(yīng)用。同時(shí)，三星電子還積極推進(jìn)Blackwell系列的驗(yàn)證工作，預(yù)示著更先進(jìn)技術(shù)的穩(wěn)步前行。
2024-09-04 15:57:091772 HBM市場(chǎng)全球最高市占率的地位，也標(biāo)志著HBM3E技術(shù)再次引領(lǐng)行業(yè)潮流，特別是在滿足日益增長(zhǎng)的人工智能服務(wù)器對(duì)高性能內(nèi)存需求的背景下。
2024-09-05 16:31:361645 近日，知名市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce在最新發(fā)布的報(bào)告中宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展：三星電子的HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品已成功通過(guò)英偉達(dá)驗(yàn)證，并正式開(kāi)啟出貨流程。具體而言，三星的HBM3E 8Hi版本已被確認(rèn)
2024-09-05 17:15:281404 美光科技近期宣布，其“生產(chǎn)可用”的12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存已成功啟動(dòng)交付，標(biāo)志著AI計(jì)算領(lǐng)域的一大飛躍。這款先進(jìn)內(nèi)存正陸續(xù)送達(dá)主要行業(yè)合作伙伴手中，以全面融入并驗(yàn)證其在整個(gè)AI生態(tài)系統(tǒng)中的效能。
2024-09-09 17:42:371553 今日，半導(dǎo)體巨頭SK海力士震撼宣布了一項(xiàng)業(yè)界矚目的技術(shù)里程碑，該公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)模化生產(chǎn)，此舉不僅將HBM存儲(chǔ)器的最大容量推升至史無(wú)前例的36GB新高度，更進(jìn)一步鞏固了SK海力士在AI應(yīng)用存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)軍地位。
2024-09-26 16:30:311987 SK海力士近日宣布了一項(xiàng)重大突破，公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)12層堆疊HBM3E的量產(chǎn)，這一里程碑式的成就標(biāo)志著其在高端存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先地位。這款新品不僅將HBM產(chǎn)品的容量提升至前所未有的36GB，更是在AI應(yīng)用所需的速度、容量及穩(wěn)定性等方面均達(dá)到了全球頂尖水平。
2024-09-27 16:49:171176 近日，三星電子因向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E內(nèi)存的延遲，對(duì)其HBM內(nèi)存的產(chǎn)能規(guī)劃進(jìn)行了調(diào)整。據(jù)韓媒報(bào)道，三星已將2025年底的產(chǎn)能預(yù)估下調(diào)至每月17萬(wàn)片晶圓，這一調(diào)整反映了半導(dǎo)體行業(yè)當(dāng)前緊張的供需關(guān)系和激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。
2024-10-11 17:37:121554 近日，業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進(jìn)程遲緩的消息，據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關(guān)。具體而言，1a DRAM的性能問(wèn)題成為了三星電子向英偉達(dá)提供HBM3E量產(chǎn)供應(yīng)的絆腳石。
2024-10-23 17:15:101255 近日在一次科技展覽上，SK海力士驚艷亮相，展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產(chǎn)品。這一突破性產(chǎn)品不僅展示了SK海力士在高端存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域
2024-11-05 15:01:201231 在近日舉行的SK AI峰會(huì)上，韓國(guó)存儲(chǔ)巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著SK海力士在高端存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:051189 Rambus Inc.，業(yè)界知名的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商，近日宣布了一項(xiàng)重大突破：推出業(yè)界首款HBM4（High Bandwidth Memory 4，高帶寬內(nèi)存4代）內(nèi)存控制器IP。這一創(chuàng)新成果
2024-11-14 16:33:041413 在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動(dòng)中，SK hynix（SK海力士）透露了一項(xiàng)令人矚目的新產(chǎn)品計(jì)劃。據(jù)悉，該公司正在積極開(kāi)發(fā)HBM3e 16hi產(chǎn)品，這款產(chǎn)品的每顆HBM芯片容量高達(dá)48GB，將為用戶帶來(lái)前所未有的存儲(chǔ)體驗(yàn)。
2024-11-14 18:20:201364 近日，英偉達(dá)公司正在積極推進(jìn)對(duì)三星AI內(nèi)存芯片的認(rèn)證工作。據(jù)英偉達(dá)CEO透露，他們正在不遺余力地加速這一進(jìn)程，旨在盡快將三星的內(nèi)存解決方案融入其產(chǎn)品中。 此次認(rèn)證工作的焦點(diǎn)在于三星的HBM3E內(nèi)存
2024-11-25 14:34:171028 近日，SK海力士正全力加速其全球首創(chuàng)的16層堆疊(16Hi)HBM3E內(nèi)存的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作。這一創(chuàng)新產(chǎn)品的全面生產(chǎn)測(cè)試已經(jīng)正式啟動(dòng)，為明年初的樣品出樣乃至2025年上半年的大規(guī)模量產(chǎn)與供應(yīng)奠定了
2024-12-26 14:46:241050 近日，全球DRAM內(nèi)存巨頭之一的美光科技公司宣布，將正式進(jìn)軍16-Hi(即16層堆疊)HBM3E內(nèi)存市場(chǎng)。目前，美光正在對(duì)最終設(shè)備進(jìn)行評(píng)估，并計(jì)劃在今年內(nèi)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 這一消息標(biāo)志著美光在高性能內(nèi)存
2025-01-17 14:14:12914 三星電子在近期舉行的業(yè)績(jī)電話會(huì)議中，透露了其高帶寬內(nèi)存（HBM）的最新發(fā)展動(dòng)態(tài)。據(jù)悉，該公司的第五代HBM3E產(chǎn)品已在2024年第三季度實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)和銷售，并在第四季度成功向多家GPU廠商及數(shù)據(jù)中心供貨。與上一代HBM3相比，HBM3E的銷售額實(shí)現(xiàn)了顯著增長(zhǎng)。
2025-02-06 17:59:001106 其高帶寬存儲(chǔ)器HBM3E產(chǎn)品中的初始缺陷問(wèn)題，并就三星第五代HBM3E產(chǎn)品向英偉達(dá)供應(yīng)的相關(guān)事宜進(jìn)行了深入討論。 此次高層會(huì)晤引發(fā)了外界的廣泛關(guān)注。據(jù)推測(cè)，三星8層HBM3E產(chǎn)品的質(zhì)量認(rèn)證工作已接近尾聲，這標(biāo)志著三星即將正式邁入英偉達(dá)的HBM供應(yīng)鏈。對(duì)于三星而言
2025-02-18 11:00:38979 需求。Cadence HBM4 解決方案符合 JEDEC 的內(nèi)存規(guī)范 JESD270-4，與前一代 HBM3E IP 產(chǎn)品相比，內(nèi)存帶寬翻了一番。Cadence HBM4 PHY 和控制器 IP 現(xiàn)已
2025-05-26 10:45:261307 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）據(jù)報(bào)道，繼英偉達(dá)之后，全球多個(gè)科技巨頭都在競(jìng)購(gòu)SK海力士的第五代高帶寬內(nèi)存HBM3E。半導(dǎo)體行業(yè)知情人士稱，各大科技巨頭都已經(jīng)在向SK海力士請(qǐng)求獲取HBM3E樣本，包括
2023-07-06 09:06:313695 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）根據(jù)韓媒sedaily 的最新報(bào)道，三星華城17號(hào)產(chǎn)線已開(kāi)始量產(chǎn)并向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3內(nèi)存。同時(shí)，美光已經(jīng)為英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E。至此，高端HBM內(nèi)存的供應(yīng)由SK海力士
2024-07-23 00:04:005534 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）眼下各家存儲(chǔ)芯片廠商的HBM3E陸續(xù)量產(chǎn)，HBM4正在緊鑼密鼓地研發(fā)，從規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)到工藝制程、封裝技術(shù)等都有所進(jìn)展，原本SK海力士計(jì)劃2026年量產(chǎn)HBM4，不過(guò)最近
2024-07-28 00:58:136874 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）在早前的報(bào)道中，對(duì)于HBM產(chǎn)能是否即將過(guò)剩，業(yè)界有不同的聲音，但絲毫未影響存儲(chǔ)芯片廠商對(duì)HBM產(chǎn)品升級(jí)的步伐。 ? 三大廠商12 層HBM3E 進(jìn)展 ? 9月26日SK
2024-10-06 01:03:005496 
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