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三星否認(rèn)HBM3E芯片通過英偉達(dá)測試

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-08-08 10:06 ? 次閱讀
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近日,有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達(dá)測試的報(bào)道引起了廣泛關(guān)注。然而,三星電子迅速對此傳聞進(jìn)行了回應(yīng),明確表示該報(bào)道并不屬實(shí)。

據(jù)三星電子官方表示,他們無法證實(shí)與客戶相關(guān)的具體報(bào)道內(nèi)容,并直接指出這一報(bào)道是不準(zhǔn)確的。同時(shí),三星電子的一位高管進(jìn)一步透露,目前HBM3E芯片的質(zhì)量測試工作仍在緊鑼密鼓地進(jìn)行中,與上月公司財(cái)報(bào)電話會(huì)議時(shí)所通報(bào)的進(jìn)展并無任何變化。

此次澄清消除了市場對于三星HBM3E芯片進(jìn)展的誤解,也再次強(qiáng)調(diào)了公司在產(chǎn)品測試和質(zhì)量保證方面的嚴(yán)謹(jǐn)態(tài)度。未來,隨著測試的深入,相信會(huì)有更多關(guān)于這款先進(jìn)芯片的具體信息被逐步披露。

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