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650V 雙向E-mode GaN(MBDS) Buck型AC/AC轉(zhuǎn)換器評估板

云鎵半導(dǎo)體650V雙向E-modeGaN(MBDS)的應(yīng)用1.MBDS器件介紹云鎵半導(dǎo)體推出了650VE-modeGaN雙向器件MBDS(Monolit...

2026-02-05 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器 GaN 評估板 219 0

主要氮化鎵封裝技術(shù)介紹

氮化鎵（GaN）作為一種第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借其高電子遷移率和高擊穿電場等優(yōu)異特性，已在5G通信基站、數(shù)據(jù)中心電源及消費電子快充等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)...

2026-01-14 標(biāo)簽：封裝技術(shù)氮化鎵 GaN 3.4k 0

芯導(dǎo)科技GaN器件的發(fā)展與演進(jìn)

在文章"提升開關(guān)頻率（一）芯導(dǎo)科技MOSFET工藝結(jié)構(gòu)的發(fā)展與演進(jìn)"中，我們介紹了芯導(dǎo)科技MOSFET產(chǎn)品針對高頻需求的工藝發(fā)展路線。

2026-01-14 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 芯導(dǎo)科技 2k 0

橢偏儀在半導(dǎo)體的應(yīng)用|不同厚度m-AlN與GaN薄膜的結(jié)構(gòu)與光學(xué)性質(zhì)

Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體是紫外至可見光發(fā)光器件的關(guān)鍵材料。傳統(tǒng)c面取向材料因極化電場導(dǎo)致量子限制斯塔克效應(yīng)，降低發(fā)光效率。采用半極性（如m面）生長可有效抑制該效...

2025-12-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體薄膜 GaN 3.8k 0

氮化鎵（GaN）vs 硅MOS vs SiC MOSFET性能全對比：300W快充應(yīng)用選型避坑手冊

在消費電子快充領(lǐng)域，300W USB-C PD快充憑借適配筆記本、便攜式儲能、專業(yè)設(shè)備供電等多元需求，已成為市場增長核心賽道。功率器件作為快充方案的“心...

2025-12-24 標(biāo)簽：驅(qū)動IC GaN SiC MOSFET 956 0

借助 TOLL GaN 突破太陽能系統(tǒng)的界限

太陽能系統(tǒng)的發(fā)展勢頭越來越強(qiáng)，光伏逆變器的性能是技術(shù)創(chuàng)新的核心。設(shè)計該項光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽能。其中一項創(chuàng)新涉及使用氮化鎵 (GaN)。...

2025-12-11 標(biāo)簽：GaN 光伏逆變器太陽能系統(tǒng) 4.5k 0

解析GaN與SiC在太陽能逆變器中的應(yīng)用方案

光伏發(fā)電（PV）是一種將陽光轉(zhuǎn)化為電能的技術(shù)，這個過程涉及使用太陽能電池來捕獲太陽能并將其轉(zhuǎn)化為可用的電力；然后，使用逆變器將太陽能電池產(chǎn)生的電力從直流...

2025-12-10 標(biāo)簽：太陽能逆變器 SiC 4.8k 0

超越防護(hù)：離子捕捉劑如何在寬禁帶半導(dǎo)體封裝中扮演更關(guān)鍵角色？

隨著碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體走向普及，其封裝材料面臨更高溫度、更高電壓的極端考驗。傳統(tǒng)的離子防護(hù)理念亟待升級。本文將探討在此背景...

2025-12-08 標(biāo)簽：SiC IC封裝 GaN 657 0

絕緣與散熱：立山科學(xué)TWT系列在高壓高功率環(huán)境下的表現(xiàn)

作為日本立山科學(xué)株式會社的官方代理，深圳市智美行科技深知高壓、高功率密度應(yīng)用對溫度傳感器提出了雙重挑戰(zhàn)：可靠的電氣隔離與高效的熱傳導(dǎo)。本文將深入探討TW...

2025-12-04 標(biāo)簽：NTC SiC GaN 464 0

安森美垂直GaN技術(shù)賦能功率器件應(yīng)用未來

在傳統(tǒng)橫向結(jié)構(gòu)的GaN器件中，電流沿芯片表面流動。而垂直 GaN 的 GaN 層生長在氮化鎵襯底上，其獨特結(jié)構(gòu)使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在...

2025-12-04 標(biāo)簽：安森美功率器件 GaN 1.9k 0

LMG3410R070RWHR 高性能 GaN 功率器件

LMG3410R070RWHR高性能GaN功率器件產(chǎn)品型號：LMG3410R070RWHR產(chǎn)品品牌：TI/德州儀器產(chǎn)品封裝：VQFN32產(chǎn)品功能：高性能...

2025-11-29 標(biāo)簽：功率器件 GaN 302 0

意法半導(dǎo)體GaN晶體管推動下一代電機(jī)逆變器的發(fā)展

滿足日益增長的高能效和高功率性能需求，同時不斷降低成本和尺寸是當(dāng)今功率電子行業(yè)面臨的主要挑戰(zhàn)。

2025-11-24 標(biāo)簽：MOSFET 電機(jī)控制意法半導(dǎo)體 6.8k 0

云鎵大功率 GaN 產(chǎn)品 | 技術(shù)參數(shù)解讀鈦金服務(wù)器電源 DEMO

云鎵半導(dǎo)體云鎵工業(yè)級GaN產(chǎn)品器件參數(shù)解讀&3kW服務(wù)器電源DEMO1.前言云鎵半導(dǎo)體在工業(yè)級GaN產(chǎn)品上不斷耕耘，推出系列化GaN功率器件以及...

2025-11-11 標(biāo)簽：服務(wù)器電源 GaN demo板 443 0

應(yīng)用指導(dǎo) | CGAN003: GaN switching behavior analysis

云鎵半導(dǎo)體應(yīng)用指導(dǎo)CGAN003:GaNswitchingbehavioranalysis眾所周知，GaN功率器件具有傳統(tǒng)功率器件無可比擬的性能優(yōu)勢，如...

2025-11-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 GaN 287 0

應(yīng)用指導(dǎo) | CGAN004: GaN FET loss calculation (Boost converter)

云鎵半導(dǎo)體應(yīng)用指導(dǎo)CGAN004:GaNFETlosscalculation(Boostconverter)眾所周知，GaN功率器件具有傳統(tǒng)功率器件無可...

2025-11-11 標(biāo)簽：FET 功率器件 GaN 291 0

應(yīng)用指導(dǎo) | CGAN005: GaN FET SPICE model simulation

云鎵半導(dǎo)體應(yīng)用指導(dǎo)CGAN005:GaNFETSPICEmodel&simulation1.前言眾所周知，GaN功率器件具有傳統(tǒng)功率器件無可比擬...

2025-11-11 標(biāo)簽：FET SPICE GaN 412 0

應(yīng)用指導(dǎo) | CGAN002: How to read GaN datasheet

云鎵半導(dǎo)體應(yīng)用指導(dǎo)CGAN002:HowtoreadGaNdatasheet1.命名規(guī)則以CG65030TAD產(chǎn)品為例，"C"為公司...

2025-11-11 標(biāo)簽：MOS GaN 寄生電感 553 0

德州儀器集成驅(qū)動器的GaN功率級產(chǎn)品介紹

今天，在功率電子領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）正在取代硅（Si）器件，成為越來越多大功率密度、高能效應(yīng)用場景中的主角。

2025-10-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 GaN 1.2萬 0

納微GaN與SiC技術(shù)革新數(shù)據(jù)中心電力架構(gòu)

隨著云端大規(guī)模人工智能（AI）的迅速發(fā)展與部署，包括OpenAI開發(fā)的ChatGPT在內(nèi)，越來越多高性能的、為特定目標(biāo)設(shè)計的AI處理器正被集成至數(shù)據(jù)中心...

2025-10-30 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心 AI GaN 4.3k 0

基于MASTERGAN4的LED調(diào)光驅(qū)動方案：ST EVLMG4-500WIBCK評估板技術(shù)解析

STMicroelectronics EVLMG4-500WIBCK評估板為具有基于GaN（氮化鎵）的同步整流反向降壓拓?fù)涞目烧{(diào)光LED驅(qū)動器電路提供參...

2025-10-29 標(biāo)簽：led驅(qū)動器 GaN 評估板 588 0

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藍(lán)牙5

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藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
Qorvo

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5G手機(jī)

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5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對4G手機(jī)，5G手機(jī)有更快的傳輸速度，低時延，通過網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準(zhǔn)的定位。
TWS

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自iphone7取消3.5mm插孔后藍(lán)牙耳機(jī)市場得到迅猛發(fā)展，藍(lán)牙耳機(jī)種類也層出不窮，TWS藍(lán)牙耳機(jī)兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無線藍(lán)牙耳機(jī)開始大行其道。
智慧家庭

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智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計算、移動互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛的家庭生活方式。
智能工業(yè)

智能工業(yè)

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　　智能工業(yè)：是將具有環(huán)境感知能力的各類終端、基于泛在技術(shù)的計算模式、移動通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個環(huán)節(jié)，大幅提高制造效率，改善產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品成本和資源消耗，將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
Keysight

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是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測量公司，通過在無線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測量體驗。
AD9361

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nRF52832

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無線收發(fā)模塊

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無線收發(fā)模塊JF24D整合了高頻鍵控（GFSK）收發(fā)電路的功能，以特小體積更低成本實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ?。JF24D的傳輸速率為1M，具有81個通道可任意設(shè)置而互不干擾?？稍趽頂D的ISM 頻段中達(dá)到穩(wěn)定可靠的短距離數(shù)據(jù)傳輸。
太赫茲

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太赫茲是一種新的、有很多獨特優(yōu)點的輻射源；太赫茲技術(shù)是一個非常重要的交叉前沿領(lǐng)域，給技術(shù)創(chuàng)新、國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國家安全提供了一個非常誘人的機(jī)遇可能引發(fā)科學(xué)技術(shù)的革命性發(fā)展。
三星公司

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三星集團(tuán)是韓國最大的企業(yè)集團(tuán)，包括85個下屬公司及若干其他法人機(jī)構(gòu)，在近70個國家和地區(qū)建立了近300個法人及辦事處，員工總數(shù)20余萬人，業(yè)務(wù)涉及電子、金融、機(jī)械、化學(xué)等眾多領(lǐng)域。
藍(lán)牙5.0

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藍(lán)牙5.0是由藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍(lán)牙技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，藍(lán)牙5.0針對低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍(lán)牙5.0結(jié)合wifi對室內(nèi)位置進(jìn)行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
Elektron

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樂鑫

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樂鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進(jìn)、專業(yè)的無晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級芯片，提供移動通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
WiGig

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WiGig（Wireless Gigabit，無線千兆比特）是一種更快的短距離無線技術(shù)，可用于在家中快速傳輸大型文件。
lorawan

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LoRaWAN基于LoRa遠(yuǎn)距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來說LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
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5G毫米波

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5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長為1毫米到10毫米，波動頻率為30GHz-300GHz。相對于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時延和靈活彈性空口配置等獨特優(yōu)勢，可滿足未來無線通信對系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
JN5168

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802.11ax

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ZigBee3.0

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貼片天線

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射頻元件

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無線設(shè)備

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無線設(shè)備一般指無線電通信設(shè)備艦艇上利用無線電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對外通信，是進(jìn)行遠(yuǎn)距離通信的唯一手段。由發(fā)信機(jī)、收信機(jī)、天線、饋線和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
LoRa技術(shù)

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LoRa是一種線性調(diào)頻擴(kuò)頻調(diào)制技術(shù)，它的全稱為遠(yuǎn)距離無線電（Long Range Radio），因其傳輸距離遠(yuǎn)、低功耗、組網(wǎng)靈活等諸多優(yōu)勢特性都與物聯(lián)網(wǎng)碎片化、低成本、大連接的需求不謀而合，故而被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)各個垂直行業(yè)中。
LTE-Advanced

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超外差接收機(jī)

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　　超外差接收機(jī)是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號混頻，將輸入信號頻率變換為某個預(yù)先確定的頻率的方法。
藍(lán)牙m(xù)esh

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藍(lán)牙Mesh是基于ble廣播進(jìn)行消息傳遞的一種藍(lán)牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無中心、無路由的對等網(wǎng)絡(luò)。以實現(xiàn)藍(lán)牙設(shè)備與藍(lán)牙設(shè)備之間的多對多通訊，使藍(lán)牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢。
HBT

HBT

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　hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡稱。英文全稱為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。

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