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作為提供不間斷連接的關鍵,許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導體技術來提高能效和功率密度。 氮化鎵技術,通常稱為 GaN,是一種寬帶隙半導體材料,越來越多地...
電力電子朝向碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬能隙(WBG)材料發(fā)展,雖然硅仍然占據(jù)市場主流,但SiC與GaN器件很快就會催生新一代更高效的技術解決方案。
為了充分利用新型功率轉換技術,必須在轉換器設計中實施完整的 IC 生態(tài)系統(tǒng),從最近的芯片到功率開關和柵極驅動器。
氮化鎵(GaN) 半導體行業(yè)在摩爾定律的魔咒下已經(jīng)狂奔了50多年,一路上挾風帶雨的,好不風光。不過隨著半導體工藝的特征尺寸日益逼近理論極限,摩爾定律對半...
2017-10-11 標簽:GaN 9.5k 0
氮化鎵具有大禁帶寬度、高電子飽和速率、高擊穿電場、較高熱導率、耐腐蝕以及抗輻射性能等優(yōu)點,從而可以采用氮化鎵制作半導體材料,而得到氮化鎵半導體器件。 目...
#參考設計#72 W基于PowiGaN的InnoSwitch 4-QR超緊湊型電源
72 W隔離反激式電源,適用于采用InnoSwitch 4-QR(INN 4275 C-H186)高頻準諧振開關IC的電器,可實現(xiàn)最小Transform...
#參考設計#(900 V PowiGaN 開關)的 60 W 隔離反激式適配器
使用 InnoSwitch3-EP(900 V PowiGaN 開關)的 60 W 隔離反激式適配器 *附件:DER-982 60W 12V5A 90-...
當然,一項已經(jīng)持續(xù)發(fā)展60年的技術不會一夜之間被取代,但經(jīng)過多年的研究、實際驗證和 可靠性測試,GaN定會成為解決功率密度問題的最佳技術。德州儀器已經(jīng)在...
GaN功率晶體管的動態(tài)導通電阻測量技術的挑戰(zhàn)和方法
動態(tài)導通電阻對于 GaN 功率晶體管的可靠和穩(wěn)定運行至關重要。然而,許多工程師都在努力評估動態(tài) RDS(ON),因為很難以足夠的分辨率對其進行一致測量。...
氮化鎵(GaN)被認為是自硅以來影響最大的半導體創(chuàng)新產(chǎn)品,該材料能夠在比傳統(tǒng)半導體材料高得多的電壓下工作。更高的電壓意味著更高的效率,因此基于GaN的R...
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