雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺(tái)帶來更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上，兼顧寄生電容電阻的控制和實(shí)現(xiàn)更高的晶體管性能變得更具挑戰(zhàn)。 ? 泛林集團(tuán)在
2022-05-07 14:10:15
8502 
DPT Double Patterning Technology。double pattern就是先進(jìn)工藝下底層金屬/poly加工制造的一種技術(shù)，先進(jìn)工藝下，如果用DUV，光的波長(zhǎng)已經(jīng)無(wú)法直接刻出
2023-12-01 10:20:034828 
3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢(shì)，本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。
2025-04-08 14:38:392049 
SRAM工藝FPGA的加密技術(shù)
2012-08-13 17:08:03
引起的功耗。 SRAM的功耗包括動(dòng)態(tài)功耗（數(shù)據(jù)讀寫時(shí)的功耗）和靜態(tài)功耗（數(shù)據(jù)保持時(shí)的功耗）。圖1 給出了一個(gè)用來分析SRAM功耗來源的結(jié)構(gòu)模型，在這個(gè)模型中，將SRAM的功耗來源分成三部分：存儲(chǔ)陣列、行(列
2020-05-18 17:37:24
SRAM的性能及結(jié)構(gòu)
2020-12-29 07:52:53
先進(jìn)MCU的新低功耗模式低功耗MCU的要求會(huì)隨著應(yīng)用以及應(yīng)用中使用MCU的方式的不同而有所變化。例如，在電池供電的恒溫器應(yīng)用中，低功耗主要由器件能夠驅(qū)動(dòng)LCD顯示屏的最低功耗模式定義，在這種情況下
2012-08-27 15:41:15
功耗成為HPC和Networking的關(guān)鍵設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
2021-05-21 06:32:23
如何降低芯片功耗目前已經(jīng)成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的熱點(diǎn)問題。過去，對(duì)于集成器件制造商（IDM）來說，最直接的作法就是通過先進(jìn)的制程工藝和材料比如低K介質(zhì)來解決，低功率設(shè)計(jì)可以通過將自己設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)的技能和經(jīng)驗(yàn)進(jìn)行
2019-06-27 08:05:18
本文以MP3解碼器為例，介紹了一種在嵌入式Linux系統(tǒng)下配置使用處理器片內(nèi)SRAM的應(yīng)用方案，有效提高了代碼的解碼效率，降低了執(zhí)行功耗。該方案不論在性能還是成本上都得到了很大改善。
2020-03-05 07:01:34
當(dāng)我們使用的電腦運(yùn)行過程中比較卡的時(shí)候，可以通過給電腦加裝內(nèi)存條來改善電腦的性能。我們可以給單片機(jī)外加和內(nèi)存條效果一樣的SRAM芯片來提升單片機(jī)的性能。下面宇芯電子以STM32單片機(jī)來講解一下來擴(kuò)展
2020-05-07 15:58:41
，組織結(jié)構(gòu)為512K*16的高速率低功耗靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。IS62WV51216高性能CMOS工藝制造。高度可靠的工.
2022-02-11 06:39:36
xilinxaltera 等基本都需要外置SRAM，是因?yàn)槌杀镜脑敢鈫?？但是?guó)產(chǎn)的比如高云FPGA一般都是內(nèi)置SRAM？這樣是否性能會(huì)更好？
2019-05-06 11:34:21
上海需要20名SRAM 版圖工程師：報(bào)價(jià)豐厚，全國(guó)各地都可以參加遠(yuǎn)程面試1. 1年以上SRAM版圖設(shè)計(jì)相關(guān)經(jīng)驗(yàn)2. 熟悉SRAM版圖設(shè)計(jì)，包括SRAM/TCAM/ROM等，了解半導(dǎo)體工藝制程和器件
2021-08-30 13:11:14
要解決一系列的技術(shù)難題。為此，我們邀請(qǐng)F(tuán)PGA企業(yè)、EDA企業(yè)、IP企業(yè)、芯片制造企業(yè)共同探討新工藝技術(shù)的研發(fā)關(guān)鍵點(diǎn)。 Altera技術(shù)經(jīng)理相奇博士：40納米技術(shù)應(yīng)對(duì)高靜態(tài)功耗和高速I/O挑戰(zhàn)
2019-05-20 05:00:10
近幾年隨著電子產(chǎn)品的發(fā)展，我們注意到一個(gè)很重要的趨勢(shì)，每一代的設(shè)備的尺寸越來越小，在保持性能不變的情況下或者是性能更高級(jí)的情況下，設(shè)備的尺寸有著越來越小的趨勢(shì)化，也有可能是因?yàn)楝F(xiàn)有的電子元件越來越小
2017-12-04 11:04:58
更換電池期間保持時(shí)間。帶有電容或電池的Vbat還有助于消除由停電引起的惱人閃光。在高度關(guān)注功耗的環(huán)境下，低功耗MCU的發(fā)展促生了極具靈活性的通用MCU。工藝技術(shù)和設(shè)計(jì)技術(shù)的進(jìn)步使16位MCU的工作電流可
2014-09-02 15:51:28
市場(chǎng)上已有的解決方案，以降低開發(fā)成本。在當(dāng)今對(duì)成本和功耗都非常敏感的“綠色”環(huán)境下，對(duì)于高技術(shù)企業(yè)，兩種挑戰(zhàn)都有什么影響呢？第一種挑戰(zhàn)意味著開發(fā)全新的產(chǎn)品，其功能是獨(dú)一無(wú)二的，具有較低的價(jià)格以及較低
2019-08-09 07:41:27
，為了提供足夠的數(shù)據(jù)緩存能力，隨著集成電路制造工藝的發(fā)展，嵌入式SRAM 的存儲(chǔ)單元的面積也在以約0.5 倍每代的速度減小，在45 nm 工藝節(jié)點(diǎn)嵌入式SRAM 的密度已可以達(dá)到150 Mb/cm2。雙
2020-07-06 16:26:25
在異步SRAM中實(shí)現(xiàn)速度與功耗的完美平衡
2021-02-02 07:48:11
僅僅優(yōu)化了單元讀、寫一方面的性能,另一方面保持不變或者有惡化的趨勢(shì);單端讀寫單元往往惡化了讀寫速度,并使靈敏放大器的設(shè)計(jì)面臨挑戰(zhàn);輔助電路的設(shè)計(jì),往往會(huì)使SRAM的設(shè)計(jì)復(fù)雜化。 為了使SRAM存儲(chǔ)單元
2020-04-01 14:32:04
從工藝選擇到設(shè)計(jì)直至投產(chǎn)，設(shè)計(jì)人員關(guān)注的重點(diǎn)是以盡可能低的功耗獲得最佳性能。Altera在功耗和性能上的不斷創(chuàng)新，那其28nm高端FPGA如何實(shí)現(xiàn)功耗和性能的平衡？具體有何優(yōu)勢(shì)？
2019-09-17 08:18:19
提升SRAM性能的傳統(tǒng)方法
2021-01-08 07:41:27
采用SRAM工藝的FPGA芯片的的配置方法有哪幾種？用單片機(jī)實(shí)現(xiàn)SRAM工藝FPGA的加密應(yīng)用
2021-04-08 06:04:32
隨著設(shè)備尺寸的縮小，工程師正在尋找縮小DCDC電源設(shè)計(jì)解決方案的方法。如何縮小電源芯片設(shè)計(jì)并解決由此產(chǎn)生的熱性能挑戰(zhàn)?
2021-09-29 10:38:37
如何采用創(chuàng)新降耗技術(shù)應(yīng)對(duì)FPGA靜態(tài)和動(dòng)態(tài)功耗的挑戰(zhàn)?
2021-04-30 07:00:17
實(shí)現(xiàn)超低功耗藍(lán)牙設(shè)計(jì)面臨的主要挑戰(zhàn)是什么？
2021-05-19 06:39:34
近幾年隨著電子產(chǎn)品的發(fā)展，我們注意到一個(gè)很重要的趨勢(shì)，每一代的設(shè)備的尺寸越來越小，在保持性能不變的情況下或者是性能更高級(jí)的情況下，設(shè)備的尺寸有著越來越小的趨勢(shì)化，也有可能是因?yàn)楝F(xiàn)有的電子元件越來越小
2017-10-19 10:51:42
高線性性能的評(píng)估和實(shí)現(xiàn)挑戰(zhàn)
2021-04-06 07:10:32
隨著FPGA的容量、性能以及可靠性的提高及其在消費(fèi)電子、汽車電子等領(lǐng)域的大規(guī)模應(yīng)用，F(xiàn)PGA設(shè)計(jì)的安全性問題越來越引起人們的關(guān)注。相比其他工藝FPGA而言，處于主流地位的SRAM工藝FPGA有一些
2019-08-23 06:45:21
功耗技術(shù)、可選內(nèi)核電壓 以及優(yōu)化的芯片工藝，Stratix III器件的功耗得到大幅度降低，從而成為業(yè)界最低功耗的高性能FPGA。圖5：ADI的超低功耗PulSAR ADC具有眾多優(yōu)點(diǎn)ADI醫(yī)療儀器
2009-09-17 14:52:33
晶體管密度的增加而縮小，SRAM區(qū)域更容易因工藝變化出現(xiàn)缺陷。這些缺陷將降低處理器芯片的總成品率。更高的功耗： 如果SRAM的位單元必需與邏輯位單元的大小相同，那么SRAM的晶體管就必須小于邏輯晶體管
2016-10-29 14:24:24
不同特征尺寸的MOS晶體管,計(jì)算了由這些晶體管組成的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)單粒子翻轉(zhuǎn)的臨界電荷Qcrit、LET閾值(LETth),建立了LETth與臨界電荷之間的解析關(guān)系,研究了特征工藝尺寸
2010-04-22 11:50:00
美等發(fā)達(dá)國(guó)家的先進(jìn)技術(shù)和工藝銷售、安裝于一體的大規(guī)模企業(yè)之一。匯集國(guó)內(nèi)物流設(shè)備制造業(yè)眾多技術(shù)精英，所擁有的工藝裝備、技術(shù)、研發(fā)能力均居國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。憑借專業(yè)的制作經(jīng)驗(yàn)、領(lǐng)先的制作技術(shù)、優(yōu)秀的產(chǎn)品質(zhì)量
2009-11-13 10:20:08
采用SRAM工藝的FPGA芯片的的配置方法有哪幾種？如何對(duì)SRAM工藝FPGA進(jìn)行有效加密？如何利用單片機(jī)對(duì)SRAM工藝的FPGA進(jìn)行加密？怎么用E2PROM工藝的CPLD實(shí)現(xiàn)FPGA加密？
2021-04-13 06:02:13
請(qǐng)問如何應(yīng)對(duì)功耗挑戰(zhàn)？
2021-06-18 06:47:35
一種新型絕熱SRAM,從而可以以全絕熱方式有效恢復(fù)在字線、寫位線、敏感放大線及地址譯碼器上的大開關(guān)電容的電荷.最后,在采用TSMC0.25μmCMOS工藝器件參數(shù)情況下,對(duì)所設(shè)計(jì)的絕熱SRAM 進(jìn)行
2009-08-08 09:48:05
靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)SRAM工藝
2020-12-29 07:26:02
SRAM兩大問題挑戰(zhàn)
2021-02-25 07:17:51
在研究移動(dòng)電視技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)時(shí)需要區(qū)分產(chǎn)品功能組合、封裝、性能、采用的半導(dǎo)體工藝和最重要的射頻接收器性能。目前大多數(shù)單制式解調(diào)器都采用130納米至65納米CMOS工藝制造。多數(shù)情況下，它們與射頻接收器
2019-07-29 06:49:39
首先對(duì)采用SRAM工藝的FPGA 的保密性和加密方法進(jìn)行原理分析，然后提出一種實(shí)用的采用單片機(jī)產(chǎn)生長(zhǎng)偽隨機(jī)碼實(shí)現(xiàn)加密的方法， 并詳細(xì)介紹具體的電路和程序。
2009-04-16 09:43:06
24 在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級(jí)特性，而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM 工藝，要求每次上電，對(duì)FP
2010-07-17 16:28:028
STC高性能SRAM選型指南
型號(hào) 容量 工作電壓 溫度 速度 封裝
2010-09-24 11:33:060 基于DBL結(jié)構(gòu)的嵌入式64kb SRAM的低功耗設(shè)計(jì)
針對(duì)嵌入式系統(tǒng)的低功耗要求，采用位線分割結(jié)構(gòu)和存儲(chǔ)陣列分塊譯碼結(jié)構(gòu)，完成了64 kb低功耗SRAM模塊的設(shè)計(jì)。 與一般布局的
2010-01-12 10:03:471216 
Linux下ColdFire片內(nèi)SRAM的應(yīng)用程序優(yōu)化設(shè)計(jì)
本文以MP3解碼器為例，介紹了一種在嵌入式Linux系統(tǒng)下配置使用處理器片內(nèi)SRAM的應(yīng)用方案，有效提高了代碼的解碼效率，降
2010-02-05 09:11:36811 
多內(nèi)核處理器開發(fā)趨勢(shì)下的高性能視頻系統(tǒng)設(shè)計(jì)
時(shí)鐘頻率的提高帶來的高功耗、深亞微米半導(dǎo)體制造工藝漏電流產(chǎn)生的高功耗以及更多的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)促使處理器設(shè)計(jì)制造
2010-03-04 10:02:55978 
在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級(jí)特性，而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對(duì)FPGA器
2010-08-02 11:11:421982 
異步SRAM產(chǎn)品分為快速與低功耗兩個(gè)極為不同的產(chǎn)品類型，每個(gè)系列都具有其自己的一系列特性、應(yīng)用和價(jià)格?？焖佼惒?b class="flag-6" style="color: red">SRAM具有更快的存取速度，但功耗較高；低功耗SRAM功耗低，但存取速度慢。 從技術(shù)角度
2017-10-16 11:11:380 SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM（Dynamic Random Access Memory）每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失，因此SRAM具有較高的性能，功耗較小。
2017-11-03 16:11:1212725 如何降低芯片功耗目前已經(jīng)成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的熱點(diǎn)問題。過去，對(duì)于集成器件制造商（IDM）來說，最直接的作法就是通過先進(jìn)的制程工藝和材料比如低K介質(zhì)來解決，低功率設(shè)計(jì)可以通過將自己設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)的技能和經(jīng)驗(yàn)進(jìn)行
2017-11-23 06:52:28332 由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對(duì)FPGA器件進(jìn)行重配置，這就使得可以通過監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流，進(jìn)行克隆設(shè)計(jì)。因此，在關(guān)鍵、核心設(shè)備中，必須采用加密技術(shù)保護(hù)設(shè)計(jì)者的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。
2018-11-20 09:28:412840 
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC）與面向物聯(lián)網(wǎng)（IoT）和嵌入式
2019-01-30 15:01:482508 先進(jìn)的制程工藝提升對(duì)于 CPU 性能提升影響明顯。工藝提升帶來的作用有頻率提升以及架構(gòu)優(yōu)化兩個(gè)方面。一方面，工藝的提升與頻率緊密相連，使得芯片主頻得以提升；
2019-10-01 17:06:009813 
。它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)，可生產(chǎn)出高性能和低功耗的設(shè)備。 當(dāng)CS1為HIGH（取消選擇）或CS2為L(zhǎng)OW（取消選擇）或CS1為L(zhǎng)OW
2020-03-18 08:58:234254 僅僅優(yōu)化了單元讀、寫一方面的性能,另一方面保持不變或者有惡化的趨勢(shì);單端讀寫單元往往惡化了讀寫速度,并使靈敏放大器的設(shè)計(jì)面臨挑戰(zhàn);輔助電路的設(shè)計(jì),往往會(huì)使SRAM的設(shè)計(jì)復(fù)雜化。 為了使SRAM存儲(chǔ)單元的性能得到整體的提升,本文提出了讀寫裕度同
2020-04-03 15:47:152860 ，組織為1M字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)，可生產(chǎn)出高性能和低功耗的設(shè)備。 IS62WV102416DALL/DBLL
2020-05-28 15:30:261546 當(dāng)今世界環(huán)境保護(hù)已蔚然成風(fēng)，力求節(jié)約能源，因此強(qiáng)烈要求電子系統(tǒng)低功耗化和低電壓化。而且由于制造SRAM的半導(dǎo)體工藝精細(xì)化，SRAM要求低電壓供電。因而近年來研究低電壓供電技術(shù)活動(dòng)十分活躍。在高速
2020-05-27 15:40:271243 ISSI生產(chǎn)的32Mb高速低功耗異步SRAM，這種創(chuàng)新的設(shè)計(jì)加強(qiáng)了ISSI對(duì)具有最高質(zhì)量和性能的SRAM的長(zhǎng)期承諾。32MbSRAM在汽車A3溫度范圍（-40C至+ 125C）下提供12ns的訪問
2020-05-28 15:35:181951 或更快的速度工作。靜態(tài)ram中所謂的靜態(tài)，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。 因此SRAM具有較高的性能，SoC隨著工藝進(jìn)步設(shè)計(jì)復(fù)雜度增加，embeded sram也越來越多。在40nm SoC產(chǎn)品Sram一
2020-06-29 15:40:1214500 
SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。SRAM存儲(chǔ)器具有較高的性能，但是SRAM芯片也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，功耗較DRAM大。SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高
2020-07-16 14:07:447510 
SRAM是可在任何CMOS工藝中免費(fèi)獲得的存儲(chǔ)器。自CMOS誕生以來，SRAM一直是任何新CMOS工藝的開發(fā)和生產(chǎn)制造的技術(shù)驅(qū)動(dòng)力。利用最新的所謂的深度學(xué)習(xí)領(lǐng)域?qū)Ｓ糜蚪Y(jié)構(gòu)（DSA），每個(gè)芯片上
2020-07-30 16:32:301321 
一代又一代的半導(dǎo)體晶圓工藝提升使不斷增加的IC設(shè)計(jì)密度、性能提升和功耗節(jié)省得以實(shí)現(xiàn)，但也為電路設(shè)計(jì)工程師帶來了許多新興的挑戰(zhàn)。包括創(chuàng)新的工藝特性，諸如FinFET晶體管等代表著向低功耗設(shè)計(jì)模式的轉(zhuǎn)變，這就需要EDA軟件在性能和精度方面也要有相應(yīng)的飛躍提升。
2020-09-08 14:06:385000 昨天凌晨，iPhone 12、iPhone 12 mini、iPhone 12 Pro、iPhone 12 Pro Max正式發(fā)布。它們搭載了與之前新iPad Air相同的A14仿生處理器，該處理器基于5nm工藝制程打造。采用了六核心設(shè)計(jì)，性能比A13處理器提升了13%，并且功耗降低30%。
2020-10-15 10:33:001837 隨著諸如醫(yī)療電子和無(wú)線傳感節(jié)點(diǎn)等應(yīng)用的興起，低功耗芯片受到了越來越廣泛的關(guān)注。這類芯片對(duì)性能和功耗要求苛刻。靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）作為芯片的重要組成部分，大程度上影響著芯片的面積和功耗，因此其
2020-12-02 16:29:371267 IS62WV51216EBLL是高速8M位sram，組織為512K字乘16位。它采用的高性能CMOS技術(shù)制造。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)，可生產(chǎn)出高性能和低功耗的設(shè)備。 當(dāng)CS1為
2021-01-20 17:10:501601 擎領(lǐng)未來 云上芯片設(shè)計(jì)技術(shù)沙龍”在西安成功舉辦。 紫光國(guó)芯設(shè)計(jì)服務(wù)部總監(jiān)王成偉在會(huì)上分享了《先進(jìn)工藝下的全流程芯片設(shè)計(jì)服務(wù)》。王成偉介紹，先進(jìn)工藝SoC芯片研發(fā)面臨著研發(fā)難度高、驗(yàn)證和測(cè)試覆蓋率要求高、物理驗(yàn)證規(guī)則
2021-04-29 09:44:114282 計(jì)算 （HPC） 應(yīng)用，對(duì)PPA提出更高要求，驅(qū)動(dòng)著開發(fā)者們不斷挑戰(zhàn)物理極限。 追求更優(yōu)PPA 隨著功耗和性能指標(biāo)不斷變化，先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)下的芯片設(shè)計(jì)需要考慮更多變量。動(dòng)態(tài)或翻轉(zhuǎn)功耗已經(jīng)成為功耗優(yōu)化的重點(diǎn)。盡管降低工作電壓可以直接降
2021-05-06 11:12:012952 低功耗SRAM存儲(chǔ)器應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對(duì)功耗非常敏感的產(chǎn)品，是靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器的一種類別，靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器（SRAM）作為最重要的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，廣泛地嵌入于高性能微處理器。隨著集成電路制造工藝
2021-06-08 16:49:322523 靜態(tài)存儲(chǔ)SRAM芯片包含業(yè)界多樣的異步低功耗SRAM。而帶有ECC的異步SRAM適用于各種要求最高可靠性和性能標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)，醫(yī)療，商業(yè)，汽車和軍事應(yīng)用?？焖?b class="flag-6" style="color: red">SRAM是諸如交換機(jī)和路由器，IP電話，測(cè)試設(shè)備和汽車電子產(chǎn)品之類的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的理想選擇。
2021-10-11 16:33:1113517 如何在緊迫的時(shí)間內(nèi)和先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)下實(shí)現(xiàn)嚴(yán)格的性能、功耗和面積（PPA）目標(biāo)，是現(xiàn)階段眾多開發(fā)者面臨的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。
2021-12-03 10:27:571894 低功耗SRAM存儲(chǔ)器應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對(duì)功耗非常敏感的產(chǎn)品，作為靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器的一種類別，靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器（SRAM）作為最重要的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，廣泛地嵌入于高性能微處理器。隨著集成電路制造工藝
2021-12-21 16:34:391820 IS62WV51216EBLL-45TLI SRAM芯片是一個(gè)8M容量，組織結(jié)構(gòu)為512K*16的高速率低功耗靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。 采用高性能CMOS工藝制造。高度可靠的工藝水準(zhǔn)再加創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)
2022-01-26 14:39:572707 當(dāng)前有兩個(gè)不同系列的異步SRAM：快速SRAM(支持高速存取)和低功耗SRAM(低功耗)。從技術(shù)角度看來，這種權(quán)衡是合理的。在低功耗SRAM中，通...
2022-02-07 12:37:562 雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺(tái)帶來更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上，兼顧寄生電容電阻的控制和實(shí)現(xiàn)更高的晶體管性能變得更具挑戰(zhàn)。
2022-05-27 17:24:136 以已經(jīng)宣布量產(chǎn)的三星3nm為例，三星官方消息顯示，與三星5nm工藝相比，第一代3nm工藝可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面積減少16%；而未來第二代3nm工藝則使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面積減少 35%。
2022-09-26 16:46:121637 看索爾維如何突破創(chuàng)新，迎“難”而上 ? ? 出于物理極限和制造成本的原因，先進(jìn)工藝技術(shù)讓芯片的體積不斷突破想象，從5納米到3納米，甚至2納米時(shí)，有如半導(dǎo)體行業(yè)燈塔般的“摩爾定律”已然失效。 工業(yè)界已達(dá)成新的共識(shí)：在功耗、性能、
2022-10-24 17:54:341170 
平面到FinFET的過渡對(duì)SRAM單元的布局效率有重大影響。使用FinFET逐漸縮小關(guān)鍵節(jié)距已導(dǎo)致SRAM單元尺寸的迅速減小。鑒于對(duì)更大的片上SRAM容量的需求不斷增長(zhǎng)，這樣做的時(shí)機(jī)不會(huì)更糟。離SRAM將主導(dǎo)DSA處理器大小的局面并不遙遠(yuǎn)。
2022-11-24 16:07:131556 
臺(tái)積電在今年早些時(shí)候正式推出其 N3 制造技術(shù)時(shí)表示，與其 N5（5 納米級(jí)）工藝相比，新節(jié)點(diǎn)的邏輯密度將提高 1.6 倍和 1.7 倍。它沒有透露的是，與 N5 相比，新技術(shù)的 SRAM 單元幾乎無(wú)法縮放。
2022-12-22 12:28:422192 EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴(kuò)SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)和制造，以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:441460 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《優(yōu)化EEG放大器的性能并降低功耗的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-28 11:40:160 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，封裝工藝也面臨著一系列挑戰(zhàn)。本文將探討其中一個(gè)重要的挑戰(zhàn)，并提出一種化解該挑戰(zhàn)的工藝方法。
2023-12-11 14:53:371085 新思科技數(shù)字和模擬 EDA 流程經(jīng)過認(rèn)證和優(yōu)化，針對(duì)Intel 18A工藝實(shí)現(xiàn)功耗、性能和面積目標(biāo)
2024-03-05 17:23:441134 Gate，簡(jiǎn)稱HKMG）工藝。HKMG工藝作為現(xiàn)代集成電路制造中的關(guān)鍵技術(shù)之一，對(duì)提升芯片性能、降低功耗具有重要意義。本文將詳細(xì)介紹HKMG工藝的基本原理、分類
2025-01-22 12:57:083562 
在先進(jìn)制程遭遇微縮瓶頸的背景下，先進(jìn)封裝朝著 3D 異質(zhì)整合方向發(fā)展，成為延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵路徑。3D 先進(jìn)封裝技術(shù)作為未來的發(fā)展趨勢(shì)，使芯片串聯(lián)數(shù)量大幅增加。
2025-04-09 15:29:021029 隨著半導(dǎo)體工藝逐漸逼近物理極限，單純依靠制程微縮已難以滿足人工智能、高性能計(jì)算等領(lǐng)域?qū)λ懔εc能效的持續(xù)增長(zhǎng)需求。在此背景下，Chiplet作為一種“后摩爾時(shí)代”的異構(gòu)集成方案應(yīng)運(yùn)而生，它通過將不同工藝、功能的模塊化芯片進(jìn)行先進(jìn)封裝集成，成為應(yīng)對(duì)高帶寬、低延遲、低功耗挑戰(zhàn)的核心路徑。
2025-11-02 10:02:111447 
在各類電子設(shè)備與嵌入式系統(tǒng)中，存儲(chǔ)器的性能與功耗表現(xiàn)直接影響著整體設(shè)計(jì)的穩(wěn)定與效率。低功耗SRAM，特別是異步SRAM系列，憑借其出色的能效比與高可靠性，正成為越來越多工業(yè)控制、通信設(shè)備及便攜終端中的關(guān)鍵部件。
2025-11-25 15:42:56273 
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