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三星投資60%部署NAND閃存業(yè)務(wù) 預(yù)測(cè)將出現(xiàn)供大于求

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投資80億美元。 根據(jù)一份新報(bào)告,三星將增加對(duì)中國芯片工廠的投資,以促進(jìn)NAND閃存芯片的生產(chǎn)。據(jù)推測(cè),在大筆投資之前,該公司預(yù)測(cè)由于供應(yīng)有限以及對(duì)第五代網(wǎng)絡(luò)和設(shè)備的需求增加,明年內(nèi)存需求的激增將反彈。 目前,三星是全
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PK三星閃存 紫光2019年將量產(chǎn)64層3D NAND閃存

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2017-05-09 15:10:042528

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全球半導(dǎo)體市場(chǎng)進(jìn)入供大于求的局面

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有沒有人使用過三星的flash芯片,問題請(qǐng)教

三星的K9F1G08U0A nand flash芯片,手冊(cè)說有Unique ID可以用,但是沒有說明具體怎么操作。另外在其他三星nor flash芯片手冊(cè)中有看到OTP區(qū)域,可以來保存Unique
2017-03-21 09:22:02

三星與蘋果合資生產(chǎn)NAND閃存芯片談判胎死腹中

          韓國三星電子公司周一說,它和蘋果電腦公司就合資生產(chǎn)NAND閃存芯片的談判已告失敗。NAND閃存芯片是蘋果最新便攜音樂播放
2006-03-13 13:05:36609

iPod攪動(dòng)NAND閃存市場(chǎng) 蘋果買三星40%產(chǎn)量

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  有報(bào)道引用監(jiān)管機(jī)構(gòu)申請(qǐng)文件稱韓國電子巨頭三星電子宣布將在西安投資70億美元建一座NAND晶圓廠。
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最大芯片生產(chǎn)商NAND閃存供不應(yīng) 三星計(jì)劃再投資186億美元

做為世界最大的記憶芯片生產(chǎn)商,三星將在2021年前對(duì)位于平澤市的NAND閃存工廠投入14.4萬億韓元。此外,位于華城市的半導(dǎo)體生產(chǎn)線也將拿到6萬億韓元的投資。剩下的1萬億韓元,將分配給三星位于韓國的OLED屏幕工廠。同時(shí),三星還計(jì)劃為西安的NAND閃存生產(chǎn)基地添置一條新的生產(chǎn)線。
2017-07-04 15:57:301192

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NAND閃存超級(jí)周期將發(fā)生逆轉(zhuǎn),三星重挫其他閃存供應(yīng)商

2018年DRAM、NAND型快閃存儲(chǔ)器供需預(yù)估將持續(xù)呈現(xiàn)吃緊。三星電子27日盤中下跌4.2%,創(chuàng)一年多以來最大跌幅。三星競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SKHynix一度下跌3.6%,創(chuàng)10月底以來最大跌幅。韓國股市27日早盤遭逢來自外資與法人的賣壓,以三星電子為首的科技股領(lǐng)跌。
2017-11-28 12:19:39928

三星增產(chǎn)NAND,分析師預(yù)測(cè)明年內(nèi)存將供過于

IHS Markit報(bào)告預(yù)估,明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2,441億GB。 其中三星電子將帶頭增產(chǎn),預(yù)料供給將增39%至879億GB。 與此同時(shí),明年全球NAND需求提高36.7%至2,424億GB,供給超出需求17億GB,供給過剩比率約為0.7%。
2017-12-06 12:01:58693

內(nèi)存市場(chǎng)狀況分析:2018年DRAM持續(xù)吃緊 NAND將供過于

近一年來了內(nèi)存價(jià)格的起伏不定,準(zhǔn)確的說是水漲船高,明年的市場(chǎng)狀況又將迎來如何的轉(zhuǎn)變。據(jù)悉明年上半年DRAM將持續(xù)吃緊、NAND供大于求。
2017-12-25 12:40:341532

SSD價(jià)格開始走跌 2019年后NAND Flash供大于求

根據(jù)2017年的存儲(chǔ)器行業(yè)需求顯露出的價(jià)格上漲,供不應(yīng)局面,韓系存儲(chǔ)器廠紛紛計(jì)劃擴(kuò)產(chǎn)。但由于存儲(chǔ)器大廠3D NAND良率升,NAND Flash將在2019年后產(chǎn)能過剩。
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七月份面板行情出現(xiàn)止跌回暖的趨勢(shì),“雙十一”彩電市場(chǎng)恐打響價(jià)格戰(zhàn)

7月電視面板價(jià)格止跌回暖,8月有望進(jìn)一步回升液晶電視面板供大于求,彩電企業(yè)需警惕供過于面板廠商難有話語權(quán),5月電視面板跌跌不休陣營添新??!LGD決定提高OLED電視面板產(chǎn)能售價(jià)比成本低六成!傳
2018-07-31 15:36:00716

三星確認(rèn)建廠,用于擴(kuò)大DRAM、NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的產(chǎn)能

根據(jù)韓國媒體的報(bào)導(dǎo),韓國存儲(chǔ)器大廠三星已經(jīng)確認(rèn),將會(huì)在韓國平澤市興建一座新的半導(dǎo)體工廠,用于擴(kuò)大DRAM、NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的產(chǎn)能。 之前,韓國媒體《FN News》曾經(jīng)引用業(yè)界人士和平
2018-03-06 18:59:115298

2018年底開始向市場(chǎng)供應(yīng)尖端產(chǎn)品NAND閃存芯片

那么前景如何呢?英國調(diào)查公司IHS Markit首席分析師南川明表示“2020年以后的NAND供需取決于長江存儲(chǔ)科技”。如果將該公司的計(jì)劃全部計(jì)算進(jìn)去,最早將在2021年出現(xiàn)供大于求。預(yù)計(jì)容量
2018-04-25 16:42:205623

三星512GB嵌入式通用閃存量產(chǎn),采用64層512Gb V-NAND電路設(shè)計(jì)和電源管理技術(shù)

三星電子今天宣布,已經(jīng)開始批量生產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款512GB嵌入式通用閃存(eUFS),以用于下一代移動(dòng)設(shè)備。據(jù)介紹,三星512GB eUFS采用了個(gè)三星最新的64層512千兆(Gb)V-NAND芯片和一個(gè)控制器芯片。
2018-07-10 09:39:001189

三星已開始生產(chǎn)第五代V-NAND閃存芯片

據(jù)外媒7月10日?qǐng)?bào)道,頂級(jí)NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:054460

NAND供大于求 價(jià)格將會(huì)進(jìn)一步下降

據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights 周二(10 日) 最新研報(bào)指出,預(yù)計(jì)全球主要NAND 供應(yīng)商將大幅擴(kuò)大資本支出,來拉高產(chǎn)能,估計(jì)今年的NAND 記憶體價(jià)格將進(jìn)一步走跌。
2018-07-13 15:04:364024

三星開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存,了解其性價(jià)比

面對(duì)2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況,三星正式宣布開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒,堆棧數(shù)將超過90層。
2018-07-24 14:36:328259

NAND Flash價(jià)格平均跌幅預(yù)估將近10%,最根本的原因是市場(chǎng)持續(xù)供過于

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新報(bào)告指出,NAND Flash市場(chǎng)在2018年第一季受傳統(tǒng)淡季影響,導(dǎo)致市場(chǎng)轉(zhuǎn)為供大于求。第二季隨著智能手機(jī)需求復(fù)蘇、中國智能手機(jī)廠商提升
2018-08-20 17:25:411332

3D NAND芯片市場(chǎng)發(fā)展空間巨大,三星電子很難單獨(dú)吞下這一片市場(chǎng)

8月28日,三星電子宣布,未來將投資70億美元用于擴(kuò)大西安三星電子NAND芯片的生產(chǎn)。不過,三星稱,“此筆投資意在滿足NAND芯片市場(chǎng)的需求?!笨墒牵?b class="flag-6" style="color: red">三星的投資真的只為滿足NAND芯片市場(chǎng)需求嗎?
2018-10-01 16:12:003303

2019年三星在DRAM的投資大砍20%,以維持市場(chǎng)價(jià)格的高水位

報(bào)導(dǎo)進(jìn)一步指出,雖然針對(duì)存儲(chǔ)器的投資總體會(huì)減少。但是,在DRAM及NAND Flash快閃存儲(chǔ)器上還是有區(qū)別的。分析師認(rèn)為,三星在2019年的半導(dǎo)體投資將減少8%,但NAND Flash快閃存
2018-10-10 15:38:114645

三星采取保守策略,DRAM投資大減,NAND閃存持續(xù)增投

據(jù)日媒指出,三星2019年針對(duì)存儲(chǔ)器的投資總體會(huì)減少,但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中,在DRAM部分,三星將大減20%資本支出;而在NAND Flash部分,三星投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:443814

內(nèi)存和固態(tài)的顆粒產(chǎn)能進(jìn)入了供大于求的階段 價(jià)格還會(huì)進(jìn)一步下滑

和固態(tài)的顆粒,產(chǎn)能進(jìn)入了供大于求的階段,價(jià)格還會(huì)進(jìn)一步下滑,此時(shí)用戶們期盼著內(nèi)存能回到2016年初的8G180元的時(shí)代。
2018-12-26 08:59:181709

IDC對(duì)NAND閃存價(jià)格的最新預(yù)測(cè)

IDC調(diào)整了其對(duì)NAND閃存的供需預(yù)測(cè),稱2019年和2020年的比特量(bit volume)將同比增長39%和38%。并預(yù)計(jì)閃存價(jià)格的降低趨勢(shì)可能會(huì)放緩。 據(jù)IDC數(shù)據(jù)顯示,2019年上半年閃存
2019-03-20 15:09:01629

內(nèi)存條價(jià)格已跌入谷底 但為什么還是沒人買

2018年蘋果手機(jī)的銷量讓資本市場(chǎng)大跌眼鏡,三星手機(jī)在全球市場(chǎng)來看也已不是當(dāng)年的三星,國產(chǎn)手機(jī)廠商銷量方面也頗有“雷聲大,雨點(diǎn)小”的意思,這直接導(dǎo)致NAND Flash市場(chǎng)2018年整年都呈現(xiàn)出飽和,供大于求的現(xiàn)象,所以價(jià)格不斷下跌,最高達(dá)到65%,SSD價(jià)格跌幅最高達(dá)56%。
2019-04-11 10:23:4224467

回顧三星96層V-NAND的性能分析介紹

在2016年的舊金山閃存峰會(huì)上,三星公布了Z-NAND與Z-SSD的相關(guān)信息。后者基于第四代V-NAND,但由于具有一些新的特性(介于DRAM內(nèi)存和NAND閃存之間)、包含獨(dú)特的電路設(shè)計(jì)與優(yōu)化后的主控,三星于是用Z-NAND來命名這款閃存芯片。
2019-08-31 09:43:426632

三星推出閃存更快功耗更低的V-NAND存儲(chǔ)器

三星推出了第六代V-NAND內(nèi)存,為了進(jìn)一步提高容量和密度,它擁有100多個(gè)活動(dòng)層。從性能的角度來看,要使V-NAND具有超過100層的可行性,三星公司不得不使用新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)。
2019-09-03 10:38:04981

NAND Flash價(jià)格明顯止跌 NAND新一輪軍備競(jìng)賽又將開始

隨著NAND Flash價(jià)格的連續(xù)走低,為了防止過量的NAND閃存供應(yīng)導(dǎo)致市場(chǎng)崩潰,NAND生產(chǎn)廠商、Intel、美光以及SK海力士已經(jīng)共同宣布將采取手段遏制供大于求的現(xiàn)狀,具體來講就是全方位
2019-10-12 10:01:221136

三星電子提高NAND閃存價(jià)格 短時(shí)間內(nèi)將無法恢復(fù)

三星電子計(jì)劃將其NAND閃存價(jià)格提高10%,原因是日本政府對(duì)半導(dǎo)體材料出口限制導(dǎo)致生產(chǎn)中斷的擔(dān)憂日益增加。美光科技等其他公司也可能效仿。
2019-11-18 15:37:411013

三星打造全球最大閃存生產(chǎn)基地 大力投資西安占據(jù)中國市場(chǎng)

三星是全球最大的存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)商、供應(yīng)商,僅僅是NAND閃存就占了全球1/3的份額,不過韓國本土的工廠已經(jīng)不是最大的閃存生產(chǎn)基地了,三星這幾年來大力投資中國西安,一期及正在建設(shè)中的二期投資已經(jīng)將西安工廠變成了全球最大的閃存基地。
2019-12-11 15:25:071436

三星持續(xù)投資閃存芯片 加劇與NAND市場(chǎng)的差異化

12 月 11 日訊,近日,三星電子閃存芯片項(xiàng)目二期第二階段 80 億美元投資正式啟動(dòng)。據(jù)悉,三星電子一期投資 108 億美元,建成了三星電子存儲(chǔ)芯片項(xiàng)目和封裝測(cè)試項(xiàng)目;二期項(xiàng)目總投資 150 億美元,主要制造閃存芯片。
2019-12-12 11:37:56743

為壓制國產(chǎn)自主內(nèi)存,三星80億美元增投中國芯片廠

據(jù)韓國媒體報(bào)道稱,三星電子將對(duì)其中國芯片工廠增加80億美元的投資,以促進(jìn)NAND閃存芯片的生產(chǎn)。據(jù)預(yù)計(jì),由于供應(yīng)有限,以及對(duì)5G設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)需求的不斷上升,明年全球內(nèi)存芯片市場(chǎng)將出現(xiàn)反彈。
2019-12-13 09:55:223131

三星加大投資 明年全球內(nèi)存芯片市場(chǎng)將出現(xiàn)反彈

據(jù)韓國媒體報(bào)道稱,三星電子將對(duì)其中國芯片工廠增加80億美元的投資,以促進(jìn)NAND閃存芯片的生產(chǎn)。據(jù)預(yù)計(jì),由于供應(yīng)有限,以及對(duì)5G設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)需求的不斷上升,明年全球內(nèi)存芯片市場(chǎng)將出現(xiàn)反彈。
2019-12-13 10:04:18698

三星電子閃存芯片項(xiàng)目落戶西安 第二階段投資達(dá)80億美元

從“尚未決定”到“最終落戶”,三星電子第二階段二期投資終于落戶西安。據(jù)最新消息,三星電子在西安的閃存芯片項(xiàng)目二期投資80億美元落地。在今年5月份,三星電子曾表示,尚未決定對(duì)中國西安的第二條閃存芯片生產(chǎn)線進(jìn)行額外投資的計(jì)劃,具體情況將取決于市場(chǎng)狀況。
2019-12-16 11:43:234321

三星擴(kuò)大西安3D NAND工廠設(shè)施,新投資數(shù)十億美元

根據(jù)AnandTech的報(bào)道,三星計(jì)劃投資數(shù)十億美元擴(kuò)大其在中國西安的3D NAND生產(chǎn)設(shè)施。
2019-12-18 10:38:203458

三星正在研發(fā)160層及以上的3D閃存

據(jù)了解,136層第六代V-NAND閃存三星今年的量產(chǎn)主力。韓媒報(bào)道稱三星可能會(huì)大幅改進(jìn)制造工藝,從現(xiàn)在的單堆棧(single-stack)升級(jí)到雙堆棧(double-stack),以便制造更高層數(shù)的3D閃存
2020-04-20 09:06:01776

三星鎧俠率先擴(kuò)產(chǎn),NAND閃存市場(chǎng)要變天?

投資額就達(dá)8萬億韓元(約合470億元人民幣)。新冠肺炎疫情導(dǎo)致NAND市場(chǎng)的不確定性大增。然而,三星電子過往多選擇在景氣低迷時(shí)大舉投資,以此增強(qiáng)其在存儲(chǔ)器領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力,此次再度大舉投資擴(kuò)產(chǎn),或?qū)?dòng)其他NAND閃存廠商的跟進(jìn),再掀NAND閃存的擴(kuò)產(chǎn)浪潮。
2020-06-16 10:07:173960

三星為提高其閃存產(chǎn)量成立特別工作組,提高整個(gè)流程的生產(chǎn)率

三星去年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)128層第六代NAND閃存芯片后,又在兩個(gè)月前宣布將完成160層第七代NAND閃存芯片的開發(fā),目前看來三星已經(jīng)將對(duì)手遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩在身后。
2020-06-18 16:06:512328

NAND閃存芯片有哪些類型

我們都知道,構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存,目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營,今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:528552

TrendForce分析師預(yù)測(cè):今年第四季度硬件價(jià)格將出現(xiàn)下降

隨著全球DRAM和NAND閃存市場(chǎng)繼續(xù)處于供過于的狀態(tài),局勢(shì)逐漸開始趨于穩(wěn)定。這種趨勢(shì)要到今年年底才能改變。TrendForce分析師預(yù)測(cè),今年第四季度硬件價(jià)格將出現(xiàn)兩位數(shù)的下降。
2020-10-19 10:54:491909

存儲(chǔ)芯片開始出現(xiàn)供大于求的現(xiàn)象,相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格也開始出現(xiàn)下降趨勢(shì)

集微網(wǎng)了解到,2020年一季度開始,閃存顆粒、內(nèi)存顆粒上漲幅度約10%—15%。但自下半年后,疫情影響漸消,存儲(chǔ)芯片開始出現(xiàn)供大于求的現(xiàn)象,相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格也開始出現(xiàn)下降趨勢(shì)。
2020-12-04 10:44:433307

三星電子有望首次向其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)投資超過300億美元

據(jù)報(bào)導(dǎo),三星主要的投資對(duì)象為韓國的平澤工廠,該座工廠將部署內(nèi)存和晶圓代工的最先進(jìn)設(shè)備、陸續(xù)擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。中國的西安工廠也將持續(xù)增產(chǎn) NAND閃存(Flash Memory),而正擴(kuò)大廠房用地的美國德州奧斯汀晶圓代工廠也將更新產(chǎn)線。
2021-01-17 10:01:372674

三星電子已經(jīng)開始進(jìn)行巨額半導(dǎo)體投資,總價(jià)值達(dá)317億美元

據(jù)Korea IT News報(bào)道,三星電子已經(jīng)開始進(jìn)行巨額半導(dǎo)體投資,總價(jià)值達(dá)317億美元。該公司最近開始對(duì)其在中國的NAND閃存工廠和在韓國的DRAM工廠進(jìn)行投資。 據(jù)報(bào)道,除NAND閃存
2021-01-29 09:05:242367

三星NAND閃存市場(chǎng)將面臨哪些挑戰(zhàn)?

眾所周知,三星電子在NAND閃存芯片市場(chǎng)上一直保持領(lǐng)先地位,占有30%以上的份額。但是,由于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手開始表現(xiàn)出更好的工藝,它們似乎在挑戰(zhàn)三星的技術(shù)能力。
2021-02-26 15:49:373205

三星:2030年3D NAND將進(jìn)入1000層以上

 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計(jì)劃,預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND,其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:293142

三星或提高512Gb NAND閃存晶圓報(bào)價(jià) 漲幅為15%

據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道,三星提出的512gb nand閃存晶片單價(jià)為1.60美元,比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示,由于上下nand閃存的庫存緩慢,很難說服上調(diào)價(jià)格。
2023-08-02 11:56:241963

三星計(jì)劃暫停平澤工廠部分NAND閃存生產(chǎn)

三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國的平澤、華城和中國的西安。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,三星nand閃存產(chǎn)量可能會(huì)減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業(yè)績中,由于市場(chǎng)持續(xù)低迷,三星電子正式公布了存儲(chǔ)器減產(chǎn)計(jì)劃。
2023-08-16 10:23:581255

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈,三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888

三星將在2024年升級(jí)NAND設(shè)備供應(yīng)鏈

三星業(yè)績近期表現(xiàn)非常差,三星為了增強(qiáng)NAND閃存競(jìng)爭(zhēng)力計(jì)劃在2024年升級(jí)其NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈。
2023-08-30 16:10:02863

三星將削減NAND和DRAM平澤P3晶圓廠投資

 平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報(bào)道,三星原計(jì)劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個(gè)dram和3萬個(gè)nand芯片,但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬個(gè)dram和1萬個(gè)nand芯片。
2023-10-08 11:45:571540

三星西安工廠將引進(jìn)236層NAND芯片生產(chǎn)設(shè)備

 三星決定升級(jí)西安工廠的原因大致有兩個(gè)。第一,在nand閃存市場(chǎng)尚未出現(xiàn)恢復(fù)跡象的情況下,在nand閃存市場(chǎng)保持世界領(lǐng)先地位。受從去年年底開始的it景氣低迷和半導(dǎo)體景氣低迷的影響,三星nand的銷量增加,從而使虧損擴(kuò)大。
2023-10-16 14:36:001975

三星NAND季季漲價(jià)20% 幅度超預(yù)期有利群聯(lián)、威剛等運(yùn)營

 據(jù)多名半導(dǎo)體業(yè)界消息人士稱,三星繼本季度將nand閃存價(jià)格上調(diào)10至20%后,決定明年第一季度和第二季度也分別上調(diào)20%。三星電子正在努力穩(wěn)定nand閃存價(jià)格,試圖在明年上半年逆轉(zhuǎn)市場(chǎng)。
2023-11-02 10:35:011214

三星電子將擴(kuò)大尖端DRAM/NAND產(chǎn)量

Kim Jae-jun補(bǔ)充道:“三星電子將通過維持投資來進(jìn)一步鞏固其在尖端存儲(chǔ)器市場(chǎng)的地位,以確保其中長期競(jìng)爭(zhēng)力。”三星電子負(fù)責(zé)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的DS部門計(jì)劃每年投資47.5萬億韓元的資本支出。
2023-11-03 16:17:571753

三星計(jì)劃NAND閃存芯片每個(gè)季度漲價(jià)20%

三星采取此舉的目的很明確,希望通過此舉逆轉(zhuǎn)整個(gè)閃存市場(chǎng),穩(wěn)定NAND閃存價(jià)格,并實(shí)現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場(chǎng)等目標(biāo)。
2023-11-03 17:21:112284

三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20%

三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價(jià)格過低;在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計(jì)劃與客戶就NAND閃存價(jià)格重新談判,目標(biāo)價(jià)位是漲價(jià)15%—20%。
2024-03-14 15:35:22995

三星即將量產(chǎn)290層V-NAND閃存

據(jù)韓國業(yè)界消息,三星最早將于本月開始量產(chǎn)當(dāng)前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND(3D NAND閃存芯片。
2024-04-17 15:06:591502

三星電子NAND開工率已提高至90%

據(jù)相關(guān)業(yè)內(nèi)人士21日透露,近期三星電子NAND開工率已提高至90%,此前存儲(chǔ)行業(yè)衰退時(shí)三星開工率一度下降至60%。
2024-04-22 15:26:29967

消息稱三星客戶已包下V8-NAND 2025年產(chǎn)能

在人工智能(AI)技術(shù)日新月異的今天,數(shù)據(jù)中心對(duì)大容量固態(tài)硬盤(SSD)的需求呈現(xiàn)出前所未有的增長態(tài)勢(shì)。業(yè)內(nèi)最新消息顯示,由于NAND閃存供應(yīng)可能在下半年出現(xiàn)短缺,三星電子的V8-NAND技術(shù)正成為市場(chǎng)關(guān)注的焦點(diǎn)。
2024-07-01 10:11:121151

三星與鎧俠計(jì)劃減產(chǎn)NAND閃存

近日,據(jù)供應(yīng)鏈消息,三星電子與鎧俠正考慮在第四季度對(duì)NAND閃存進(jìn)行減產(chǎn),并預(yù)計(jì)根據(jù)市場(chǎng)狀況分階段實(shí)施。
2024-10-30 16:18:46970

三星電子將出售中國工廠舊設(shè)備,含西安NAND閃存廠生產(chǎn)線

三星電子即將啟動(dòng)一項(xiàng)計(jì)劃,將其位于中國西安的NAND閃存工廠以及其他前端和后端工藝生產(chǎn)線的舊設(shè)備進(jìn)行銷售。這些設(shè)備原本因美國政府的壓力而積壓,現(xiàn)預(yù)計(jì)將通過中國本土企業(yè)或第方進(jìn)行出售,過程預(yù)計(jì)將于2025年正式展開。
2024-11-06 14:00:041777

三星將出售西安芯片廠舊設(shè)備及產(chǎn)線

三星電子即將啟動(dòng)一項(xiàng)重大舉措,計(jì)劃出售位于中國西安的NAND閃存工廠的舊設(shè)備及產(chǎn)線。這一決定標(biāo)志著三星在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)上的一次重大調(diào)整,預(yù)計(jì)將對(duì)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)產(chǎn)生一定影響。
2024-11-12 14:36:441640

MLC NAND產(chǎn)能或遭削減?三星否認(rèn)停產(chǎn)傳聞

近日,業(yè)界傳出消息,MLC NAND(多層單元閃存)的產(chǎn)能供給將大幅削減,其中三星電子被指將調(diào)整產(chǎn)能。據(jù)市場(chǎng)傳言,三星計(jì)劃在2024年底現(xiàn)貨市場(chǎng)停止銷售MLC NAND,并可能在2025年6月全面
2024-11-20 16:13:301462

三星MLC NAND閃存或面臨停產(chǎn)傳聞

近日,業(yè)界傳出消息稱,三星電子將大幅削減MLC NAND閃存的產(chǎn)能供給,并計(jì)劃在2024年底停止在現(xiàn)貨市場(chǎng)銷售該類產(chǎn)品,而到了2025年6月,MLC NAND閃存可能會(huì)正式停產(chǎn)。這一消息引起了業(yè)界
2024-11-21 14:16:121474

三星削減中國西安NAND閃存產(chǎn)量應(yīng)對(duì)市場(chǎng)變化

近日,三星電子宣布將對(duì)其在中國西安的NAND閃存工廠實(shí)施減產(chǎn)措施,以應(yīng)對(duì)全球NAND市場(chǎng)供過于的現(xiàn)狀及預(yù)期的價(jià)格下滑趨勢(shì)。據(jù)《朝鮮日?qǐng)?bào)》報(bào)道,三星決定將該工廠的晶圓投入量削減超過10%,預(yù)計(jì)每月
2025-01-14 10:08:09852

三星電子削減NAND閃存產(chǎn)量

價(jià)格將出現(xiàn)暴跌。在這樣的市場(chǎng)環(huán)境下,三星電子面臨著巨大的壓力,難以維持過去那種壓倒性的生產(chǎn)力。 據(jù)報(bào)道,SK海力士正在積極增加NAND閃存的供應(yīng)規(guī)模,這無疑加劇了市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。面對(duì)如此激烈的競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境,三星電子不得不重新審視自身的生產(chǎn)策略
2025-01-14 14:21:24867

三星與SK海力士實(shí)施NAND閃存“自然減產(chǎn)”

據(jù)外媒最新報(bào)道,為了應(yīng)對(duì)NAND閃存市場(chǎng)的供應(yīng)過剩問題,三星電子與SK海力士兩大半導(dǎo)體巨頭已悄然采取措施,通過工藝轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)“自然減產(chǎn)”。 據(jù)業(yè)內(nèi)消息透露,自去年年底以來,三星電子和SK海力士正積極
2025-02-12 10:38:13858

三星西安NAND閃存工廠將建第九代產(chǎn)線

近日,據(jù)韓媒報(bào)道,三星位于中國西安的NAND閃存工廠正在加速推進(jìn)技術(shù)升級(jí)與產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃。該工廠在成功將制程從第六代V-NAND(即136層技術(shù))轉(zhuǎn)換至第八代V-NAND(238層技術(shù))的基礎(chǔ)上,年內(nèi)
2025-02-14 13:43:271089

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