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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。（關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù)）

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存儲(chǔ)技術(shù)革新之戰(zhàn) 閃存與內(nèi)存巨頭競(jìng)相突破

三星在DRAM芯片工藝方面也取得了令人矚目的突破。他們的DRAM芯片工藝已達(dá)到1b nm級(jí)別，并計(jì)劃在今年內(nèi)啟動(dòng)1c nm DRAM的量產(chǎn)工作。

2024-04-16 標(biāo)簽：閃存 DRAM NAND閃存 1.5k 0

傳三星與美光第一季DRAM價(jià)格漲幅15%~20%

近期，全球DRAM市場(chǎng)風(fēng)云再起。兩大巨頭三星和SK海力士紛紛宣布增加設(shè)備投資和產(chǎn)能，這一舉動(dòng)無(wú)疑將對(duì)整個(gè)市場(chǎng)帶來(lái)深遠(yuǎn)的影響。而現(xiàn)在，最新消息表明，DRA...

2024-01-03 標(biāo)簽：DRAM FlaSh 美光 1.5k 0

美光深陷泥潭 NAND閃存真成救命稻草？

DRAM和NAND芯片提供商美光(Micron)仍在困境中掙扎，6個(gè)季度的虧損，3年來(lái)收入達(dá)到最低點(diǎn)。這個(gè)情況還將持續(xù)多長(zhǎng)時(shí)間?

2012-12-23 標(biāo)簽：閃存 DRAM NAND 1.4k 0

2015年全球半導(dǎo)體銷售將增長(zhǎng)緩慢

　　Gartner最新一項(xiàng)調(diào)查顯示，2015年全球半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)額預(yù)計(jì)將達(dá)到3，480億美元，較2014年增長(zhǎng)2.2%，但低于上季度所預(yù)測(cè)的4%增長(zhǎng)目標(biāo)。帶...

2015-08-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM Apple 1.4k 0

中國(guó)半導(dǎo)體迎擴(kuò)產(chǎn)潮 SK海力士將投36億建新廠

中國(guó)半導(dǎo)體迎來(lái)擴(kuò)產(chǎn)潮，不只中國(guó)本土廠商，全球半導(dǎo)體廠商也競(jìng)相在中國(guó)布建生產(chǎn)線，而早早在中國(guó)插旗的韓國(guó)內(nèi)存大廠 SK 海力士同樣不落人后，將在中國(guó)無(wú)錫興建...

2017-02-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM SK海力士 1.4k 0

半導(dǎo)體市場(chǎng)能否實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)增長(zhǎng)？

要實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)，重要的一點(diǎn)是什么會(huì)觸發(fā)市場(chǎng)，市場(chǎng)何時(shí)會(huì)出現(xiàn)轉(zhuǎn)機(jī)。

2023-06-18 標(biāo)簽：傳感器半導(dǎo)體 DRAM 1.4k 0

內(nèi)存價(jià)格瘋漲，國(guó)產(chǎn)手機(jī)依賴進(jìn)口，陷入窘境

瘋狂漲價(jià)的內(nèi)存進(jìn)入了真正的牛市通道。如今，無(wú)論線上線下，16GB的主流DDR4內(nèi)存要價(jià)都接近1600元。業(yè)內(nèi)專家預(yù)計(jì)，后續(xù)手機(jī)受到內(nèi)存漲價(jià)等相關(guān)成本壓...

2018-06-30 標(biāo)簽：DRAM 內(nèi)存 1.4k 0

存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)出現(xiàn)美日韓的壟斷之勢(shì) 紫光國(guó)際“攪局”破勢(shì)而出

誰(shuí)將成為存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)的“攪局者”，儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)還在日益擴(kuò)張，供不應(yīng)求之勢(shì)越發(fā)明顯。中國(guó)存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)風(fēng)云迭起，美日韓的壟斷之勢(shì)越來(lái)越強(qiáng)盛，紫光國(guó)際“攪...

2017-12-18 標(biāo)簽：英特爾 dram 美光 1.4k 0

存儲(chǔ)芯片供給過(guò)剩價(jià)格下行趨勢(shì)確立

因?yàn)橛⑻貭?4納米x86 CPU 產(chǎn)能短缺，比特幣價(jià)格下跌造成的中低階挖礦機(jī)需求不振，及新興市場(chǎng)貨幣貶值造成的中低階手機(jī)銷售不佳，加上3D NAND轉(zhuǎn)到...

2018-11-09 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)美光 1.4k 0

機(jī)構(gòu)：2024年底前HBM將占先進(jìn)制程比例為35%

據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce估算，市場(chǎng)對(duì)HBM需求呈現(xiàn)高速增長(zhǎng)，加上HBM利潤(rùn)高，故三星、SK海力士及美光國(guó)際三大原廠將增加資金投入與產(chǎn)能投片

2024-05-22 標(biāo)簽：DRAM 晶圓 HBM 1.4k 0

力積電黃崇仁：面對(duì)大陸廠商價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)將主動(dòng)降低DDIC業(yè)務(wù)占比

在黃崇仁參加國(guó)際半導(dǎo)體展的“控制汽車用半導(dǎo)體的新未來(lái)論壇”期間提到的力量——ai部署，明年高上市帶寬ai計(jì)算芯片制造過(guò)程邏輯的話，可以在28納米DRAM...

2023-09-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM 28納米 1.4k 0

佰維公司成功推出支持CXL 2.0規(guī)范的CXL DRAM內(nèi)存擴(kuò)展模塊

　　近日，國(guó)內(nèi)知名存儲(chǔ)器制造企業(yè)佰維科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“佰維”)欣然宣告，其在DRAM技術(shù)領(lǐng)域取得了重要突破——成功研發(fā)并量產(chǎn)了符合CXL 2....

2023-12-27 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器內(nèi)存 1.4k 0

創(chuàng)見MTE310S PCIe 4.0固態(tài)硬盤，支持SLC緩存與LDPC糾錯(cuò)

值得一提的是，創(chuàng)見為 MTE310S 固態(tài)硬盤提供長(zhǎng)達(dá)五年的保修期，保證 200 萬(wàn)小時(shí)的平均故障間隔時(shí)間。至于產(chǎn)品售價(jià)和具體上市日期，官方暫未對(duì)外透露。

2024-04-01 標(biāo)簽：DRAM NAND 固態(tài)硬盤 1.4k 0

三星電子面臨史上最大規(guī)模罷工，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)漲價(jià)潮持續(xù)

全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)芯片制造商三星電子（Samsung Electronics）近期陷入了前所未有的勞資爭(zhēng)端之中，其工會(huì)成員于本周一開始了一場(chǎng)為期三天的罷工行...

2024-07-09 標(biāo)簽：DRAM 三星電子存儲(chǔ)芯片 1.4k 0

DRAM價(jià)格迎來(lái)下跌，三星、海力士已經(jīng)在著手施展應(yīng)對(duì)措施

近日，DRAMeXchange發(fā)表報(bào)告稱，第三季PC DRAM合約價(jià)格微增，平均漲幅約為2％左右，同時(shí)報(bào)告也預(yù)測(cè)2019年DRAM均價(jià)將呈下滑狀態(tài)，市場(chǎng)...

2018-10-19 標(biāo)簽：DRAM 三星電子海力士 1.4k 0

上海矽朋微電子怎么樣？MRAM榮獲“中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)年度最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)”

? — 芯紐帶?新未來(lái)?—7月20日，由江蘇省工業(yè)和信息化廳、南京江北新區(qū)管理委員會(huì)主辦，江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、南京江北新區(qū)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)研園、南京浦口經(jīng)濟(jì)...

2023-07-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM FlaSh 1.4k 0

三星在硅谷建立3D DRAM研發(fā)實(shí)驗(yàn)室

三星電子，全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)芯片制造商，近日宣布在美國(guó)設(shè)立新的研究實(shí)驗(yàn)室，專注于開發(fā)新一代3D DRAM技術(shù)。這個(gè)實(shí)驗(yàn)室將隸屬于總部位于美國(guó)硅谷的Devic...

2024-01-30 標(biāo)簽：芯片 DRAM 三星電子 1.4k 0

三星與SK海力士同步看好DRAM后市預(yù)測(cè)后期不排除出現(xiàn)短缺

韓國(guó)記憶體兩大廠三星（Samsung）與SK海力士（Hynix）同步看好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體（DRAM）后市，激勵(lì)DRAM制造廠南亞科(2408)與華邦電...

2021-02-01 標(biāo)簽：DRAM NAND 三星電子 1.4k 0

DRAM與NAND市場(chǎng)迎高增長(zhǎng)，2024年收入飆升

據(jù)集邦咨詢最新報(bào)告，全球DRAM內(nèi)存與NAND閃存市場(chǎng)正迎來(lái)前所未有的繁榮期。受市場(chǎng)需求強(qiáng)勁增長(zhǎng)、供需結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化、價(jià)格顯著上揚(yáng)以及HBM（高帶寬內(nèi)存）...

2024-08-01 標(biāo)簽：閃存 DRAM NAND 1.4k 0

禁運(yùn)華為導(dǎo)致其減少了多達(dá)5億美元的DRAM銷售收入

在Digitimes的最新報(bào)道中指出，本就疲軟的DRAM市場(chǎng)，因?yàn)槿笔Я巳A為這一客戶，三星、SK海力士、美光今年四季度以及明年一季度的內(nèi)存收入情況都將不盡理想。

2020-11-19 標(biāo)簽：DRAM 華為 1.4k 0

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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無(wú)法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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北京時(shí)間2015年9月10日，美國(guó)蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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公司在特別依賴分布式高性能計(jì)算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)在該細(xì)分市場(chǎng)持續(xù)保持全球第一的市場(chǎng)地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷全球一百多個(gè)國(guó)家和地區(qū)，深受用戶喜愛。
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