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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。（關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù)）

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dram資訊

南亞科12月營收創(chuàng)新高，預(yù)期2024年存儲(chǔ)市況好轉(zhuǎn)

據(jù)南亞科預(yù)測(cè)，他們將于 1 月 10 日在線舉辦法說會(huì)以公布2023年經(jīng)營情況以及對(duì)2024年的展望。取決于市場(chǎng)需求和供應(yīng)商減產(chǎn)的影響，業(yè)內(nèi)人士估計(jì)，2...

2024-01-04 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器南亞科 1.2k 0

瀾起科技推RCD04 DDR5寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片

RCD 組件用于緩存內(nèi)存控制器傳來的指令信號(hào)等數(shù)據(jù)，DB 則負(fù)責(zé)緩存來自內(nèi)存設(shè)備或 DRAM 的數(shù)據(jù)信號(hào)。它們結(jié)合使用可實(shí)現(xiàn)全部信號(hào)的緩存功能。單用 R...

2024-01-04 標(biāo)簽：控制器 DRAM RCD 1.6k 0

半導(dǎo)體暴增20%，哪些賽道市場(chǎng)會(huì)開始回暖呢？

今年的半導(dǎo)體可謂寒風(fēng)瑟瑟，市場(chǎng)下滑的消息從年頭傳到年尾，半導(dǎo)體企業(yè)也疲于應(yīng)對(duì)蕭瑟的市場(chǎng)環(huán)境，不斷傳出減產(chǎn)、虧損的消息。

2024-01-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM 晶圓 1.3k 0

半導(dǎo)體核心技術(shù)外流中國韓研議提高相關(guān)刑責(zé)

近期，韓國主要的半導(dǎo)體制造商三星電子曝出重大泄密案，員工和供應(yīng)商泄露了公司的重大技術(shù)信息，引發(fā)巨大經(jīng)濟(jì)損失。據(jù)悉，兩名涉事員工金某和方某已被當(dāng)?shù)貦z方起訴...

2024-01-04 標(biāo)簽：DRAM 三星電子半導(dǎo)體設(shè)備 1.3k 0

三星半導(dǎo)體欲扭虧為盈，營業(yè)利潤預(yù)計(jì)達(dá)11.5萬億韓元

當(dāng)前，人工智能熱潮助推了三星存儲(chǔ)芯片銷售。盡管2023年因DRAM、NAND供應(yīng)異常充足，導(dǎo)致價(jià)格大跌，使其陷入嚴(yán)重虧損，但得益于減產(chǎn)政策的成效，近期此...

2024-01-04 標(biāo)簽：DRAM NAND 人工智能 1k 0

DRAM價(jià)格飆升，三星和美光計(jì)劃Q1漲幅高達(dá)20%

根據(jù)最新的存儲(chǔ)器模組行業(yè)消息，隨著自2023年下半年以來NAND Flash價(jià)格一路攀升，三星電子和美光等主要存儲(chǔ)器制造商計(jì)劃在Q1上調(diào)DRAM價(jià)格，漲...

2024-01-03 標(biāo)簽：DRAM NAND 美光 1.9k 0

存儲(chǔ)市場(chǎng)動(dòng)態(tài)：DRAM價(jià)格大幅上漲在即

隨著上游原廠醞釀提價(jià)，多家存儲(chǔ)器模塊業(yè)者已經(jīng)開始備貨，以應(yīng)對(duì)潛在的市場(chǎng)變化。預(yù)計(jì)供應(yīng)給OEM廠商的合約價(jià)將在二季度起全面反映DRAM的漲價(jià)趨勢(shì)。

2024-01-03 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 DDR4 1.8k 0

傳三星與美光第一季DRAM價(jià)格漲幅15%~20%

近期，全球DRAM市場(chǎng)風(fēng)云再起。兩大巨頭三星和SK海力士紛紛宣布增加設(shè)備投資和產(chǎn)能，這一舉動(dòng)無疑將對(duì)整個(gè)市場(chǎng)帶來深遠(yuǎn)的影響。而現(xiàn)在，最新消息表明，DRA...

2024-01-03 標(biāo)簽：DRAM FlaSh 美光 1.4k 0

DRAM價(jià)格上漲因存儲(chǔ)巨頭減產(chǎn)，供需緊張料持續(xù)至年底

據(jù)報(bào)道，近期三星宣布自明年第一季度起，DRAM價(jià)格將上漲至少15%；盡管NAND閃存漲價(jià)跡象尚不明顯，但預(yù)測(cè)同樣存在跟進(jìn)上漲的可能。據(jù)IT之家引用集邦觀...

2024-01-03 標(biāo)簽：DRAM NAND閃存三星 1.6k 0

三星與美光擬提DRAM價(jià)格，以求盈利回暖

部分存儲(chǔ)模組廠已接到三星通知，要求明年年初至少將DRAM價(jià)格上調(diào)15%以上，且該通知并未涉及NAND閃存定價(jià)，故預(yù)計(jì)后者將會(huì)持續(xù)上漲。DRAM價(jià)格在去年...

2024-01-03 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲(chǔ)模組 1.7k 0

NAND芯片價(jià)格或?qū)⑸蠞q40%以上

根據(jù)Omdia調(diào)查數(shù)據(jù)，全球儲(chǔ)存型快閃記憶體（NAND Flash）市場(chǎng)中，韓國三星占據(jù)34.3%的份額領(lǐng)跑，日本鎧俠緊隨其后（占比19.5%），美國威...

2024-01-03 標(biāo)簽：芯片 DRAM NAND 1.2k 0

三星目標(biāo)：營收增至11.5萬億韓元！

三星 DS 部門在 2023 年的營業(yè)利潤預(yù)估虧損 13 萬億韓元（當(dāng)前約 712.4 億元人民幣），而今年的目標(biāo)是 11.5 萬億韓元，意味著增加接近...

2024-01-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM 三星電子 1.2k 0

華邦電子朱迪：AI和汽車半導(dǎo)體需求持續(xù)抬升，看好DRAM市場(chǎng)增長

2023年，盡管面臨宏觀環(huán)境疲弱所致的存儲(chǔ)行業(yè)整體景氣不佳，華邦依然依靠對(duì)行業(yè)和客戶的深度耕耘和優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品及服務(wù)取得不錯(cuò)成績，業(yè)績表現(xiàn)較友商相對(duì)為佳。20...

2024-01-02 標(biāo)簽：DRAM AI 華邦電子 3.1k 0

三星半導(dǎo)體立志達(dá)成高額營業(yè)利潤

證券分析人士預(yù)計(jì)，2023年，三星電子整體營業(yè)利潤將達(dá)33.81萬億韓元，這使得該公司DS部門的營業(yè)利潤有望翻倍。然而需要注意的是，盡管這樣的預(yù)期表現(xiàn)積...

2024-01-02 標(biāo)簽：DRAM Nand 三星電子 937 0

日本擴(kuò)大投資補(bǔ)貼，挑戰(zhàn)韓國半導(dǎo)體行業(yè)主導(dǎo)地位

韓國新聞網(wǎng)站《東亞日?qǐng)?bào)》對(duì)此發(fā)表評(píng)論指出，面臨強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境，東京政府毅然推出了高達(dá)50％的半導(dǎo)體補(bǔ)貼計(jì)劃，這對(duì)于吸引當(dāng)?shù)丶皣H上的商業(yè)巨頭發(fā)揮著重要作...

2023-12-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM 產(chǎn)業(yè)鏈 1.1k 0

海太半導(dǎo)體擬將7800萬美元應(yīng)收賬款轉(zhuǎn)給建行無錫分行

參與這項(xiàng)交易有助于加快海太半導(dǎo)體的資金回籠速度，降低公司的應(yīng)收賬款余額，推動(dòng)其資產(chǎn)負(fù)債結(jié)構(gòu)及經(jīng)營現(xiàn)金流的優(yōu)化，最終助力海太半導(dǎo)體維持穩(wěn)健的生產(chǎn)運(yùn)營以及支...

2023-12-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM 模組 970 0

日本巨額補(bǔ)貼半導(dǎo)體，引發(fā)韓國擔(dān)憂

據(jù)報(bào)道，美光公司正在日本廣島興建DRAM工廠，已得到來自日本政府約39%的投資額補(bǔ)貼，其預(yù)期的成本競(jìng)爭(zhēng)力由提升5%-7%。在半導(dǎo)體設(shè)備投入大量資金的情況...

2023-12-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM 臺(tái)積電 1.2k 0

三星及Naver展示能效比英偉達(dá)芯片高8倍的AI芯片

韓國政府計(jì)劃到2030年分三個(gè)階段增強(qiáng)韓國產(chǎn)AI半導(dǎo)體。

2023-12-28 標(biāo)簽：DRAM 人工智能 NPU 1.6k 0

兆易創(chuàng)新：NOR Flash和SLC Nand Flash價(jià)格已趨于平穩(wěn)

對(duì)于DRAM業(yè)務(wù)，這個(gè)公司的主要是低端市場(chǎng)，如小容量DDR4、DDR3等產(chǎn)品，且正在積極投入8Gb DDR4等新型DRAM研發(fā)，以便完善標(biāo)準(zhǔn)接口DRAM...

2023-12-27 標(biāo)簽：mcu DRAM DDR4 1.2k 0

佰維公司成功推出支持CXL 2.0規(guī)范的CXL DRAM內(nèi)存擴(kuò)展模塊

　　近日，國內(nèi)知名存儲(chǔ)器制造企業(yè)佰維科技股份有限公司(以下簡稱“佰維”)欣然宣告，其在DRAM技術(shù)領(lǐng)域取得了重要突破——成功研發(fā)并量產(chǎn)了符合CXL 2....

2023-12-27 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器內(nèi)存 1.4k 0

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德國易能森有限公司(EnOcean GmbH)是無線能量采集技術(shù)的開創(chuàng)者。2012年3月，國際電工技術(shù)委員會(huì)將EnOcean無線通信標(biāo)準(zhǔn)采納為國際標(biāo)準(zhǔn)“ISO/IEC 14543-3-10”，這也是世界上唯一使用能量采集技術(shù)的無線國際標(biāo)準(zhǔn)。
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北京時(shí)間2017年2月26日，華為終端在巴塞羅那世界移動(dòng)通信大會(huì)2017（MWC）上發(fā)布發(fā)布了全新華為P系列智能手機(jī)——華為P10 & P10 Plus.
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　　華為Mate 9系列是華為推出的商務(wù)旗艦手機(jī)。華為Mate 9系列搭載麒麟960海思處理器，操作系統(tǒng)為基于Android 7.0深度定制的EMUI5.0。
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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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北京時(shí)間2015年9月10日，美國蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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公司在特別依賴分布式高性能計(jì)算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)在該細(xì)分市場(chǎng)持續(xù)保持全球第一的市場(chǎng)地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷全球一百多個(gè)國家和地區(qū)，深受用戶喜愛。
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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測(cè)試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
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東軟集團(tuán)是中國領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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