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EUV光刻技術 - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術 – 原來是預計在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過去了,EUV已經(jīng)遇到了一些延遲,將技術從一個節(jié)點推向下一個階段,本單元詳細介紹了EUV光刻機,EUV光刻機技術的技術應用,EUV光刻機的技術、市場問題,國產(chǎn)euv光刻機發(fā)展等內容。
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臺積電深耕晶圓代工先進制程,10月表示強效版7納米制程導入EUV技術,今年第2季開始量產(chǎn),良率已相當接近7納米制程;6納米制程預計明年第1季試產(chǎn),并于明...
2019年半導體前段制程材料需求普遍下滑 WET Chemical力抗產(chǎn)業(yè)逆風仍有成長表現(xiàn)
受到半導體產(chǎn)業(yè)逆風影響,2019年半導體前段制程材料需求普遍下滑,占比超過3成的硅晶圓影響頗為嚴重,雖然硅晶圓在長約價格上變動不大,但現(xiàn)貨價格下跌與晶圓...
受益邏輯客戶,EUV訂單強勁 ASML Q3業(yè)績增長明顯
荷蘭半導體設備制造商ASML Holding10月17日發(fā)布了2019年第三季度的銷售業(yè)績報告。在收入增長的情況下,受邏輯客戶設備銷售的推動,內存芯片市...
EUV設備讓摩爾定律再延伸三代工藝 但需克服諸多挑戰(zhàn)
臺積電近日宣布,已經(jīng)開始了7nm+ EUV工藝的大規(guī)模量產(chǎn),這是該公司乃至整個半導體產(chǎn)業(yè)首個商用EUV極紫外光刻技術的工藝。作為EUV設備唯一提供商,市...
半導體細微化(Scaling)是目前半導體行業(yè)最熱門的話題之一。隨著DRAM等的芯片元器件在內的大部分電子元器件和存儲單元趨于超小型化,對于高度集成技術...
Intel還在努力推進7nm工藝,最快2021年量產(chǎn)
7nm是Intel下一代工藝的重要節(jié)點,而且是高性能工藝,其地位堪比現(xiàn)在的14nm工藝,而且它還是Intel首次使用EUV光刻的制程工藝,意義重大。
10月7日,臺積電宣布,其業(yè)界首款可商用的極紫外(EUV)光刻技術七納米plus(N7+)將向客戶交付產(chǎn)品。采用EUV技術的N7+工藝建立在臺積電成功的...
臺積電宣布7納米強效版制程已大量進入市場 2020年第一季將試產(chǎn)6納米制程技術
臺積電宣布,其領先業(yè)界導入極紫外光(EUV)微影技術的7納米強效版(N7+)制程已協(xié)助客戶產(chǎn)品大量進入市場。導入EUV微影技術的N7+奠基于臺積電成功的...
曝Intel已從今年8月份開始訂購用于7nmEUV工藝節(jié)點的材料和設備 數(shù)據(jù)中心GPU或首發(fā)
Intel 10nm處理器已經(jīng)量產(chǎn)發(fā)售,明年預計會在市場上井噴,推出桌面CPU等產(chǎn)品。
在談到DRAM技術未來的發(fā)展時,平博士首先強調,DRAM是有它的極限的。我們通過改進,可以將極限推遲。如導入EUV及HKMG三極管以縮小線寬及加強外圍電...
7nm節(jié)點后光刻技術從DUV轉至EUV,設備價值劇增
芯片行業(yè)從20世紀90年代開始就考慮使用13.5nm的EUV光刻(紫外線波長范圍是10~400nm)用以取代現(xiàn)在的193nm。EUV本身也有局限,比如容...
實現(xiàn)3nm技術節(jié)點需要突破哪些半導體關鍵技術
將互連擴展到3nm技術節(jié)點及以下需要多項創(chuàng)新。IMEC認為雙大馬士革中的單次顯影EUV,Supervia結構,半大馬士革工藝以及后段(BEOL)中的附加...
EUV工藝不同多重圖形化方案的優(yōu)缺點及新的進展研究
與過去相比,研究人員現(xiàn)在已經(jīng)將EUVL作為存儲器關鍵結構的圖形化工藝的一個選項,例如DRAM的柱體結構及STT-MRAM的MTJ。在本文的第二部分,IM...
ASML在未來將如何持續(xù)推動半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展
AI、5G應用推動芯片微縮化,要實現(xiàn)5nm、3nm等先進制程,意味著需要更新穎的技術支援以進行加工制造,半導體設備商遂陸續(xù)推出新一代方案。AI、5G應用...
加利福尼亞州圣何塞 - 制造商設備供應商佳能公司的一位官員警告說,下一代平版印刷術(NGL)面臨著新的障礙,可能會威脅到IC產(chǎn)業(yè)轉向低于40納米的芯片制造業(yè)。
7月1日,日本政府宣布將韓國移除對外貿易白名單,韓國進口日本公司的三種原材料——光刻膠、氟化聚酰亞胺和氟化氫需要提前90天申請,這些材料是生產(chǎn)柔性屏面板...
臺積電時程規(guī)劃領先業(yè)界并積極備妥產(chǎn)能 三星加速時程緊咬臺積電
臺積電、Samsung與Intel在先進制程發(fā)展的競爭關系備受市場矚目。過去先進制程發(fā)展除了解決微縮閘極寬度上的困難外,EUV光刻機設備性能也是關鍵影響...
三星表示2020年7nmEUV生產(chǎn)線將如期量產(chǎn) 并計劃再建設另外的7nmEUV工廠
盡管日本方面上周末推出了第二波禁韓令,預計多達857種重要材料對韓國出口都會受到管制影響,此舉可能會影響韓國公司的半導體生產(chǎn),不過三星似乎并沒有因此停止...
三星6nm6LPP將在今年下半年如期投入量產(chǎn) 4nm4LPE也會在年內設計完畢
除了臺積電,三星如今在工藝方面也是十分激進:7nm 7LPP去年十月投產(chǎn)之后,按照官方最新給出的時間表,6nm 6LPP將在今年下半年如期投入量產(chǎn),5n...
盡管日韓貿易沖突持續(xù)延燒,三星電子原定9月在日本東京的晶圓代工論壇將如期舉行。三星屆時預料將展示自家先進制程技術,并提供用于生產(chǎn)3納米以下芯片,名為「環(huán)...
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