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EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來(lái)是預(yù)計(jì)在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過去了,EUV已經(jīng)遇到了一些延遲,將技術(shù)從一個(gè)節(jié)點(diǎn)推向下一個(gè)階段,本單元詳細(xì)介紹了EUV光刻機(jī),EUV光刻機(jī)技術(shù)的技術(shù)應(yīng)用,EUV光刻機(jī)的技術(shù)、市場(chǎng)問題,國(guó)產(chǎn)euv光刻機(jī)發(fā)展等內(nèi)容。

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euv資訊

三星開始批量生產(chǎn)6納米芯片,縮小與臺(tái)積電差距

三星于去年4月向全球客戶提供7納米產(chǎn)品,自開始大規(guī)模生產(chǎn)7納米產(chǎn)品以來(lái),三星僅在八個(gè)月內(nèi)就推出了6納米產(chǎn)品。三星的微加工工藝技術(shù)升級(jí)周期正在縮短,特別是...

2020-01-06 標(biāo)簽:三星電子臺(tái)積電euv 3.7k 0

三星3納米芯片面積比5納米縮小35%以上

三星電子副會(huì)長(zhǎng)李在镕近日參觀正在開發(fā)“全球第一個(gè)3納米級(jí)半導(dǎo)體工藝”的韓國(guó)京畿道華城半導(dǎo)體工廠,并聽取了關(guān)于3納米工藝技術(shù)的報(bào)告,他還與三星電子半導(dǎo)體部...

2020-01-06 標(biāo)簽:三星電子euv 5.1k 0

今年臺(tái)半導(dǎo)體股表現(xiàn)亮眼,家登狂漲5.5倍奪冠

2019年31日臺(tái)股封關(guān),半導(dǎo)體業(yè)股價(jià)年度漲幅冠軍由設(shè)備商家登精密拿下,1年來(lái)股價(jià)大漲448.74%,而射頻IC廠立積、LED驅(qū)動(dòng)IC廠凱鈺、ASIC設(shè)...

2019-12-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體臺(tái)積電euv 3.5k 0

光刻成為摩爾定律的前沿 制造工藝成主要瓶頸

光刻成為摩爾定律的前沿 制造工藝成主要瓶頸

十多年來(lái),半導(dǎo)體制造行業(yè)一方面一直在期待EUV能夠拯救摩爾定律,但另一方面又擔(dān)心該技術(shù)永遠(yuǎn)都不會(huì)出現(xiàn)。不過最終,它還是來(lái)了,而且不久便將投入使用。

2020-01-26 標(biāo)簽:摩爾定律光刻EUV 4.3k 0

ASML下一代EUV光刻機(jī)堪稱史上最貴半導(dǎo)體設(shè)備 一臺(tái)就是12億元人民幣

截至目前,華為麒麟990 5G是唯一應(yīng)用了EUV極紫外光刻的商用芯片,臺(tái)積電7nm EUV工藝制造,而高通剛發(fā)布的驍龍765/驍龍765G則使用了三星的...

2019-12-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體EUVASML 1.7萬(wàn) 0

AMSL:截止2019年,EUV設(shè)備加工了450萬(wàn)片晶圓

ASML在IEDM 2019大會(huì)上披露,截至2019年,總共已經(jīng)使用EUV設(shè)備處理了450萬(wàn)片晶圓。該公司最新的NXE:3400C系統(tǒng)每小時(shí)可生產(chǎn)170...

2019-12-17 標(biāo)簽:晶圓EUVAMSL 6.2k 0

臺(tái)積電客戶訂單最多,將在2024年量產(chǎn)2nm工藝

隨著高通驍龍865使用臺(tái)積電N7+工藝量產(chǎn),臺(tái)積電的7nm工藝又多了一個(gè)大客戶,盡管三星也搶走了一部分7nm EUV訂單,不過整體來(lái)看臺(tái)積電在7nm節(jié)點(diǎn)...

2019-12-11 標(biāo)簽:臺(tái)積電euv 3.9k 0

ASML將蟬聯(lián)龍頭寶座至明年 國(guó)產(chǎn)設(shè)備企業(yè)將如何尋求突破

近日,業(yè)內(nèi)人士羅伯特·卡斯特拉諾預(yù)測(cè),全球半導(dǎo)體設(shè)備龍頭應(yīng)用材料公司2019年有可能失去其蟬聯(lián)多年的龍頭寶座,讓位給光刻機(jī)大廠荷蘭阿斯麥(ASML)公司...

2019-12-11 標(biāo)簽:EUVASML 2.7k 0

英特爾未來(lái)十年制造工藝路線圖發(fā)布,1.4納米2029年推出

英特爾預(yù)計(jì)其制造工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)將保持2年一飛躍的節(jié)奏,從2019年的10納米工藝開始,到2021年轉(zhuǎn)向7納米EUV(極紫外光刻),然后在2023年采用5納...

2019-12-11 標(biāo)簽:英特爾euv 4k 0

中芯國(guó)際與ASML光刻機(jī)問題解決,開始進(jìn)入光刻階段

在半導(dǎo)體工藝進(jìn)入 10nm 節(jié)點(diǎn)之后,制造越來(lái)越困難,其中最復(fù)雜的一步——光刻需要用到 EUV 光刻機(jī)了,而后者目前只有荷蘭 ASML 阿斯麥公司才能供應(yīng)。

2019-12-10 標(biāo)簽:中芯國(guó)際euv 8.2k 0

中芯國(guó)際澄清:董事長(zhǎng)周子學(xué)從未提及光刻機(jī)斷供問題

日前,有韓國(guó)媒體稱,中芯國(guó)際董事長(zhǎng)周子學(xué)在韓國(guó)訪問時(shí)表示,已經(jīng)解決了與ASML之間就光刻機(jī)供應(yīng)的問題。對(duì)此中芯國(guó)際表示,韓媒發(fā)布的涉EUV報(bào)道不實(shí),中芯...

2019-12-10 標(biāo)簽:中芯國(guó)際光刻機(jī)EUV 5.5k 0

日本首次批準(zhǔn)了向韓國(guó)出口EUV光刻膠

盡管三星方面沒有透露具體的公司名字,但出售EUV光刻膠的應(yīng)該是日本JSR公司與比利時(shí)微電子中心IMEC合作成立的公司,2016年成立,主要由JSR比利時(shí)...

2019-12-09 標(biāo)簽:三星電子EUV光刻膠 3.5k 0

臺(tái)積電或在2022年開始3nm工藝的規(guī)模量產(chǎn) 比原定計(jì)劃提前一年

雖然半導(dǎo)體工藝提升越來(lái)越困難,但是被譽(yù)為天字一號(hào)代工廠的臺(tái)積電,這幾年卻仿佛打了雞血,進(jìn)展神速,讓Intel、三星都望塵莫及。

2019-12-07 標(biāo)簽:臺(tái)積電EUV 3.1k 0

臺(tái)積電的5納米和3納米都將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

臺(tái)積電供應(yīng)鏈管理論壇高度強(qiáng)調(diào)未來(lái)前景正面樂觀,外資買盤昨天重新點(diǎn)火,推升股價(jià)大漲6元,以312元作收,市值重回8.09兆元,外資轉(zhuǎn)為買超1萬(wàn)4,561張。

2019-12-06 標(biāo)簽:臺(tái)積電晶圓euv 4.6k 0

三星EUV光刻膠需求找不到替代,進(jìn)軍代工行業(yè)老大有難度

據(jù)businessKorea報(bào)道,自去年7月日本開始限制對(duì)韓國(guó)的出口以來(lái),三星仍沒有找到為EUV技術(shù)提供足夠光刻膠的替代供應(yīng)商。到2030年成為全球代工...

2019-11-29 標(biāo)簽:三星電子euv 3.3k 0

EUV光刻設(shè)備很好賣

11月25日,市場(chǎng)研究公司總裁羅伯特·卡斯特拉諾(Robert Castellano)表示:“過去三年來(lái),應(yīng)用材料一直在晶圓制造前段工序(WFE)的設(shè)備...

2019-11-26 標(biāo)簽:晶圓euv 2.6k 0

三星欲每年投91億美元建立EUV量產(chǎn)體制

目前,三星7nm EUV技術(shù)已經(jīng)量產(chǎn),在2019下半年將完成的韓國(guó)華城7nm EUV工藝生產(chǎn)線,將在2020年1月份量產(chǎn),5nm制程也計(jì)劃在2020年上...

2019-11-14 標(biāo)簽:三星電子臺(tái)積電euv 3.3k 0

三星電子向臺(tái)積電發(fā)起正面挑戰(zhàn) 擬用10年時(shí)間挑戰(zhàn)臺(tái)積電世界首位的寶座

境外媒體報(bào)道稱,韓國(guó)三星電子在半導(dǎo)體代工領(lǐng)域向臺(tái)積電發(fā)起正面挑戰(zhàn)。三星將每年花費(fèi)巨額投資,確定采用新一代生產(chǎn)技術(shù)“EUV(極紫外光刻)”的量產(chǎn)體制,用1...

2019-11-13 標(biāo)簽:臺(tái)積電三星電子EUV 4.1k 0

ASML與中芯國(guó)際否定延后出貨的說法

去年4月,中芯國(guó)際向荷蘭ASML公司訂購(gòu)了一臺(tái)EUV光刻機(jī),用于研究7nm及以下的先進(jìn)工藝?;ㄙM(fèi)超過1.2億歐元(約10億人民幣),預(yù)計(jì)今年底交貨,20...

2019-11-11 標(biāo)簽:中芯國(guó)際EUVASML 3.4k 0

訂購(gòu)EUV光刻機(jī)受阻? 中芯國(guó)際和ASML回應(yīng)了

針對(duì)近幾日多家媒體報(bào)道的有關(guān)ASML公司對(duì)中芯國(guó)際訂購(gòu)的EUV光刻機(jī)設(shè)備有意延遲的推測(cè)。二家公司今日均發(fā)表內(nèi)容回應(yīng)。 ASML回應(yīng)如下: 關(guān)于日經(jīng)新聞(...

2019-11-08 標(biāo)簽:中芯國(guó)際EUVASML 5.6k 0

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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
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