美光科技西安新廠房開工，拓展封裝測(cè)試能力

近日，全球知名的半導(dǎo)體企業(yè)美光科技宣布，其位于西安的封裝和測(cè)試新廠房已正式破土動(dòng)工。此舉標(biāo)志著美光科技在進(jìn)一步深耕中國(guó)市場(chǎng)、擴(kuò)大產(chǎn)能方面邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。

2024-03-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAM美光科技 1.4k 0

高盛談HBM四年十倍市場(chǎng) 人工智能驅(qū)動(dòng)HBM市場(chǎng)騰飛

在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)方面，高盛認(rèn)為，由于HBM市場(chǎng)供不應(yīng)求的情況將持續(xù)存在，業(yè)內(nèi)主要玩家如SK海力士、三星和美光等將從中受益。

2024-03-29 標(biāo)簽：DRAM高盛人工智能 2.5k 0

DRAM市場(chǎng)面臨雙重壓力：庫(kù)存調(diào)整與需求疲軟影響價(jià)格走勢(shì)

今年市場(chǎng)對(duì)DRAM的整體需求并不樂(lè)觀。尤其去年第四季度供應(yīng)商的大幅漲價(jià)，已經(jīng)讓市場(chǎng)開始擔(dān)憂庫(kù)存回補(bǔ)的動(dòng)能會(huì)減弱。

2024-03-28 標(biāo)簽：DRAMcpuDDR4 1.4k 0

美光科技宣布西安封裝和測(cè)試工廠擴(kuò)建項(xiàng)目破土動(dòng)工

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè) Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布其位于西安的封裝和測(cè)試新廠房已...

2024-03-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAMNAND 1.6k 0

AMD Zen2至Zen4架構(gòu)處理器存在Rowhammer內(nèi)存攻擊風(fēng)險(xiǎn)，AMD發(fā)布公告

需要注意的是，Rowhammer攻擊利用了現(xiàn)代DRAM內(nèi)存的物理特性，即通過(guò)連續(xù)讀寫內(nèi)存芯片，改變相鄰存儲(chǔ)單元的電荷狀態(tài)，從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的翻轉(zhuǎn)。攻擊者可精...

2024-03-27 標(biāo)簽：amdDRAM內(nèi)存芯片 1.3k 0

羅徹斯特?cái)y手Intelligent Memory提供傳統(tǒng)DRAM和NAND存儲(chǔ)解決方案

羅徹斯特電子與Intelligent Memory攜手合作，確保為工業(yè)應(yīng)用和嵌入式應(yīng)用提供傳統(tǒng)和成熟的DRAM和NAND存儲(chǔ)解決方案。

2024-03-27 標(biāo)簽：控制器DRAM羅徹斯特 1.1k 0

DRAM市場(chǎng)風(fēng)云再起 庫(kù)存調(diào)整價(jià)格走勢(shì)成焦點(diǎn)

第二季度DRAM合約價(jià)格的環(huán)比漲幅將受到嚴(yán)格限制，預(yù)計(jì)漲幅在3%至8%之間。

2024-03-26 標(biāo)簽：DRAM服務(wù)器DDR4 1.2k 0

DRAM供應(yīng)鏈在改善虧損的同時(shí)，需應(yīng)對(duì)需求挑戰(zhàn)

關(guān)于各個(gè)細(xì)分領(lǐng)域，有觀點(diǎn)指出，PC DRAM買家將在第二季度加大DDR5的采購(gòu)量，由于存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)商正大規(guī)模轉(zhuǎn)向更高級(jí)別的制造工藝，其收益得到顯著改善。...

2024-03-26 標(biāo)簽：DRAM存儲(chǔ)芯片DDR5 885 0

商務(wù)部部長(zhǎng)王文濤會(huì)見美光科技公司總裁

王文濤強(qiáng)調(diào)，中國(guó)積極釋放新產(chǎn)業(yè)機(jī)遇，促進(jìn)數(shù)字經(jīng)濟(jì)繁榮，將為外企如美光創(chuàng)造更為寬廣的市場(chǎng)環(huán)境，期待美光進(jìn)一步致力于中國(guó)市場(chǎng)發(fā)展，抓緊落實(shí)在華投資項(xiàng)目啟動(dòng)，...

2024-03-25 標(biāo)簽：DRAM美光數(shù)字經(jīng)濟(jì) 906 0

黃仁勛感謝臺(tái)灣合作伙伴，張忠謀預(yù)測(cè)英偉達(dá)在AI產(chǎn)業(yè)將再增長(zhǎng)

他回憶起25多年前制造當(dāng)時(shí)最為復(fù)雜的GPU——Riva 128的困境，當(dāng)時(shí)，他們向臺(tái)灣知名公司臺(tái)積電求助，并得到了其創(chuàng)業(yè)者張忠謀的直接回應(yīng)。黃仁勛深有感...

2024-03-25 標(biāo)簽：DRAM臺(tái)積電英偉達(dá) 1.2k 0

美光3500 SSD為數(shù)據(jù)密集型客戶端應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先的用戶體驗(yàn)

如今，個(gè)人電腦（PC）已成為多功能工具并為廣泛的用戶群體提供服務(wù)，其中以專業(yè)人士和游戲玩家最為突出。

2024-03-22 標(biāo)簽：DRAM數(shù)據(jù)傳輸SSD 1.2k 0

美光預(yù)測(cè)旗艦機(jī)型DRAM內(nèi)存將大增50%~100%

目前市場(chǎng)上，安卓旗艦手機(jī)大多提供12GB或16GB的內(nèi)存選項(xiàng)，更有部分高端機(jī)型已經(jīng)配備了24GB的內(nèi)存。

2024-03-22 標(biāo)簽：DRAM內(nèi)存美光 1.8k 0

三星SDI基興工廠施工現(xiàn)場(chǎng)發(fā)生火災(zāi)，無(wú)人傷亡

根據(jù)初步調(diào)查結(jié)果，火源疑似源于建筑工地焊接產(chǎn)生的火花點(diǎn)燃了周圍的可燃物所致。盡管有人質(zhì)疑這可能對(duì)三星存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)產(chǎn)生不利影響，但三星半導(dǎo)體事務(wù)負(fù)責(zé)人堅(jiān)決...

2024-03-22 標(biāo)簽：DRAM存儲(chǔ)芯片三星半導(dǎo)體 1.2k 0

三星研發(fā)CXL混合存儲(chǔ)模組，實(shí)現(xiàn)閃存與CPU數(shù)據(jù)直傳

據(jù)三星展示的圖片顯示，此模組可以通過(guò)CXL接口在閃存部分及CPU之間進(jìn)行I/O塊傳輸，也可以運(yùn)用DRAM緩存和CXL接口達(dá)到64字節(jié)的內(nèi)存I/O傳輸。

2024-03-21 標(biāo)簽：閃存DRAM接口 1.7k 0

三星半導(dǎo)體分享了面向PC、移動(dòng)端和服務(wù)器的多樣化創(chuàng)新存儲(chǔ)解決方案

在2024年CFMS閃存市場(chǎng)峰會(huì)上，三星半導(dǎo)體展示了其面向PC、移動(dòng)端和服務(wù)器的多樣化創(chuàng)新存儲(chǔ)解決方案。

2024-03-20 標(biāo)簽：DRAMSSD人工智能 1.4k 0

三星預(yù)估先進(jìn)芯片封裝業(yè)務(wù)今年?duì)I收將達(dá)1億美元乃至更多

根據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)TrendForce提供的數(shù)據(jù)，三星在2023年第四季度用於科技品類的DRAM芯片市場(chǎng)占有率已高達(dá)45.5%。為了應(yīng)對(duì)數(shù)據(jù)洪流以及千變?nèi)f...

2024-03-20 標(biāo)簽：DRAM人工智能存儲(chǔ)芯片 1.4k 0

SK海力士調(diào)整在華業(yè)務(wù)布局，重心轉(zhuǎn)向無(wú)錫工廠

SK海力士正對(duì)其在中國(guó)的業(yè)務(wù)進(jìn)行全面重組。這一決策的背后，反映出公司對(duì)地緣政治風(fēng)險(xiǎn)的高度警覺(jué)和積極應(yīng)對(duì)。

2024-03-20 標(biāo)簽：DRAMNAND半導(dǎo)體制造 3.1k 0

三星面臨罷工，存儲(chǔ)市場(chǎng)供需引關(guān)注

三星電子與與“三星電子全國(guó)工會(huì)”代表之間的薪資談判破裂，以及工會(huì)可能發(fā)起的罷工行動(dòng)，確實(shí)引發(fā)了市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)供需市場(chǎng)的關(guān)注。作為全球存儲(chǔ)龍頭廠商，三星的任何...

2024-03-20 標(biāo)簽：DRAM三星電子存儲(chǔ)市場(chǎng) 1.5k 0