該公司表示，HBM3E（HBM3的擴(kuò)展版本）的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)準(zhǔn)備水平，SK海力士計(jì)劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E，鞏固其在AI內(nèi)存市場(chǎng)無與倫比的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2023-08-22 16:24:41
1676 HBM3E內(nèi)存（也可以說是顯存）主要面向AI應(yīng)用，是HBM3規(guī)范的擴(kuò)展，它有著當(dāng)前最好的性能，而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對(duì)AI優(yōu)化。
2023-08-22 16:28:071670 ，skjmnft同時(shí)已經(jīng)向英偉達(dá)等用戶ERP交付樣品。 該公司的HBM3E內(nèi)存采用 eight-tier 布局，每個(gè)堆棧為24 GB，采用1β 技術(shù)生產(chǎn)，具備出色的性能。Multiable萬達(dá)寶ERP具備數(shù)字化管理各個(gè)業(yè)務(wù)板塊,提升
2023-10-10 10:25:461636 三星電子在此次會(huì)議上表示：“從2023年5月開始批量生產(chǎn)了12納米級(jí)dram，目前正在開發(fā)的11納米級(jí)dram將提供業(yè)界最高密度?！绷硗?，三星正在準(zhǔn)備10納米dram的新的3d構(gòu)架，并計(jì)劃為一個(gè)芯片提供100gb （gigabit）以上的容量。
2023-10-23 09:54:241720 由于hbm芯片的驗(yàn)證過程復(fù)雜，預(yù)計(jì)需要2個(gè)季度左右的時(shí)間，因此業(yè)界預(yù)測(cè)，最快將于2023年末得到部分企業(yè)對(duì)hbm3e的驗(yàn)證結(jié)果。但是，驗(yàn)證工作可能會(huì)在2024年第一季度完成。機(jī)構(gòu)表示，各原工廠的hbm3e驗(yàn)證結(jié)果將最終決定英偉達(dá)hbm購買分配權(quán)重值，還需要進(jìn)一步觀察。
2023-11-27 15:03:571700 
由于hbm芯片的驗(yàn)證過程復(fù)雜，預(yù)計(jì)需要2個(gè)季度左右的時(shí)間，因此業(yè)界預(yù)測(cè)，最快將于2023年末得到部分企業(yè)對(duì)hbm3e的驗(yàn)證結(jié)果。但是，驗(yàn)證工作可能會(huì)在2024年第一季度完成。機(jī)構(gòu)表示，各原工廠的hbm3e驗(yàn)證結(jié)果將最終決定英偉達(dá)hbm購買分配權(quán)重值，還需要進(jìn)一步觀察。
2023-11-29 14:13:301601 
美國IT企業(yè)投資規(guī)模的加大使得HBM市場(chǎng)迅速成長(zhǎng)。預(yù)計(jì)至2024年，HBM供應(yīng)緊缺問題將愈發(fā)嚴(yán)重。對(duì)此，三星計(jì)劃于2023年末和2024年初供應(yīng)第四代HBM產(chǎn)品HBM3，并計(jì)劃啟動(dòng)第五代HBM產(chǎn)品HBM3E的量產(chǎn)。在此
2024-01-03 13:41:022230 數(shù)據(jù)顯示，首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴(kuò)大其HBM生產(chǎn)能力，并啟動(dòng)大規(guī)模HBM設(shè)備采購；此外，三星和SK海力士計(jì)劃加強(qiáng)DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移，進(jìn)一步加大對(duì)DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580 在嚴(yán)格的9個(gè)開發(fā)階段后，當(dāng)前流程全部完成，步入最終的產(chǎn)能提升階段。此次項(xiàng)目完結(jié)正是達(dá)產(chǎn)升能的標(biāo)志，這預(yù)示著自今往后產(chǎn)出的所有HBM3E即刻具備向英偉達(dá)交付的條件。SK海力士計(jì)劃3月獲取英偉達(dá)對(duì)終品質(zhì)量的認(rèn)可，同步啟動(dòng)大規(guī)模生產(chǎn)及交貨。
2024-02-21 10:17:051429 目前，只有英偉達(dá)的Hopper GH200芯片配備了HBM3e內(nèi)存。與現(xiàn)有的HBM3相比，HBM3e的速度提升了50%，單個(gè)平臺(tái)可以達(dá)到10TB/s的帶寬，單顆芯片能夠?qū)崿F(xiàn)5TB/s的傳輸速率，內(nèi)存容量高達(dá)141GB。
2024-02-25 11:22:421391 美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官薩達(dá)納（Sumit Sadana）稱，公司已實(shí)現(xiàn)HBM3E的市場(chǎng)首發(fā)和卓越性能，同時(shí)能耗具有顯著優(yōu)勢(shì)，使公司在AI加速領(lǐng)域穩(wěn)占先機(jī)。他還強(qiáng)調(diào)，美光擁有業(yè)界頂尖的HBM3E及HBM4路線圖，DRAM與NAND技術(shù)相結(jié)合
2024-02-27 09:38:42841 “隨著AI行業(yè)對(duì)大容量
HBM的需求日益增大，我們的新產(chǎn)品
HBM3E 12H應(yīng)運(yùn)而生，”
三星電子內(nèi)存規(guī)劃部門Yongcheol Bae解釋道，“這個(gè)存儲(chǔ)方案是我們?cè)谌巳斯ぶ悄軙r(shí)代所推崇的
HBM核心技術(shù)、以及創(chuàng)新堆疊技術(shù)的成果展示?！?/div>
2024-02-27 10:36:251877 2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:001583 近日，三星電子宣布，已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存（HBM3E）產(chǎn)品——HBM3E 12H，再次鞏固了其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。據(jù)了解，HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產(chǎn)品，其性能也實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。
2024-02-27 14:28:211820 三星在技術(shù)上采用了最新的熱壓力傳導(dǎo)性膜（TC NCF）技術(shù)，成功維持了12層產(chǎn)品的高度與其前身8層HBM芯片保持一致，滿足了現(xiàn)有的HBM封裝要求。
2024-02-27 16:37:451945 光在該領(lǐng)域處于業(yè)界領(lǐng)先地位。這一消息推動(dòng)美光股價(jià)在當(dāng)天上漲4%，27日美股早盤繼續(xù)上漲逾2.5%。 HBM3E是第五代高頻寬記憶體，目前提供的容量為24GB，每腳位傳輸速率超過每秒9.2 Gb，記憶體
2024-02-28 14:17:101311 其 HBM3E 高帶寬內(nèi)存 解決方案。英偉達(dá) H200 Tensor Core GPU?將采用美光 8 層堆疊的 24GB?容量 HBM3E?內(nèi)存，并于 2024?年第二季度開始出貨。美光通過這一
2024-03-04 14:51:511493 
內(nèi)存解決方案。英偉達(dá) H200 Tensor Core GPU 將采用美光 8 層堆疊的 24GB 容量 HBM3E 內(nèi)存，并于 2024 年第二季度開始出貨。美光通過這一里程碑式進(jìn)展持續(xù)保持行業(yè)
2024-03-04 18:51:411886 
三星電子近期研發(fā)的這款36GB HBM3E 12H DRAM確實(shí)在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。其宣稱的帶寬新紀(jì)錄，不僅展現(xiàn)了三星在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新能力，也為整個(gè)存儲(chǔ)行業(yè)樹立了新的性能標(biāo)桿。
2024-03-08 10:04:421516 三星電子近日宣布，公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM，即HBM3E 12H，該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實(shí)現(xiàn)了顯著的提升，這也意味著三星已開發(fā)出業(yè)界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）。
2024-03-08 10:10:511277 就此，知情人士指出，三星此舉體現(xiàn)出該公司提升HBM良率的決心。對(duì)此，一家行業(yè)分析機(jī)構(gòu)表示，考慮到AI行業(yè)對(duì)HBM3及HBM3E芯片需求日益增長(zhǎng)，三星有必要作出調(diào)整。
2024-03-13 13:35:191095 Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對(duì)高帶寬和低延遲進(jìn)行了優(yōu)化，以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。
2024-03-20 14:12:374681 
HBM3E的推出，標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲(chǔ)器領(lǐng)域取得了重大突破，將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:531844 提及此前有人預(yù)測(cè)英偉達(dá)可能向三星購買HBM3或HBM3E等內(nèi)存，黃仁勛在會(huì)上直接認(rèn)可三星實(shí)力，稱其為“極具價(jià)值的公司”。他透露目前已對(duì)三星HBM內(nèi)存進(jìn)行測(cè)試，未來可能增加采購量。
2024-03-20 16:17:241406 英偉達(dá)正在尋求與三星建立合作伙伴關(guān)系，計(jì)劃從后者采購高帶寬存儲(chǔ)（HBM）芯片。HBM作為人工智能（AI）芯片的核心組件，其重要性不言而喻。與此同時(shí)，三星正努力追趕業(yè)內(nèi)領(lǐng)頭羊SK海力士，后者已率先實(shí)現(xiàn)下一代HBM3E芯片的大規(guī)模量產(chǎn)。
2024-03-25 11:42:041287 據(jù)悉，HBM3E 12H內(nèi)存具備高達(dá)1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲(chǔ)容量，較8層堆疊的HBM3 8H，分別提升了50%以上的帶寬及容量。
2024-03-25 15:36:11989 據(jù)最新消息透露，英偉達(dá)即將從今年9月開始大規(guī)模采購12層HBM3E內(nèi)存，而這次供貨的重任將完全由三星電子承擔(dān)。這一消息無疑為業(yè)內(nèi)帶來了不小的震動(dòng)。
2024-03-26 10:59:061180 在基礎(chǔ)晶圓上通過硅通孔（TSV）連接多層DRAM，首批HBM3E產(chǎn)品均采用8層堆疊，容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達(dá)發(fā)送了樣品。此前有消息稱，英偉達(dá)已經(jīng)向SK海力士支付了約合5.4億至7.7億美元的預(yù)付款，供應(yīng)下一代HBM3E。 SK海力士和三星都在推進(jìn)12層
2024-03-27 09:12:081225 據(jù)業(yè)內(nèi)透露，三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領(lǐng)先其他公司，有能力在2024年9月實(shí)現(xiàn)對(duì)英偉達(dá)的替代，這意味著它將成為英偉達(dá)12層HBM3E的壟斷供應(yīng)商。然而，三星方面不愿透露具體客戶信息。
2024-03-27 09:30:091917 三星方面表示，預(yù)計(jì)今年上半年將正式生產(chǎn)出HBM3E 12H內(nèi)存，而AMD則計(jì)劃于下半年開始生產(chǎn)相應(yīng)的AI加速卡。值得注意的是，三星HBM3E 12H內(nèi)存的全天候最大帶寬可達(dá)到驚人的1280GB/s，產(chǎn)品容量更是高達(dá)36GB。
2024-04-24 14:44:381196 韓國 SK海力士于 4 月 25 日透露在季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上，他們承諾第三季度能夠成功研發(fā)出 12 層堆疊的 HBM3E 系列芯片，然而由于供應(yīng)壓力，可能在下半年出現(xiàn)短缺現(xiàn)象。
2024-04-25 14:45:071054 具體而言，現(xiàn)有的DRAM設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)將負(fù)責(zé)HBM3E內(nèi)存的進(jìn)一步研發(fā)，而三月份新成立的HBM產(chǎn)能質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)則專注于開發(fā)下一代HBM內(nèi)存——HBM4。
2024-05-10 14:44:391199 據(jù)此，現(xiàn)有的DRAM設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)將主要負(fù)責(zé)HBM3E內(nèi)存的開發(fā)和優(yōu)化，而今年三月份新設(shè)立的HBM產(chǎn)能與質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)則專攻下一代技術(shù)——HBM4。
2024-05-11 18:01:151993 業(yè)內(nèi)評(píng)論指出，三星HBM之所以出現(xiàn)問題，主要原因在于負(fù)責(zé)英偉達(dá)GPU制造的臺(tái)積電在驗(yàn)證過程中采用了SK海力士的標(biāo)準(zhǔn)。由于SK海力士8層HBM3E的生產(chǎn)方式與三星有所差異，導(dǎo)致三星產(chǎn)品未能順利通過驗(yàn)證。
2024-05-16 17:56:201863 據(jù)行業(yè)觀察者透露，三星HBM3E面臨的問題源于臺(tái)積電在驗(yàn)證過程中采用了SK海力士的標(biāo)準(zhǔn)，而這與三星自身的生產(chǎn)方式有所出入，從而影響了產(chǎn)品的認(rèn)證進(jìn)程。
2024-05-17 09:30:53892 三星電子近期正積極投入驗(yàn)證工作，以確保其HBM3E產(chǎn)品能夠順利供應(yīng)給英偉達(dá)。然而，業(yè)界傳出消息，因臺(tái)積電在采用標(biāo)準(zhǔn)上存在的某些問題，導(dǎo)致8層HBM3E產(chǎn)品目前仍需要進(jìn)一步的檢驗(yàn)。
2024-05-17 11:10:13918 在今年的IEEE IMW 2024活動(dòng)中，三星DRAM業(yè)務(wù)的資深副總裁Lee指出，已有多家科技巨頭如三星成功制造出16層3D DRAM，其中美光更是發(fā)展至8層水平。
2024-05-22 15:02:201617 近日，三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片在英偉達(dá)測(cè)試中遭遇挫折。據(jù)知情人士透露，芯片因發(fā)熱和功耗問題未能達(dá)標(biāo)，影響到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。
2024-05-24 14:10:011108 據(jù)報(bào)道，SK海力士宣布第五代高帶寬存儲(chǔ)（HBM）—HBM3E的良率已接近80%。
2024-05-27 14:38:171888 據(jù)DigiTimes報(bào)道，三星HBM3E未能通過英偉達(dá)測(cè)試可能源于臺(tái)積電審批環(huán)節(jié)出現(xiàn)問題。三星與臺(tái)積電在晶圓代工領(lǐng)域長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)，但在英偉達(dá)主導(dǎo)的HBM市場(chǎng)，三星不得不尋求與臺(tái)積電合作。臺(tái)積電作為英偉達(dá)GPU芯片的制造商和封裝商
2024-05-27 16:53:211264 美光近期發(fā)布的內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品組合創(chuàng)新備受矚目，這些成就加速了 AI 的發(fā)展。美光 8 層堆疊和 12 層堆疊 HBM3E 解決方案提供業(yè)界前沿性能，功耗比競(jìng)品1低 30%。
2024-05-28 14:08:131659 在近日舉行的IEEE IMW 2024活動(dòng)上，三星DRAM部門的執(zhí)行副總裁Siwoo Lee宣布了一個(gè)重要里程碑：三星已與其他公司合作，成功研發(fā)出16層3D DRAM技術(shù)。同時(shí)，他透露，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手美光也已將其3D DRAM技術(shù)擴(kuò)展至8層。
2024-05-29 14:44:071398 在科技界的密切關(guān)注下，三星電子與英偉達(dá)之間的合作再次傳來振奮人心的消息。據(jù)韓國主流媒體NewDaily最新報(bào)道，三星電子已成功通過英偉達(dá)的HBM3e（高帶寬內(nèi)存）質(zhì)量測(cè)試，標(biāo)志著這家科技巨頭在高端
2024-07-04 15:24:561151 在科技界與金融市場(chǎng)的交匯點(diǎn)，一則關(guān)于三星電子HBM3E（High Bandwidth Memory 3E）芯片通過英偉達(dá)嚴(yán)格質(zhì)量測(cè)試的消息于7月4日悄然傳開，瞬間點(diǎn)燃了業(yè)界內(nèi)外對(duì)于高性能存儲(chǔ)技術(shù)未來
2024-07-04 16:22:511195 近日，韓國媒體的一則報(bào)道引發(fā)了業(yè)界廣泛關(guān)注，稱三星電子的新一代高帶寬內(nèi)存HBM3E已經(jīng)順利通過了GPU巨頭英偉達(dá)（NVIDIA）的質(zhì)量認(rèn)證，即Qualtest PRA（產(chǎn)品準(zhǔn)備批準(zhǔn)），并預(yù)示著該產(chǎn)品
2024-07-05 10:37:031118 近期，有媒體報(bào)道稱三星電子已成功通過英偉達(dá)（NVIDIA）的HBM3E（高帶寬內(nèi)存）質(zhì)量測(cè)試，并預(yù)計(jì)很快將啟動(dòng)量產(chǎn)流程，以滿足市場(chǎng)對(duì)高性能存儲(chǔ)解決方案的迫切需求。然而，這一消息迅速遭到了三星電子的官方否認(rèn)。
2024-07-05 15:08:181268 韓國新聞源NewDaily近日發(fā)布了一則報(bào)道，聲稱三星電子的HBM3e芯片已成功通過英偉達(dá)的產(chǎn)品測(cè)試，預(yù)示著即將開啟大規(guī)模生產(chǎn)并向英偉達(dá)供貨的序幕。然而，三星電子方面迅速對(duì)此消息進(jìn)行了否認(rèn)，表示并未收到官方確認(rèn)。
2024-07-05 16:09:581392 在半導(dǎo)體存儲(chǔ)領(lǐng)域，三星電子的每一次技術(shù)突破與產(chǎn)能調(diào)整都牽動(dòng)著市場(chǎng)的神經(jīng)。近期，業(yè)內(nèi)傳出消息，三星電子的HBM3E（High Bandwidth Memory 3E）存儲(chǔ)器即將完成批量出貨驗(yàn)證，這一
2024-07-17 15:19:411221 近日，三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域再傳捷報(bào)，其高頻寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)品HBM3e已成功通過全球圖形處理與AI計(jì)算巨頭英偉達(dá)（NVIDIA）的嚴(yán)格認(rèn)證，標(biāo)志著該產(chǎn)品即將進(jìn)入規(guī)?；a(chǎn)階段，預(yù)計(jì)在本季度內(nèi)正式向
2024-07-18 09:36:591401 1. 三星：HBM3e 先進(jìn)芯片今年量產(chǎn)，營收貢獻(xiàn)將增長(zhǎng)至60% ? 三星電子公司計(jì)劃今年開始量產(chǎn)其第五代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）芯片HBM3e，并迅速提高其對(duì)營收的貢獻(xiàn)。三星電子表示，該公司預(yù)計(jì)其
2024-08-01 11:08:111376 三星電子公司近日宣布了一項(xiàng)重要計(jì)劃，即今年將全面啟動(dòng)其第五代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）芯片HBM3e的量產(chǎn)工作，并預(yù)期這一先進(jìn)產(chǎn)品將顯著提升公司的營收貢獻(xiàn)。據(jù)三星電子透露，隨著HBM3e芯片的逐步放量
2024-08-02 16:32:371053 8月7日，市場(chǎng)上關(guān)于三星電子第五代高頻寬記憶體芯片HBM3E已通過英偉達(dá)（Nvidia）測(cè)試的消息引起了廣泛關(guān)注。然而，三星電子對(duì)此事態(tài)的反應(yīng)卻顯得較為謹(jǐn)慎。三星電子官方表示：“我們無法證實(shí)與我
2024-08-07 15:23:26968 近日，有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達(dá)測(cè)試的報(bào)道引起了廣泛關(guān)注。然而，三星電子迅速對(duì)此傳聞進(jìn)行了回應(yīng)，明確表示該報(bào)道并不屬實(shí)。
2024-08-08 10:06:021161 進(jìn)入八月，市場(chǎng)傳言四起，韓國存儲(chǔ)芯片巨頭三星電子（簡(jiǎn)稱“三星”）的8層HBM3E內(nèi)存（新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品）已順利通過英偉達(dá)嚴(yán)格測(cè)試。然而，三星迅速澄清，表示這一報(bào)道與事實(shí)相去甚遠(yuǎn)，強(qiáng)調(diào)目前質(zhì)量測(cè)試
2024-08-23 15:02:561635 9月4日最新資訊，據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新報(bào)告透露，三星電子已成功完成其HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品的驗(yàn)證流程，并正式啟動(dòng)了HBM3E 8Hi（即24GB容量版本）的出貨，該產(chǎn)品主要面向英偉達(dá)H200系列應(yīng)用。同時(shí)，三星電子還積極推進(jìn)Blackwell系列的驗(yàn)證工作，預(yù)示著更先進(jìn)技術(shù)的穩(wěn)步前行。
2024-09-04 15:57:091772 自豪地宣布，SK 海力士當(dāng)前市場(chǎng)上的旗艦產(chǎn)品——8層HBM3E，已穩(wěn)坐行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位，而更進(jìn)一步的是，公司即將在本月底邁入一個(gè)新的里程碑，正式啟動(dòng)12層HBM3E的量產(chǎn)。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士在
2024-09-05 16:31:361645 近日，知名市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce在最新發(fā)布的報(bào)告中宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展：三星電子的HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品已成功通過英偉達(dá)驗(yàn)證，并正式開啟出貨流程。具體而言，三星的HBM3E 8Hi版本已被確認(rèn)
2024-09-05 17:15:281404 美光科技近期宣布，其“生產(chǎn)可用”的12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存已成功啟動(dòng)交付，標(biāo)志著AI計(jì)算領(lǐng)域的一大飛躍。這款先進(jìn)內(nèi)存正陸續(xù)送達(dá)主要行業(yè)合作伙伴手中，以全面融入并驗(yàn)證其在整個(gè)AI生態(tài)系統(tǒng)中的效能。
2024-09-09 17:42:371553 今日，半導(dǎo)體巨頭SK海力士震撼宣布了一項(xiàng)業(yè)界矚目的技術(shù)里程碑，該公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)?；a(chǎn)，此舉不僅將HBM存儲(chǔ)器的最大容量推升至史無前例的36GB新高度，更進(jìn)一步鞏固了SK海力士在AI應(yīng)用存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)軍地位。
2024-09-26 16:30:311987 SK海力士近日宣布了一項(xiàng)重大突破，公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)12層堆疊HBM3E的量產(chǎn)，這一里程碑式的成就標(biāo)志著其在高端存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先地位。這款新品不僅將HBM產(chǎn)品的容量提升至前所未有的36GB，更是在AI應(yīng)用所需的速度、容量及穩(wěn)定性等方面均達(dá)到了全球頂尖水平。
2024-09-27 16:49:171176 近日，三星電子因向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E內(nèi)存的延遲，對(duì)其HBM內(nèi)存的產(chǎn)能規(guī)劃進(jìn)行了調(diào)整。據(jù)韓媒報(bào)道，三星已將2025年底的產(chǎn)能預(yù)估下調(diào)至每月17萬片晶圓，這一調(diào)整反映了半導(dǎo)體行業(yè)當(dāng)前緊張的供需關(guān)系和激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。
2024-10-11 17:37:121554 三星電子正面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，特別是在其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域。除了代工業(yè)務(wù)停滯的問題，該公司在高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力也引發(fā)了廣泛關(guān)注。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，為了提升在HBM領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力，三星可能會(huì)著手重新設(shè)計(jì)部分1a DRAM電路。
2024-10-22 14:37:411371 近日，業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進(jìn)程遲緩的消息，據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關(guān)。具體而言，1a DRAM的性能問題成為了三星電子向英偉達(dá)提供HBM3E量產(chǎn)供應(yīng)的絆腳石。
2024-10-23 17:15:101255 領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士公司最近也取得了不小的突破。據(jù)悉，SK海力士已經(jīng)開始量產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)先的12層HBM3E芯片。這一消息無疑加劇了HBM市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)。 然而，對(duì)于三星電子來說，向英偉達(dá)供應(yīng)HBM不僅是一個(gè)重要的商業(yè)機(jī)會(huì)，更是展示其技術(shù)實(shí)力和
2024-11-04 10:39:39786 近日在一次科技展覽上，SK海力士驚艷亮相，展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產(chǎn)品。這一突破性產(chǎn)品不僅展示了SK海力士在高端存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域
2024-11-05 15:01:201231 在近日舉行的SK AI峰會(huì)上，韓國存儲(chǔ)巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著SK海力士在高端存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:051189 在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動(dòng)中，SK hynix（SK海力士）透露了一項(xiàng)令人矚目的新產(chǎn)品計(jì)劃。據(jù)悉，該公司正在積極開發(fā)HBM3e 16hi產(chǎn)品，這款產(chǎn)品的每顆HBM芯片容量高達(dá)48GB，將為用戶帶來前所未有的存儲(chǔ)體驗(yàn)。
2024-11-14 18:20:201364 芯片。作為當(dāng)前市場(chǎng)上最先進(jìn)的內(nèi)存技術(shù)之一，HBM3E(High Bandwidth Memory 3 Enhanced)以其超高的帶寬和低功耗特性而備受矚目。英偉達(dá)正在對(duì)三星提供的兩種不同堆疊規(guī)格的HBM3E內(nèi)存進(jìn)行評(píng)估，分別是8層堆疊和12層堆疊。 這兩種堆疊規(guī)格的HBM3E內(nèi)存各具特色。
2024-11-25 14:34:171028 正在積極考慮從三星采購8層和12層的HBM3E存儲(chǔ)芯片。這一新型存儲(chǔ)芯片以其卓越的性能和高效的能源利用，備受業(yè)界矚目。英偉達(dá)若能夠成功引入這款芯片，無疑將為其AI產(chǎn)品提供更為強(qiáng)勁的動(dòng)力。 值得注意的是，目前英偉達(dá)主要從韓國競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手
2024-11-26 10:22:171129 近日，全球DRAM內(nèi)存巨頭之一的美光科技公司宣布，將正式進(jìn)軍16-Hi(即16層堆疊)HBM3E內(nèi)存市場(chǎng)。目前，美光正在對(duì)最終設(shè)備進(jìn)行評(píng)估，并計(jì)劃在今年內(nèi)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 這一消息標(biāo)志著美光在高性能內(nèi)存
2025-01-17 14:14:12914 三星電子在近期舉行的業(yè)績(jī)電話會(huì)議中，透露了其高帶寬內(nèi)存（HBM）的最新發(fā)展動(dòng)態(tài)。據(jù)悉，該公司的第五代HBM3E產(chǎn)品已在2024年第三季度實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)和銷售，并在第四季度成功向多家GPU廠商及數(shù)據(jù)中心供貨。與上一代HBM3相比，HBM3E的銷售額實(shí)現(xiàn)了顯著增長(zhǎng)。
2025-02-06 17:59:001106 據(jù)韓國媒體報(bào)道，三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn)，為確保HBM4內(nèi)存的順利量產(chǎn)，公司決定對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行重大調(diào)整。
2025-02-13 16:42:511343 其高帶寬存儲(chǔ)器HBM3E產(chǎn)品中的初始缺陷問題，并就三星第五代HBM3E產(chǎn)品向英偉達(dá)供應(yīng)的相關(guān)事宜進(jìn)行了深入討論。 此次高層會(huì)晤引發(fā)了外界的廣泛關(guān)注。據(jù)推測(cè)，三星8層HBM3E產(chǎn)品的質(zhì)量認(rèn)證工作已接近尾聲，這標(biāo)志著三星即將正式邁入英偉達(dá)的HBM供應(yīng)鏈。對(duì)于三星而言
2025-02-18 11:00:38979 隨著數(shù)據(jù)中心對(duì)AI訓(xùn)練與推理工作負(fù)載需求的持續(xù)增長(zhǎng)，高性能內(nèi)存的重要性達(dá)到歷史新高。Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）宣布已向多家主要客戶送樣其12層堆疊36GB HBM4內(nèi)存。
2025-06-18 09:41:531323 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）根據(jù)韓媒sedaily 的最新報(bào)道，三星華城17號(hào)產(chǎn)線已開始量產(chǎn)并向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3內(nèi)存。同時(shí)，美光已經(jīng)為英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E。至此，高端HBM內(nèi)存的供應(yīng)由SK海力士
2024-07-23 00:04:005534 有消息說提前到2025年。其他兩家三星電子和美光科技的HBM4的量產(chǎn)時(shí)間在2026年。英偉達(dá)、AMD等處理器大廠都規(guī)劃了HBM4與自家GPU結(jié)合的產(chǎn)品，HBM4將成為未來AI、HPC、數(shù)據(jù)中心等高性能應(yīng)用至關(guān)重要的芯片。 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定中 近日，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)發(fā)布的新聞稿表示，
2024-07-28 00:58:136874 
海力士宣布公司已開始量產(chǎn)12H HBM3E芯片，實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)有HBM產(chǎn)品中最大的36GB容量。該產(chǎn)品堆疊12顆3GB DRAM芯片，實(shí)現(xiàn)與現(xiàn)有的8層產(chǎn)品相同的厚度，同時(shí)容量提升50%。運(yùn)行速度提高至
2024-10-06 01:03:005496 
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