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EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來(lái)是預(yù)計(jì)在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過(guò)去了，EUV已經(jīng)遇到了一些延遲，將技術(shù)從一個(gè)節(jié)點(diǎn)推向下一個(gè)階段，本單元詳細(xì)介紹了EUV光刻機(jī)，EUV光刻機(jī)技術(shù)的技術(shù)應(yīng)用，EUV光刻機(jī)的技術(shù)、市場(chǎng)問(wèn)題，國(guó)產(chǎn)euv光刻機(jī)發(fā)展等內(nèi)容。

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英特爾完成首臺(tái)高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)安裝，助力代工業(yè)務(wù)發(fā)展

　知情人士透露，由于ASML高數(shù)值孔徑EUV設(shè)備產(chǎn)能有限，每年僅能產(chǎn)出5至6臺(tái)，因此英特爾將獨(dú)享初始庫(kù)存，而競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星和SK海力士預(yù)計(jì)需等到明年下半年...

2024-05-08 標(biāo)簽：英特爾 EUV ASML 1.5k 0

芯片設(shè)計(jì)的光刻成本問(wèn)題

小芯片與單片的決定現(xiàn)在變得更加困難。一旦考慮到封裝成本，單片芯片的制造成本很可能會(huì)更便宜。此外，小芯片設(shè)計(jì)存在一些電力成本。在這種情況下，構(gòu)建一個(gè)大型單...

2022-07-25 標(biāo)簽：晶圓 EUV DUV 1.5k 0

2019年將是7nm EUV半導(dǎo)體產(chǎn)品元年，晶圓代工7nm產(chǎn)值成長(zhǎng)200%以上

2019-03-07 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電晶圓代工 1.5k 0

半導(dǎo)體行業(yè)能否走出低谷，中國(guó)影響幾何？

英特爾和臺(tái)積電都在技術(shù)上投入資金。三星和其他內(nèi)存制造商必須跟上技術(shù)節(jié)點(diǎn)的轉(zhuǎn)變，即使同時(shí)保持產(chǎn)能遠(yuǎn)離市場(chǎng)。他們需要跟上技術(shù)的步伐，以在摩爾定律的基礎(chǔ)上保持...

2024-01-29 標(biāo)簽：英特爾臺(tái)積電光刻機(jī) 1.5k 0

三星投資60億美元7nm EUV工廠動(dòng)工后者驍龍芯片可能誕生于此

據(jù)報(bào)道，三星投資60億美元建設(shè)的新的半導(dǎo)體工廠已經(jīng)破土動(dòng)工，此工廠主用于擴(kuò)充7nm EUV的產(chǎn)能，有人猜測(cè)后者的驍龍芯片將可能會(huì)在這里誕生。

2018-02-26 標(biāo)簽：三星電子 euv 7nm工藝 1.5k 0

后摩爾定律時(shí)代，半導(dǎo)體技術(shù)將走向何方?

不能否認(rèn)的是，摩爾定律正在逐漸走向極限。業(yè)界對(duì)于未來(lái)技術(shù)如何發(fā)展，早已有了“More Moore”（繼續(xù)推進(jìn)摩爾定律）和“More than Moore...

2016-06-02 標(biāo)簽：摩爾定律 IMEC EUV 1.5k 0

美光宣布將在日本廣島建設(shè)DRAM工廠

據(jù)悉，新廠將采用EUV光刻機(jī)技術(shù)，并計(jì)劃在2025年量產(chǎn)的下一代1-gamma（nm）節(jié)點(diǎn)引入EUV光刻技術(shù)。鑒于DRAM行業(yè)的代際周期，新廠有望具備生...

2024-05-28 標(biāo)簽：DRAM 美光 EUV 1.5k 0

光刻掃描儀吞吐量的成本模型

我們一直在我們的私人咨詢(xún)業(yè)務(wù)上花費(fèi)大量時(shí)間，試圖為各種邏輯和內(nèi)存工藝節(jié)點(diǎn)的工具類(lèi)型建立一個(gè)半導(dǎo)體工廠資本支出的模型。

2023-02-22 標(biāo)簽：amd 半導(dǎo)體掃描儀 1.4k 0

英特爾與臺(tái)積電出投巨資建設(shè)450mm晶圓和EUV曝光

　圍繞450mm晶圓和EUV（Extreme Ultraviolet，超紫外線）曝光等新一代半導(dǎo)體制造技術(shù)的動(dòng)向日趨活躍。2012年7月，全球最大的曝光...

2012-09-10 標(biāo)簽：英特爾臺(tái)積電半導(dǎo)體技術(shù) 1.4k 0

一種無(wú)透鏡成像的新方法

使用OAM-HHG EUV光束對(duì)高度周期性結(jié)構(gòu)進(jìn)行成像的EUV聚光顯微鏡為了研究微電子或光子元件中的納米級(jí)圖案，一種基于無(wú)透鏡成像的新方法可以實(shí)現(xiàn)近乎...

2024-07-19 標(biāo)簽：激光成像 EUV 1.4k 0

ASML將在未來(lái)十年發(fā)生變化？

ASML即將上任的首席執(zhí)行官Christophe Fouquet面臨的最大挑戰(zhàn)將是帶領(lǐng)公司進(jìn)入一個(gè)新時(shí)代，救火員工程文化必須改變。

2023-12-28 標(biāo)簽：光刻技術(shù)EUV ASML 1.4k 0

后門(mén)！ASML可遠(yuǎn)程鎖光刻機(jī)！

來(lái)源：國(guó)芯網(wǎng)，謝謝編輯：感知芯視界 Link 5月22日消息，據(jù)外媒報(bào)道，臺(tái)積電從ASML購(gòu)買(mǎi)的EUV極紫外光刻機(jī)，暗藏后門(mén)，可以在必要的時(shí)候執(zhí)行遠(yuǎn)程...

2024-05-24 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV ASML 1.4k 0

ASML公司發(fā)布2024財(cái)年一季報(bào)，較上季度降幅達(dá)到27%

該季度ASML的凈銷(xiāo)售額達(dá)到53億歐元，較上季度有所下滑，降幅達(dá)到27%。

2024-04-19 標(biāo)簽：光刻機(jī)半導(dǎo)體制造 EUV 1.4k 0

7nm制程硝煙四起臺(tái)積電/三星要超越英特爾？

在一場(chǎng)將于12月舉行的技術(shù)研討會(huì)上，晶圓代工大廠臺(tái)積電（TSMC）將與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手Globalfoundries、三星（Samsung）結(jié)成的伙伴聯(lián)盟，公開(kāi)...

2016-10-25 標(biāo)簽：芯片制造 EUV 7nm制程 1.4k 0

摩爾定律在14nm節(jié)點(diǎn)上迎來(lái)大挑戰(zhàn)

在2012年度的國(guó)際電子元件大會(huì)上，有專(zhuān)家指出，半導(dǎo)體制程在14nm的節(jié)點(diǎn)上會(huì)迎來(lái)大挑戰(zhàn)，而不符合偶爾定律的要求。

2012-12-13 標(biāo)簽：摩爾定律 EUV 1.4k 0

Rapidus對(duì)首代工藝中0.33NA EUV解決方案表示滿意，未采用高NA EUV光刻機(jī)

在全球四大先進(jìn)制程代工巨頭（包括臺(tái)積電、三星電子、英特爾以及Rapidus）中，只有英特爾明確表示將使用High NA EUV光刻機(jī)進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。

2024-05-27 標(biāo)簽：EUV ASML 先進(jìn)制程 1.4k 0

佳能的光刻工具距離商業(yè)化還需要數(shù)年時(shí)間

“半導(dǎo)體研發(fā)機(jī)構(gòu) imec 的項(xiàng)目經(jīng)理塞德里克-羅林（Cedric Rolin）說(shuō)：”納米壓印技術(shù)很難在質(zhì)量上與 EUV 相媲美?！?他說(shuō)，納米壓印的缺...

2023-12-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 EUV 納米壓印 1.4k 0

EUV光刻市場(chǎng)高速增長(zhǎng)，復(fù)合年增長(zhǎng)率21.8%

EUV掩膜，也稱(chēng)為EUV掩?；駿UV光刻掩膜，對(duì)于極紫外光刻（EUVL）這種先進(jìn)光刻技術(shù)至關(guān)重要。EUV光刻是一種先進(jìn)技術(shù)，用于制造具有更小特征尺寸和增...

2023-08-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件光刻技術(shù)EUV 1.4k 0

紫光展銳ic設(shè)計(jì)給力 6納米工藝的5G芯片的手機(jī)明年將上市

紫光展銳ic設(shè)計(jì)很給力；紫光展銳積極布局5G，除了搭載其6納米5G芯片的手機(jī)將于明年量產(chǎn)，展銳還推出了一系列5G產(chǎn)品。 T7520很快會(huì)達(dá)到CS（商業(yè)樣...

2020-11-12 標(biāo)簽：IC設(shè)計(jì)soc EUV 1.4k 0

臺(tái)積電魏哲家與ASML高層會(huì)面，是否有意購(gòu)買(mǎi)高數(shù)值孔徑極紫外光機(jī)臺(tái)？

此前，該公司首席執(zhí)行官魏哲家曾明確表示，過(guò)早引入High-NA EUV并無(wú)太大經(jīng)濟(jì)效益，直到日前其秘密訪問(wèn)ASML總部，使市場(chǎng)猜測(cè)臺(tái)積電是否因此事發(fā)生重大轉(zhuǎn)變。

2024-05-29 標(biāo)簽：臺(tái)積電 EUV 半導(dǎo)體行業(yè) 1.4k 0

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