應(yīng)用范圍，讓用戶可以借助這一工具檢查不想要的襯底耦合效應(yīng)。作為全球首家為BCD-on-SOI工藝提供此類分析功能的代工廠，X-FAB將這一最初面向XH018和XP018 180nm?Bulk CMOS工藝
2022-04-21 17:37:24
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宣布，與專注多光譜成像技術(shù)研發(fā)的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司Spectricity攜手，推出獨(dú)特成像解決方案。來自Spectricity的專有光譜成像技術(shù)已部署在X-FAB工藝平臺(tái)的量產(chǎn)設(shè)備中；此舉將首次實(shí)現(xiàn)移動(dòng)
2022-06-29 14:33:231546 
目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)有望成為未來幾年的參考技術(shù)。但是，閃存本身固有的技術(shù)和物理局限性使其很難再縮小技術(shù)節(jié)點(diǎn)。在這種環(huán)境下，業(yè)界試圖利用新材料和新概念發(fā)明一種更好
2017-12-18 10:02:216033 
的RF平臺(tái)獲益?，F(xiàn)已證明，借助EMX?Solver對(duì)X-FAB參考設(shè)計(jì)中的低噪聲放大器、射頻開關(guān)、濾波器和無源元件進(jìn)行驗(yàn)證，可以在極短的時(shí)間內(nèi)得出高精度的結(jié)果。 ? ? Cadence EMX Solver中
2022-05-26 14:49:063195 
存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器兩類，前者在掉電后會(huì)失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲(chǔ)器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:022740 
今日消息，作為全球領(lǐng)先的晶圓大廠X-FAB遭受病毒攻擊，將暫時(shí)關(guān)閉旗下6座晶圓廠，全球半導(dǎo)體晶圓制造產(chǎn)業(yè)恐受沖擊。
2020-07-08 18:54:304028 X-FAB專有的XSTI嵌入式非易失性存儲(chǔ)器（NVM）IP測(cè)試接口也已包括在內(nèi)，以達(dá)成對(duì)存儲(chǔ)器的完全串行接駁。
2021-04-15 10:58:563099 的180nm CMOS半導(dǎo)體工藝平臺(tái)——XS018上，現(xiàn)推出四款新型高性能光電二極管。豐富了光電傳感器的產(chǎn)品選擇，強(qiáng)化了X-FAB廣泛的產(chǎn)品組合。 ? 2×2光電二極管排列布局示例圖 ? 此次推出的四款
2024-10-11 14:25:221670 
Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布一項(xiàng)非易失性存儲(chǔ)領(lǐng)域的重大創(chuàng)新。該創(chuàng)新利用X-FAB同類最佳的SONOS技術(shù)：基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節(jié)點(diǎn)
2024-12-06 14:46:091303 在Intel PXA27X平臺(tái)上如何去實(shí)現(xiàn)MPEG-4視頻編碼的功能？
2021-06-03 06:15:32
紫外線)、EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM：電可擦除可編程ROM)。以上是大家在各種教材上看到的存儲(chǔ)器的分類。問題是，ROM明明叫只讀存儲(chǔ)器
2012-01-06 22:58:43
1. 存儲(chǔ)器理解存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分，存儲(chǔ)器是用來存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)的部件，有了存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能。按照存儲(chǔ)介質(zhì)的特性，可以分“易失性存儲(chǔ)器”和“非易失性存儲(chǔ)器”兩類，易失和非易
2021-07-16 07:55:26
） 這種存儲(chǔ)器是在EPROM和EEPROM的制造基礎(chǔ)上產(chǎn)生的一種非易失性存儲(chǔ)器。其集成度高，制造成本低于DRAM，既具有SRAM讀寫的靈活性和較快的訪問速度，又具有ROM在斷電后可不丟失信息的特點(diǎn)
2017-12-21 17:10:53
） 這種存儲(chǔ)器是在EPROM和EEPROM的制造基礎(chǔ)上產(chǎn)生的一種非易失性存儲(chǔ)器。其集成度高，制造成本低于DRAM，既具有SRAM讀寫的靈活性和較快的訪問速度，又具有ROM在斷電后可不丟失信息的特點(diǎn)，所以
2017-10-24 14:31:49
所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲(chǔ)信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器；所謂易失性存儲(chǔ)器是指設(shè)備掉電，存儲(chǔ)的信息自動(dòng)清除，而非易失性存儲(chǔ)器具有存儲(chǔ)時(shí)間長的功能。易失性存儲(chǔ)器主要指
2021-12-10 06:54:11
本篇文章介紹的是非易失性存儲(chǔ)器EEPROM與內(nèi)存Flash消耗能量計(jì)算。
2020-12-31 06:11:04
FM33256B-G器件將FRAM存儲(chǔ)器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲(chǔ)器，實(shí)時(shí)時(shí)鐘，低VDD復(fù)位，看門狗定時(shí)器，非易失性事件計(jì)數(shù)器，可鎖定的64位序列號(hào)區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11
存儲(chǔ)設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
非易失性存儲(chǔ)器平衡方法
2021-01-07 07:26:13
非易失性存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及應(yīng)用介紹
2012-08-20 12:54:28
EVERSPIN非易失性存儲(chǔ)器嵌入式技術(shù)
2020-12-21 07:04:49
該板上檢測(cè)到NLP。我嘗試在重置線上電后重置PHY，但這沒有用。顯然，我的PHY配置有問題，但由于Ido沒有PHY的數(shù)據(jù)表，我不知道如何重新配置??它甚至測(cè)試其當(dāng)前配置。 PHY是否將配置數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器中？寄存器中有一點(diǎn)需要改變嗎？部件是否完全壞了？
2019-08-27 07:45:17
我有一臺(tái) TC375，正在開發(fā)工作室進(jìn)行編程。 我的軟件有一個(gè)控制系統(tǒng)，它使用一組我可以調(diào)整的參數(shù)。 這些參數(shù)設(shè)置為全局變量。 一旦我對(duì)它們進(jìn)行了調(diào)整，控制器復(fù)位后就無法保持它們的值。 是否有辦法使用閃存編程示例，用新值更新 Pflash 或 Dflash 中的地址，使其存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器中？
2024-05-31 06:40:33
如何在啟動(dòng)軟件時(shí)將信息存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器中，以便在 COLD PORST 之后恢復(fù)？
2024-05-21 07:55:53
，并且它還表示在BTXXTALYSTRAP0SP0和BTXXTALYSTRAPHL1上的1的值使得CYW20706／07能夠讀取來自非易失性存儲(chǔ)器。問題：你能幫助我理解如何將XTAL頻率信息存儲(chǔ)到
2018-11-15 15:55:17
常用存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的種類RAM存儲(chǔ)器非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的種類易失性存儲(chǔ)器： 掉電數(shù)據(jù)會(huì)丟失讀寫速度較快內(nèi)存非易失性存儲(chǔ)器：掉電數(shù)據(jù)不會(huì)丟失讀寫速度較慢機(jī)械硬盤RAM存儲(chǔ)器RAM是“Random
2021-12-10 07:09:20
汽車系統(tǒng)的設(shè)計(jì)變得越來越復(fù)雜，因?yàn)橐粩嗟募尤胄碌?b class="flag-6" style="color: red">功能，如高級(jí)駕駛輔助，圖形儀表，車身控制和車輛信息娛樂系統(tǒng)。為了確?？煽俊踩牟僮?，每個(gè)子系統(tǒng)均需要使用特定的非易失性存儲(chǔ)器，以便在復(fù)位操作和電源
2019-07-23 06:15:10
具有記憶功能。按照存儲(chǔ)介質(zhì)的特性，可以分“易失性存儲(chǔ)器”和“非易失性存儲(chǔ)器”兩類。易失性存儲(chǔ)器斷電后，里面存儲(chǔ)
2022-02-11 07:51:30
S25FS128SDSNFI100，MirrorBit?閃存非易失性存儲(chǔ)器 1.8 V帶CMOS I/O的單電源 具有多I/O的串行外圍接口
2023-02-07 14:23:17
德國英飛凌(Infineon Technologies AG)正在與X-Fab Semiconductor Foundries AG商談出售其150毫米晶圓廠的計(jì)劃。德國X-Fab公司是一家晶圓代工廠商，英飛凌正在尋求出
2006-03-13 13:07:59367 【賽迪網(wǎng)訊】8月24日消息，德國金融時(shí)報(bào)報(bào)道稱，歐洲最大的芯片制造商英飛凌有意將其位于慕尼黑別拉奇(Munich Perlach)的芯片生產(chǎn)廠出售給同業(yè)X-Fab，
2006-03-13 13:08:31772 摘 要： 本文簡(jiǎn)單介紹了鐵電存儲(chǔ)器、磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器和相變存儲(chǔ)器這三種比較有發(fā)展?jié)摿?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器的原理、研究進(jìn)展及存在的問題等。引言 更高密度、更大帶寬、更
2006-03-24 13:32:182972 
面向納電子時(shí)代的非易失性存儲(chǔ)器
摘要
目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)有望成為未來幾年的參考技術(shù)。但是，閃存本身固有的
2009-12-25 09:37:28840 X-FAB推出單塊嵌入式NVRAM作為專業(yè)晶圓代工解決方案
業(yè)界領(lǐng)先的模擬/混合信號(hào)晶圓廠以及“超越摩爾定律”技術(shù)的專家，X-FAB Silicon Foundries，今天成為第一家也是唯一
2010-03-05 11:43:451460 非易失性存儲(chǔ)器的可配置性
隨著消費(fèi)者要求新產(chǎn)品定期增加功能或提高應(yīng)用靈活性，開發(fā)人員對(duì)修改系統(tǒng)應(yīng)用功能的快捷性和簡(jiǎn)便性要求越來越高
2010-05-12 09:56:061235 
德州儀器(TI)推出的TPS79918低壓差(LDO)線性調(diào)節(jié)器為新的Intel StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器(P30) 提供了所需性能。英特爾公司正從它的第三代180nm StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器(J30)轉(zhuǎn)向它的第四代130
2010-07-13 10:03:26825 
本文對(duì)目前幾種比較有競(jìng)爭(zhēng)力和發(fā)展?jié)摿Φ男滦?b class="flag-6" style="color: red">非易失性存儲(chǔ)器做了一個(gè)簡(jiǎn)單的介紹。
鐵電存儲(chǔ)器(FeRAM)
鐵電存儲(chǔ)器是一種在斷電時(shí)不會(huì)丟失內(nèi)容的非易
2010-08-31 10:50:592835 
Synopsys, Inc.宣布：即日起推出面向多種180納米工藝技術(shù)的DesignWare? AEON?非易失性存儲(chǔ)器(NVM)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)。
2011-06-29 09:04:281353 “非易失性存儲(chǔ)器”作為新一代國際公認(rèn)存儲(chǔ)技術(shù)，越來越受到世界各國高度重視。從7日在滬召開的第十一屆非易失性存儲(chǔ)器國際研討會(huì)上獲悉，上海在這一領(lǐng)域的研究已躋身國際先進(jìn)
2011-11-08 09:16:591093 Ramtron宣布推出世界上最低功耗的非易失性存儲(chǔ)器。該16 kb器件的型號(hào)為FM25P16，是業(yè)界功耗最低的非易失性存儲(chǔ)器，為對(duì)功耗敏感的系統(tǒng)設(shè)計(jì)開創(chuàng)了全新的機(jī)遇.
2012-02-07 09:00:551596 X-FAB Silicon Foundries 日前推出全新的 XT018 制程，這是180奈米200V MOS的獨(dú)立溝槽電介質(zhì)（SOI）代工制程。
2012-11-28 10:04:091980 X-FAB 24日宣布針對(duì)高性能模擬應(yīng)用設(shè)計(jì)，加強(qiáng)XP018工藝多樣性同時(shí)降低芯片的生產(chǎn)成本。音頻、傳感器界面與5V電源管理，對(duì)于成本敏感的消費(fèi)應(yīng)用與需要180nm技術(shù)模擬集成是理想的選擇。
2013-06-25 10:52:141032 艾邁斯半導(dǎo)體晶圓代工事業(yè)部總經(jīng)理Markus Wuchse表示：“在我們的奧地利工廠中啟用aC18技術(shù)對(duì)我們來說是一項(xiàng)里程碑?；谖覀?b class="flag-6" style="color: red">在350nm制程中的成功實(shí)踐，新款hitkit設(shè)計(jì)套件使艾邁斯半導(dǎo)體可以為晶圓代工客戶快速提供基于180nm制程的復(fù)雜的模擬半導(dǎo)體產(chǎn)品原型以及高質(zhì)量的量產(chǎn)產(chǎn)品。”
2016-07-21 08:51:552707 汽車系統(tǒng)的設(shè)計(jì)變得越來越復(fù)雜，因?yàn)橐粩嗟募尤胄碌?b class="flag-6" style="color: red">功能，如高級(jí)駕駛輔助，圖形儀表，車身控制和車輛信息娛樂系統(tǒng)。為了確保可靠、安全的操作，每個(gè)子系統(tǒng)均需要使用特定的非易失性存儲(chǔ)器，以便在復(fù)位操作和電源切換期間存儲(chǔ)信息。
2018-04-29 11:02:009047 
關(guān)鍵詞：180nm , CMOS工藝技術(shù) , Synopsys , 非易失性存儲(chǔ)器IP , 可重編程 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、驗(yàn)證和制造軟件及知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商新思科技有限公司（Synopsys
2018-10-14 17:36:01845 非易失性存儲(chǔ)器是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失者的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
2018-12-23 13:31:0012754 非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時(shí)候數(shù)據(jù)不會(huì)丟失的技術(shù)。非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)得到了快速發(fā)展，非易失性存儲(chǔ)器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。
2019-01-23 11:33:4118301 非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時(shí)候數(shù)據(jù)不會(huì)丟失的技術(shù)。非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)得到了快速發(fā)展，非易失性存儲(chǔ)器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。
2019-04-07 14:33:009495 全球領(lǐng)先的模擬/混合信號(hào)代工廠商X-FAB Silicon Foundries，今天宣布推出針對(duì)不斷增長的48V汽車電源系統(tǒng)（48V board net）和電池管理系統(tǒng)芯片市場(chǎng)的新型高壓器件。
2019-07-11 17:46:333226 X-FAB針對(duì)可攜式模擬應(yīng)用提供180nm優(yōu)化的工藝。XP018工藝的多樣選擇以降低芯片的成本。這些選項(xiàng)是成本敏感的消費(fèi)性應(yīng)用與需要180nm技術(shù)、模擬集成的理想選擇。
2019-10-14 17:17:161433 X-FAB針對(duì)可攜式模擬應(yīng)用提供180nm優(yōu)化的工藝。XP018工藝的多樣選擇以降低芯片的成本。這些選項(xiàng)是成本敏感的消費(fèi)性應(yīng)用與需要180nm技術(shù)、模擬集成的理想選擇。
2019-12-26 15:29:451309 據(jù)外媒報(bào)道稱，GlobalFoundries（格芯）今天宣布已經(jīng)完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技術(shù)開發(fā)，而這項(xiàng)技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲(chǔ)器（eMRAM）。
2020-02-28 11:24:282970 據(jù)外媒報(bào)道稱，美國半導(dǎo)體晶圓代工廠商GlobalFoundries（格芯）宣布已經(jīng)完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技術(shù)開發(fā)，而這項(xiàng)技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲(chǔ)器（eMRAM）。
2020-03-03 15:57:27725 近日，格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工藝平臺(tái)，新型存儲(chǔ)器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存儲(chǔ)器）已投入生產(chǎn)。
2020-03-11 10:54:371159 新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)主要有五種類型：閃存（Flash），鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FeRAM），磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM），相變存儲(chǔ)器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:312446 良好的設(shè)計(jì)是成功制造非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品的重要關(guān)鍵，包括測(cè)試和驗(yàn)證設(shè)備性能以及在制造后一次在晶圓和設(shè)備級(jí)別進(jìn)行質(zhì)量控制測(cè)試。新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的制造和測(cè)試，這些技術(shù)將支持物聯(lián)網(wǎng)，人工智能以及先進(jìn)
2020-06-09 13:46:161487 
X-FAB是全球領(lǐng)先的模擬/混合信號(hào)和MEMS代工廠之一。該公司的模塊化CMOS和SOI工藝處理尺寸涵蓋1.0 μm ~ 0.13 μm，同時(shí)SiC（碳化硅）和MEMS工藝也名列前茅。X-FAB在德國、法國、馬來西亞和美國共擁有六個(gè)生產(chǎn)基地，全球員工約3800名。
2020-06-20 09:47:444178 X-FAB射頻技術(shù)總監(jiān)Greg U‘Ren博士補(bǔ)充道：“與Attopsemi的緊密合作為我們的客戶使用XR013創(chuàng)造了一個(gè)高性價(jià)比的OTP存儲(chǔ)器解決方案，這將對(duì)我們的客戶增加其片上功能起到關(guān)鍵作用，為他們進(jìn)一步創(chuàng)新打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)，并使不同地理位置的要求得到關(guān)注。”
2020-10-14 17:29:253319 SRAM為數(shù)據(jù)訪問和存儲(chǔ)提供了一個(gè)快速且可靠的手段。由系統(tǒng)電源或其他備用電源（如電池）供電時(shí)，他們就具有非易失性。表1給出了幾種給定的非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)。 表1非易失性存儲(chǔ)器比較
2020-10-23 14:36:122146 
MKW Ventures的Mark Webb表示，在接下來的十年中，兩種新興的非易失性存儲(chǔ)器類型（相變存儲(chǔ)器和磁RAM）將在獨(dú)立存儲(chǔ)器中處于領(lǐng)先地位。
2020-11-24 15:29:163440 非易失性存儲(chǔ)器X24C44中文數(shù)據(jù)手冊(cè)分享。
2021-04-14 10:20:48
9 非易失性存儲(chǔ)器X24C45中文數(shù)據(jù)手冊(cè)分享。
2021-04-14 10:30:0918 AD5235：非易失性存儲(chǔ)器，雙1024位數(shù)字電位器數(shù)據(jù)表
2021-04-14 10:42:5318 AN-579：使用帶非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)字電位器的多功能可編程放大器
2021-04-25 20:34:3712 AD5232非易失性存儲(chǔ)器數(shù)字電位器評(píng)估板用戶手冊(cè)
2021-05-17 13:58:377 FM33256B-G器件將FRAM存儲(chǔ)器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲(chǔ)器，實(shí)時(shí)時(shí)鐘，低VDD復(fù)位，看門狗定時(shí)器，非易失性事件計(jì)數(shù)器，可鎖定的64位序列號(hào)區(qū)域以及可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。
2021-05-17 16:43:531358 
AD5231：非易失性存儲(chǔ)器，1024位數(shù)字電位器數(shù)據(jù)表
2021-05-18 17:02:055 AD5255：帶非易失性存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)表的3通道數(shù)字電位器
2021-05-18 19:29:469 非易失性存儲(chǔ)器S25FL512S手冊(cè)免費(fèi)下載。
2021-06-10 09:46:243 FM25V02A是使用高級(jí)鐵電工藝的256Kbit非易失性存儲(chǔ)器。FRAM是非易失性的；與RAM相同，它能夠執(zhí)行讀和寫操作。它提供151年的可靠數(shù)據(jù)保留時(shí)間，并解決了由串行閃存、EEPROM和其他非易失性存儲(chǔ)器造成的復(fù)雜性、開銷和系統(tǒng)級(jí)可靠性的問題。賽普拉斯代理英尚微電子提供技術(shù)相關(guān)支持。
2021-07-27 15:23:083324 PLC系統(tǒng)存儲(chǔ)器與用戶存儲(chǔ)器的功能(嵌入式開發(fā)板有哪些功能接口)-該文檔為PLC系統(tǒng)存儲(chǔ)器與用戶存儲(chǔ)器的功能總結(jié)文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………
2021-08-04 09:47:1012 模擬晶圓代工龍頭企業(yè)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）和國產(chǎn)SiC功率器件供應(yīng)商派恩杰聯(lián)合對(duì)外宣布，雙方就批量生產(chǎn)SiC晶圓建立長期戰(zhàn)略合作關(guān)系，此前雙方已經(jīng)合作近三年時(shí)間。
2021-09-07 10:06:421825 所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲(chǔ)信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器；所謂易失性存儲(chǔ)器是指設(shè)備掉電，存儲(chǔ)的信息自動(dòng)清除，而非易失性存儲(chǔ)器具有存儲(chǔ)時(shí)間長的功能。易失性存儲(chǔ)器主要指RAM，而RAM分為動(dòng)態(tài)RAM（
2021-11-26 19:36:0437 什么是FRAM？ FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是一種非易失性存儲(chǔ)器，它使用鐵電薄膜作為電容器來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FRAM兼具ROM（只讀存儲(chǔ)器）和RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的特性，具有寫入速度更快、讀/寫
2022-03-02 17:18:361780 應(yīng)用范圍，讓用戶可以借助這一工具檢查不想要的襯底耦合效應(yīng)。作為全球首家為BCD-on-SOI工藝提供此類分析功能的代工廠，X-FAB將這一最初面向XH018和XP018 180nm Bulk CMOS工藝
2022-04-22 15:39:39850 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MCU片內(nèi)非易失性存儲(chǔ)器操作應(yīng)用筆記.zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-22 10:00:540 DRAM屬于易失性存儲(chǔ)器，也就是大家常說的內(nèi)存。今天，我們?cè)賮砜纯窗雽?dǎo)體存儲(chǔ)的另一個(gè)重要領(lǐng)域，也就是非易失性存儲(chǔ)器（也就是大家熟悉的閃存卡、U盤、SSD硬盤等）。
2022-10-13 09:24:132886 的哈佛機(jī)器。MAXQ器件包含實(shí)現(xiàn)偽馮諾依曼架構(gòu)的硬件，允許方便地訪問代碼空間作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。這種額外的多功能性，結(jié)合MAXQ提供存儲(chǔ)器寫和擦除服務(wù)的實(shí)用功能，為完整的讀寫、非易失性存儲(chǔ)器子系統(tǒng)提供了背景。
2023-03-03 14:48:481335 
Foundries（“X-FAB”）今日宣布，正在開展photonixFAB項(xiàng)目---該項(xiàng)目旨在為中小企業(yè)和大型實(shí)體機(jī)構(gòu)在光電子領(lǐng)域的創(chuàng)新賦能，使其能夠輕松獲得具有磷化銦（InP）和鈮酸鋰（LNO）異質(zhì)
2023-06-19 15:54:251531 
ROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在斷電后依然存在，不會(huì)丟失，因此也被稱為非易失性存儲(chǔ)器。而RAM是易失性存儲(chǔ)器，當(dāng)斷電時(shí)，其中的數(shù)據(jù)將會(huì)丟失。
2023-06-20 16:38:445292 Flash存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器，即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。
2023-09-09 16:22:288172 X-FAB Silicon Foundries SE正在以進(jìn)一步實(shí)質(zhì)性的方式推進(jìn)其電流隔離技術(shù)。X-FAB在2018年推出的突破性工藝的基礎(chǔ)上，該工藝專為彈性分立電容或電感耦合器而設(shè)計(jì)，現(xiàn)在可用
2023-11-07 16:02:341336 。與2021年推出的上一代SPAD一樣，這款近紅外SPAD也基于X-FAB的180 nm XH018工藝。通過在制造工藝中增加額外的步驟顯著增強(qiáng)了信號(hào)，同時(shí)仍然保持相同的低本底噪聲，且不會(huì)對(duì)暗計(jì)數(shù)率、寄生脈沖
2023-11-20 09:11:531882 x-fab推出了最新版本的產(chǎn)品，擴(kuò)大了spad產(chǎn)品的選擇范圍，提高了解決近紅外線功能重要的新應(yīng)用領(lǐng)域的能力。這些新應(yīng)用包括飛行時(shí)間感知、車輛lidar影像、生物光學(xué)和flim研究工作以及醫(yī)療領(lǐng)域的各種相關(guān)活動(dòng)。
2023-11-21 10:47:261812 模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries公司宣布，新增集成無源器件（IPD）制造能力，最新推出XIPD工藝，進(jìn)一步增強(qiáng)其在射頻領(lǐng)域的廣泛實(shí)力。
2023-11-21 17:03:001505 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)字電位器的多功能可編程放大器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-24 16:04:350 X-FAB向醫(yī)療、汽車和工業(yè)客戶展示結(jié)合了更高靈敏度、更大像素尺寸和更大傳感面積的代工路線。
2024-04-09 09:19:051533 
全球知名的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries宣布了一項(xiàng)重要更新。公司對(duì)其XP018高壓CMOS半導(dǎo)體制造平臺(tái)進(jìn)行了全面升級(jí)，推出了全新的40V和60V高壓基礎(chǔ)器件。
2024-05-23 10:38:091210 來源：《半導(dǎo)體芯科技》雜志 模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries宣布，其光學(xué)傳感器產(chǎn)品平臺(tái)再添新成員——為滿足新一代圖像傳感器性能的要求，X-FAB現(xiàn)已在其備受
2024-05-29 16:27:11906 近日，純晶圓代工廠X-Fab與Soitec宣布將開展深度合作，共同推動(dòng)碳化硅（SiC）功率器件的生產(chǎn)。此次合作將依托X-Fab位于德克薩斯州拉伯克的工廠，利用Soitec的SmartSiC技術(shù)生產(chǎn)碳化硅功率器件。
2024-05-30 11:39:201194 非易失性存儲(chǔ)器（Non-Volatile Memory, NVM）是指即使在電源關(guān)閉或失去外部電源的情況下，仍能保持存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器。這類存儲(chǔ)器在數(shù)據(jù)保存方面具有重要的應(yīng)用價(jià)值，特別是在需要長時(shí)間保持?jǐn)?shù)據(jù)完整性的場(chǎng)合。
2024-09-10 14:44:453519 全球領(lǐng)先的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（簡(jiǎn)稱“X-FAB”）宣布，在其專為光學(xué)傳感器優(yōu)化的180nm CMOS半導(dǎo)體工藝平臺(tái)XS018上，成功推出了四款新型
2024-10-11 17:27:021765 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用SD Flash為TMS320C28x器件編程外部非易失性存儲(chǔ)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-10-15 11:48:560 ? 非易失性存儲(chǔ)器是一種應(yīng)用于計(jì)算機(jī)及智能手機(jī)等設(shè)備中的存儲(chǔ)裝置（存儲(chǔ)器），其特點(diǎn)是在沒有外部電源的情況下仍能保存數(shù)據(jù)信息。本文將介紹非易失性存儲(chǔ)器的類型、特點(diǎn)及用途。 什么是非易失性存儲(chǔ)器
2025-02-13 12:42:142471 
非易失性存儲(chǔ)器（NVM）芯片廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備中，從智能手機(jī)、個(gè)人電腦到服務(wù)器和工業(yè)控制系統(tǒng)，都是不可或缺的關(guān)鍵組件，它們不僅提高了數(shù)據(jù)的安全性和可靠性，還極大地增強(qiáng)了系統(tǒng)的整體性能。此外，為了滿足
2025-04-10 14:02:241340
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