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標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))
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SK 海力士發(fā)布全球最高密度移動(dòng) 8GB DRAM
SK 海力士周一發(fā)布全球最高密度、低耗能移動(dòng) DRAM,將應(yīng)用于未來智能手機(jī)上。 海力士運(yùn)用雙通道 16 Gigabit 雙通道芯片打造出低耗電 DDR...
DRAM產(chǎn)值將再改寫新高,南亞科/華邦電或?qū)⒗U出逐季創(chuàng)新高銷售佳績(jī)
DRAM大廠陸續(xù)洽談第3季DRAM合約價(jià)格,維持小漲局面,推升全球本季DRAM產(chǎn)值將再改寫新高,臺(tái)系DRAM南亞科(2408)和華邦電等,預(yù)料今年將繳...
美光科技批量生產(chǎn)HBM3E,推動(dòng)人工智能發(fā)展
美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官薩達(dá)納(Sumit Sadana)稱,公司已實(shí)現(xiàn)HBM3E的市場(chǎng)首發(fā)和卓越性能,同時(shí)能耗具有顯著優(yōu)勢(shì),使公司在AI加速領(lǐng)域穩(wěn)占...
三星電子和SK海力士計(jì)劃四季度全面提高DDR5產(chǎn)量
SK海力士同樣也在籌備提高DDR5產(chǎn)品比重。其已在今年5月開發(fā)出10nm級(jí)第5代(1b)DDR5,供應(yīng)給英特爾。韓國(guó)投資證券分析師預(yù)計(jì),由于DDR5需...
受內(nèi)存需求,第三季度三星季增28.4%,SK海力士增30.1%,美光增13%
根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示,在北美數(shù)據(jù)中心的需求持續(xù)強(qiáng)勁,以及DRAM供給端產(chǎn)能與制程受限制下,并不能滿足整體服務(wù)器...
預(yù)期DRAM市場(chǎng)上半年市況保守 存儲(chǔ)器價(jià)格將再度下跌
2月11日,DRAM大廠南亞科公布今年1月營(yíng)收為42.58億元(新臺(tái)幣,下同),受市場(chǎng)需求保守,加上單價(jià)持續(xù)下滑影響,營(yíng)收月減11.82%,較去年同期減...
三星投資60%部署NAND閃存業(yè)務(wù) 預(yù)測(cè)將出現(xiàn)供大于求
根據(jù)2017年的存儲(chǔ)器市場(chǎng)來看,價(jià)格的大幅度上漲,內(nèi)存市場(chǎng)面臨著激烈的競(jìng)爭(zhēng),市場(chǎng)供不應(yīng)求的局面,致使三星計(jì)劃將加大投入擴(kuò)大芯片產(chǎn)能,但是外界人士認(rèn)為內(nèi)存...
DRAM創(chuàng)淡季漲幅最高紀(jì)錄 供貨吃緊可能持續(xù)整年
TrendForce 內(nèi)存儲(chǔ)存研究(DRAMeXc hange)最新研究顯示,由于 DRAM 供貨吃緊至今未有改善的跡象,因此延續(xù) 2016 下半年的價(jià)...
2Q23 NAND Flash/DRAM市場(chǎng)營(yíng)收排名出爐
不同于一季度的疲軟,可以看到在 二季度存儲(chǔ)市場(chǎng)明顯有所回暖,打破自2022年二季度以來的連續(xù)下滑,重新恢復(fù)增長(zhǎng)。 據(jù)CFM閃存市場(chǎng)分析, 2023年二季...
2023-09-05 標(biāo)簽:DRAM 961 0
三星新一代移動(dòng)設(shè)備芯片將支持4GB RAM
最近三星公司剛剛公布了旗下首個(gè)8GB低功率的LPDDR4內(nèi)存芯片,并且可以在移動(dòng)設(shè)備大小的多層結(jié)構(gòu)芯片中肩負(fù)4GB運(yùn)行內(nèi)存的功能。
DRAM價(jià)格沒有回升跡象,DDR5繼續(xù)下跌
據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士稱,到 2022 年為止,DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格已下跌超過 40%,而 NAND 閃存晶圓價(jià)格已跌至供應(yīng)商的現(xiàn)金成本水平以下。
DRAM未來漲勢(shì)將取決于這3個(gè)關(guān)鍵要素
有研究表明未來的DRAM漲勢(shì)還將不斷向上提升,據(jù)悉三星將于2018年第1季價(jià)格再上調(diào)3%至5%。服務(wù)器市場(chǎng)仍是DRAM漲勢(shì)最大的成長(zhǎng)來源。
NOR Flash行業(yè)將迎來拐點(diǎn) 明年可能供不應(yīng)求
在這一氛圍下,NOR Flash行業(yè)已開始醞釀漲價(jià)。臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)今日有消息指出,預(yù)計(jì)NOR Flash將接棒啟動(dòng)存儲(chǔ)芯片新一輪漲價(jià)潮,預(yù)計(jì)明年1月起先漲...
三星控制存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格上漲 中國(guó)政府正式介入存儲(chǔ)市場(chǎng)干預(yù)
韓國(guó)媒體近日?qǐng)?bào)道稱,中國(guó)發(fā)改委要求三星控制存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格上漲。在去年年底中國(guó)智能手機(jī)企業(yè)聯(lián)合舉報(bào),對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器價(jià)格連續(xù)上漲表示不滿之后,中國(guó)政府正式介入...
西部數(shù)據(jù)表示:電阻式內(nèi)存技術(shù)并非徒勞一場(chǎng)
在完成對(duì)SanDisk公司的收購(gòu)之后,西部數(shù)據(jù)正積極利用ReRAM——即電阻式RAM技術(shù)——對(duì)英特爾與美光打造的XPoint發(fā)起沖擊。
2016-08-22 標(biāo)簽:DRAM西部數(shù)據(jù) 947 0
SK海力士:挑戰(zhàn)美國(guó)限制,推進(jìn)中國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)升級(jí)
無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地,其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前,無錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10納米DRAM。
2024-01-16 標(biāo)簽:DRAM半導(dǎo)體制造SK海力士 946 0
隨著移動(dòng)設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的興起,對(duì)于節(jié)能的資料儲(chǔ)存與存儲(chǔ)技術(shù)需求日益增加。
傳三星將擴(kuò)產(chǎn)DRAM 存儲(chǔ)器好景恐難延續(xù)
之前外資曾警告,DRAM 榮景能否持續(xù),取決于存儲(chǔ)器龍頭三星電子,要是三星擴(kuò)產(chǎn),好景恐怕無法持續(xù)。如今三星眼看 DRAM 利潤(rùn)誘人,傳出決定擴(kuò)產(chǎn),新產(chǎn)線...
盡管漲勢(shì)減緩,但DRAM與NAND營(yíng)收預(yù)料仍將創(chuàng)新高記錄
半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)ICinsights 指出,全球記憶體下半年價(jià)格上漲動(dòng)能可能減緩,包含DRAM 與NAND 快閃記憶體均是如此。
三星半導(dǎo)體立志達(dá)成高額營(yíng)業(yè)利潤(rùn)
證券分析人士預(yù)計(jì),2023年,三星電子整體營(yíng)業(yè)利潤(rùn)將達(dá)33.81萬億韓元,這使得該公司DS部門的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)有望翻倍。然而需要注意的是,盡管這樣的預(yù)期表現(xiàn)積...
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