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　　EEPROM （Electrically Erasable Programmable read only memory）是指帶電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)芯片。 EEPROM 可以在電腦上或?qū)Ｓ迷O(shè)備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用。

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HOLTEK新推出體脂量測(cè)的BH66F2665 Flash MCU

HOLTEK新推出BH66F2665 Flash MCU，整合體脂量測(cè)、IQ解調(diào)與24-bit Delta Sigma A/D電路

2023-11-17 標(biāo)簽：mcu FlaSh Holtek 2.1k 0

通俗講解EEPROM 和 flash 概念

EEPROM的全稱是“電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memor...

2023-01-13 標(biāo)簽：FlaSh EEPROM 2.1k 0

康盈半導(dǎo)體帶你了解工業(yè)控制行業(yè)對(duì)存儲(chǔ)芯片的要求與應(yīng)用場(chǎng)景

工業(yè)控制行業(yè)市場(chǎng)行情近年來(lái)，全球工業(yè)控制市場(chǎng)呈現(xiàn)穩(wěn)步增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。據(jù)貝哲斯咨詢調(diào)研，預(yù)測(cè)至 2030 年，全球工業(yè)控制市場(chǎng)規(guī)模將會(huì)達(dá)到更高水平，預(yù)測(cè)期間內(nèi)...

2025-05-14 標(biāo)簽：存儲(chǔ)EEPROM 工業(yè)控制 2.1k 0

2線串行EEPROM AiP24C128在機(jī)械臂中的應(yīng)用

EEPROM和FLASH同為存儲(chǔ)芯片，在部分場(chǎng)景，二者會(huì)同時(shí)應(yīng)用到一個(gè)產(chǎn)品中，記錄報(bào)警信息、數(shù)據(jù)保持、模式切換等重要信息，但由于EEPROM的高可靠性、...

2022-06-27 標(biāo)簽：EEPROM 存儲(chǔ)芯片 2k 0

上海貝嶺助力車載存儲(chǔ)芯片應(yīng)用

自上世紀(jì)起，隨著汽車電子技術(shù)的快速發(fā)展，電子控制單元（ECU）逐漸成為汽車的核心組成部分。而后，汽車電子技術(shù)一路向著智能化發(fā)展。智能駕駛、智能座艙、智能...

2023-10-23 標(biāo)簽：汽車電子 EEPROM 車載存儲(chǔ) 2k 0

華虹NEC發(fā)布0.13微米嵌入式EEPROM解決方案

華虹NEC發(fā)布0.13微米嵌入式EEPROM解決方案上海華虹NEC電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱“華虹NEC”）不久前宣布，公司基于0.13微米嵌入式閃存（...

2010-01-12 標(biāo)簽：嵌入式 EEPROM 2k 0

聚辰股份:已擁有A2等級(jí)的全系列汽車級(jí)EEPROM產(chǎn)品

12月5日-7日，2020（第十九屆）中國(guó)企業(yè)領(lǐng)袖年會(huì)在北京舉行，據(jù)新浪財(cái)經(jīng)報(bào)道，在年會(huì)主題論壇：筑牢實(shí)體經(jīng)濟(jì)這個(gè)“大國(guó)根基”環(huán)節(jié)，聚辰股份董事長(zhǎng)陳作濤...

2020-12-07 標(biāo)簽：芯片汽車電子 EEPROM 2k 0

數(shù)據(jù)保存100年！納祥科技國(guó)產(chǎn)EEPROM芯片NX24C02A，兼容替代AT24C02

NAXIANGTECHNOLOGY納祥科技NX24C02AEEPROMEEPROM(ElectricallyErasableProgrammablere...

2024-11-14 標(biāo)簽：芯片存儲(chǔ)器 EEPROM 2k 1

意法半導(dǎo)體Page EEPROM打破數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的玻璃天花板

EEPROM是一項(xiàng)成熟的非易失性存儲(chǔ)（NVM）技術(shù)，其特性對(duì)當(dāng)今尖端應(yīng)用的發(fā)展具有非常重要的意義。意法半導(dǎo)體（ST）是全球EEPROM芯片知名廠商和存儲(chǔ)...

2025-11-17 標(biāo)簽：微控制器存儲(chǔ)器 EEPROM 1.9k 0

可編程邏輯電路設(shè)計(jì)

PLD可編程器件的發(fā)展方向是高密度、高速度、低功耗。隨著PLD的設(shè)計(jì)規(guī)模越來(lái)越大，電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）已經(jīng)成為其主要設(shè)計(jì)手段。

2022-08-22 標(biāo)簽：sram PLD EEPROM 1.9k 0

華虹NEC開發(fā)出嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器模塊(EEPROM/FlashIP)

上海華虹NEC電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱“華虹NEC”)今天宣布，基于公司成熟的0.13微米SONOS嵌入式存儲(chǔ)器工藝平臺(tái)，已成功地開發(fā)出了具有超高可靠性...

2012-02-03 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器華虹NEC EEPROM 1.8k 0

HOLTEK新推出BS84D20CA Touch A/D MCU

Holtek Touch A/D Flash MCU系列新增BS84D20CA成員，延續(xù)優(yōu)良抗干擾特性，擴(kuò)充豐富的系統(tǒng)資源，提供8×8 LED cont...

2024-04-19 標(biāo)簽：mcu Holtek EEPROM 1.8k 0

EEPROM芯片市場(chǎng)應(yīng)用與出貨量分析（截至2025年數(shù)據(jù)）

2025-03-03 標(biāo)簽：芯片 EEPROM 1.8k 0

X-FAB在180nm BCD-on-SOI平臺(tái)上新增非易失性存儲(chǔ)器功能

　基于公司成熟的SONOS技術(shù)，新增的Flash和EEPROM為汽車，醫(yī)療和工業(yè)領(lǐng)域帶來(lái)了許多新的可能性。

2019-10-18 標(biāo)簽：FlaSh EEPROM 非易失性存儲(chǔ)器 1.8k 0

DS28E07 1024位1-Wire EEPROM技術(shù)手冊(cè)

DS28E07是一款1024位、單線EEPROM芯片，分為四個(gè)存儲(chǔ)器頁(yè)面，每個(gè)頁(yè)面256位。數(shù)據(jù)寫入一個(gè)8字節(jié)的暫存區(qū)，經(jīng)過驗(yàn)證，然后復(fù)制到EEPROM...

2025-02-26 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 EEPROM 1.7k 0

PIC:讀寫24LCxx系列的EEPROM的實(shí)例C語(yǔ)言程序

PIC:讀寫24LCxx系列的EEPROM的實(shí)例C語(yǔ)言程序 //*******************************************...

2009-01-16 標(biāo)簽：EEPROM 1.7k 0

多CPU系統(tǒng)共享串行EEPROM

多CPU系統(tǒng)共享串行EEPROM 三個(gè)CPU共享SPI EEPROM 93C46。為了編程方便，三個(gè)CPU的P1.0-P1.3都依次連接93C46的C...

2008-12-13 標(biāo)簽：EEPROM 1.7k 0

雙路數(shù)字多相控制器MP2965GQK介紹

芯片燒錄行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者-昂科技術(shù)近日發(fā)布最新的燒錄軟件更新及新增支持的芯片型號(hào)列表，其中MPS芯源半導(dǎo)體的雙路數(shù)字多相控制器MP2965GQK已經(jīng)被昂科的通...

2023-12-05 標(biāo)簽：控制器 EEPROM MPS 1.7k 0

EVASH Ultra EEPROM：助力ChatGPT等AI應(yīng)用的嵌入式存儲(chǔ)解決方案

2024-06-26 標(biāo)簽：EEPROM AI Ultra 1.7k 0

存儲(chǔ)芯片商普冉股份沖刺科創(chuàng)板 NOR Flash爆發(fā)式增長(zhǎng)

科創(chuàng)板芯版圖或再添一位新軍。近日，上交所受理了普冉半導(dǎo)體（上海）股份有限公司（以下稱普冉股份）的科創(chuàng)板申請(qǐng)。普冉股份主營(yíng)業(yè)務(wù)為非易失性存儲(chǔ)器芯片的設(shè)計(jì)...

2020-08-13 標(biāo)簽：閃存 NAND EEPROM 1.7k 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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